公开(公告)号：CN116546865A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310714193.6

申请日：2023-06-14

Applicant: 江苏大学

Inventor： 王权 ,  程培宇 ,  陈明明

IPC: H10K71/15 ,  H10K30/88

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜缺陷的钝化方法，属于光电器件技术领域。本发明在钙钛矿前驱液中添加ZIF‑67，其规则的支架结构可使钙钛矿微晶在结晶的初始阶段有序排列，从而有效调控薄膜生长，减少晶界。此外，ZIF‑67释放部分Co离子填补铅空位，与卤素离子形成强健结合，可以有效减少钙钛矿薄膜的缺陷态形成，降低载流子传输过程中的非辐射复合损耗，提高载流子寿命近1.7倍，具有很强的实用性。

公开(公告)号：CN116487467A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310479723.3

申请日：2023-04-28

Applicant: 江苏大学

Inventor： 陈思怡 ,  陈明明 ,  朱高雅 ,  陈思学 ,  程培宇

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法和应用，属于信息技术领域；本发明通过在Si硅衬底表面上制备铁电薄膜材料，然后在Si硅衬底和铁电薄膜材料上沉积薄金属电极来构建硅基铁电异质结光电探测器；所述硅基铁电异质结光电探测器能够实现紫外‑可见‑近红外宽光谱和波长可选择光探测的目的，其在300‑900nm宽光谱和300‑340nm紫外/380‑900nm可见光‑近红外波长下均可进行可选择光探测，具有很强的工业实用性。

公开(公告)号：CN116456729A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310642501.9

申请日：2023-06-01

Applicant: 江苏大学

Inventor： 王权 ,  程培宇 ,  陈明明

IPC: H10K30/10 ,  H10K30/60 ,  H10K85/50 ,  H10K71/00 ,  H10K71/30

Abstract: 本发明属于光电通信和光电器件技术领域，公开了一种钙钛矿/硅异质结光电探测器及其制备方法。包括：导电硅基底，钙钛矿层和电极。钙钛矿层由钙钛矿本体和沸石咪唑酯骨架结构材料ZIF‑67组成。步骤为：将ZIF‑67粉末与钙钛矿前驱体溶质混合，加入溶剂搅拌得到均质的钙钛矿前驱液，然后采用抗溶剂旋涂法在处理过的导电硅基底上制备钙钛矿薄膜，经过梯度热退火得到高质量的钙钛矿层，构建钙钛矿/硅异质结，最后在钙钛矿层表面制备电极，得到钙钛矿/硅异质结光电探测器。ZIF‑67对钙钛矿进行n型掺杂，并与p型低阻硅构建异质结，利用其内建电场加速载流子的分离。此外，ZIF‑67可调控薄膜生长，减少晶界及缺陷态，降低器件的非辐射复合损耗，提升器件性能及稳定性。

公开(公告)号：CN119584834A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411679138.9

申请日：2024-11-22

Applicant: 江苏大学

Inventor： 王权 ,  程培宇 ,  陈明明 ,  张慧敏

IPC: H10K71/40 ,  H10K71/12 ,  H10K30/88 ,  H10K30/20 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明提供了一种溶剂热处理的二维/三维钙钛矿异质结、制备方法及应用。本发明在三维卤化铅钙钛矿薄膜表面制备一层二维钙钛矿钝化层后，通过AX/IPA混合蒸汽进行溶剂热处理，消除二维/三维钙钛矿异质结界面处的卤化铅副产物，增加二维钙钛矿中的卤化物八面体层数。本发明不仅有效降低薄膜表面的非辐射负荷中心，增强二维钙钛矿的钝化效果，提高了光电转换效率；而且增强了载流子的面外传输能力，提高了垂直方向的导电性，减少电流损耗，提高了器件的响应度及探测率；解决了传统溶液法制备的二维/三维钙钛矿异质结中溶剂不兼容的问题，实现了对钙钛矿薄膜表面缺陷的有效钝化，为制备高性能稳定的钙钛矿薄膜光电器件提供了有力的技术支撑。