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公开(公告)号：CN120012791A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510050333.3
申请日：2025-01-13
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于存内计算的权值累加电路，属于集成电路领域。该方法包括：设计新的存内计算的权值累加电路。通过改变最高bit位电容开关对管的位置以及操作时序，将最高bit位的电容排除在电荷共享过程之外，存储到一个与权重无关且容值设置为小于单位电容容值的电容中，大大减小了整体累加电路面积，并且能在一次累加周期中避免最高bit位大电容的充电时间，能够快速完成不同权值电压的累加。同时由于最高bit位电容容值很小，减小了大电容对整体电路产生的寄生效应，减小电路的非理想效应。相比于传统多组电容采样累加电路，本发明可以使电路面积开销减小约百分之五十的情况下，经过更少的时序完成速度更快且精度更高的累加。
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公开(公告)号：CN115396617B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210928065.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 江南大学
IPC: H04N25/75 , H04N25/78 , H04N25/616
Abstract: 本发明公开了浮栅型图像传感器的高精度低功耗读出方法及电路，属于集成电路技术领域。本发明引入两路偏置电流，将一路偏置电流与像素电流相加后再进行拷贝，有效地提高了像素电流的拷贝精度；通过控制两路偏置电流之差，抵消漏电流对电路所造成的影响，保证高灵敏度正反馈电路不会因漏电流发生错误翻转；设计高灵敏度正反馈电路代替传统SS‑ADC设计中的比较器，高灵敏度正反馈电路的输出翻转仅由像素器件由亚阈值区到线性区的突变电流决定，加快翻转速度从而提高读出精度，同时降低系统功耗；设计相关双采样处理电路，消除因阵列阈值电压非一致性引入的读出噪声，进一步提高读出精度，同时片内实现减小了数据传输量，进一步降低系统功耗。
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公开(公告)号：CN119358498A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411379188.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 江南大学
IPC: G06F30/39 , G06F30/327 , G06N3/0455 , G06N3/092 , G06N3/084 , G06N3/0985 , G06N3/042 , G06N3/0464 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了基于GVAE和AIG图的数字集成电路优化方法及系统，属于集成电路设计自动化技术领域。所述方法利用图变分自动编码器GVAE，能够智能化地学习和提取电路的关键特征和深层模式，突破了传统方法对特征手动设计的依赖，有助于增强强化学习智能体对电路结构的洞察力与理解力；将电路的状态有效地编码为固定长度的输入向量，有助于提高强化学习算法的运行效率和整体性能，在复杂优化任务中快速收敛；提供了一个高度集成的全流程电路优化框架，从电路网表的结构开始，经过结构特征提取、智能化优化等多个步骤，构建了一个自动化、高效的闭环系统，提升了电路优化的质量与生产力。
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公开(公告)号：CN113703846B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111003800.5
申请日：2021-08-30
Applicant: 江南大学
IPC: G06F9/38
Abstract: 本发明公开了一种面向TAGE分支预测器的新表项分配方法，属于处理器的分支预测器设计领域。所述方法包括：根据TAGE分支预测器预测结果的正误产生新表项的分配使能信号；根据Provider内命中表项的信息更新分配使能信号；根据分配使能信号的状态判断是否需为TAGE分支预测器分配新表项。所述方法利用TAGE分支预测器的预测信息，动态调整TAGE分支预测器误预测时新表项的分配概率，以降低冷计数器问题出现的概率，进一步提升传统TAGE分支预测器对那些难以预测的分支指令的预测准确度；且本发明不需设计额外的分支预测表，存储资源占用较低，更适合应用于低功耗低面积的处理器中。
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公开(公告)号：CN118382351A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410528781.5
申请日：2024-04-29
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于温和等离子体技术实现厚层碲化钼固定深度相变的方法，属于半导体器件领域。本发明通过等离子体对底部电极结构厚层碲化钼进行部分相变处理，相变后，对其进行等离子体刻蚀处理，将相变的1T′相碲化钼刻蚀，对刻蚀前后的碲化钼进行AFM测试，计算其高度差，也就得到了刻蚀掉1T′相碲化钼的层数，从而通过等离子体刻蚀的方法确定了相变的深度。本发明操作简单，可重复性强，解决了实现固定相变深度的问题，达到了调控异相界面的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116207094B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310313602.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于高速传输接口芯片的静电与浪涌防护电路，其包括衬底、深N阱、N阱、第一P阱、第二P阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第一P+注入区、第五N+注入区、第二P+注入区、第六N+注入区、第七N+注入区、第一多晶硅栅、第二多晶硅栅、第三多晶硅栅以及其覆盖的第一薄栅氧化层、第二薄栅氧化层、第三薄栅氧化层构成。本发明通过SCR、NMOS、GGNMOS和PNP三极管的多重器件的复合式结构，能够达到低压触发和免疫闩锁的效果，从而克服现有技术存在的因触发电压过高而导致的在瞬态ESD应力下不能及时开启，以及回滞幅度过大易发生闩锁效应的问题。
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公开(公告)号：CN118233776A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410306462.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了应用于电流型传感器的IV转换电路及方法，属于集成电路技术领域。本发明的IV转换电路包括用于固定传感器漏端电压的钳位及电流读出电路；电流转换电路；用于输出两次采样的差值的相关双采样电路和用于提供偏置电流的电流偏置电路。本发明的IV转换电路解决了普通IV转换电路由于电阻、电容的偏差，产生输出电压偏差的问题，极大地提高了由电流转换成电压的精度。同时，所述的电流转换电路只使用了一个MOS管，减小了电路消耗的面积。此外，当电流型传感器工作在线性区时，本发明的IV转换电路可以直接读出阈值信息，只需要经过一次ADC量化即可得到阈值差，将此电路用于浮栅型图像传感器中，可以提高芯片的运算速度。
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公开(公告)号：CN116093104B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202310313608.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于直流/直流转换芯片的静电与浪涌防护电路，包括P衬底、深N阱、第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区、第五N+注入区、第三P+注入区、硅化物、多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层。本发明所述的一种应用于直流/直流转换芯片的静电与浪涌防护电路，其利用栅接低电位NMOS触发电压低的特性，NPN型三极管、通过设计PNP与NPN型三极管复合结构，构建含多条电流泄放路径的ESD/EOS防护电路，用于增强DC‑DC转换芯片的ESD/EOS防护能力，具有低电压触发、小回滞、快速开启等优点，还能依托多泄流路径，提高二次失效电流。
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公开(公告)号：CN118173628A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410020999.X
申请日：2024-01-05
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于MoS2‑In2Se3异质结的多源信息探测器及制备方法，属于半导体器件领域。本发明的多源信息探测器包括：衬底、电极和异质结构，所述电极与异质结构位于所述衬底上表面，所述异质结构位于所述电极之间且两端与电极接触，所述异质结构为MoS2‑In2Se3垂直异质结，且提出了一种利用干法转移技术制备MoS2‑In2Se3异质结的方法，通过底部搭建In2Se3实现了底部栅极对In2Se3极化方向的控制，实现了对器件的多维调控方式，调控手段简单且有效，短暂的栅压即可切换极化方向实现暗电流的有效降低，且提高了对人体静电、震动探测的灵敏度，有利于推动二维异质结在多功能探测领域和半导体行业的发展。
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公开(公告)号：CN116878551B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202310790178.X
申请日：2023-06-30
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及微波传感器检测技术领域，尤其是指一种基于查找表映射的微波传感器参数读取电路及系统。所述读取电路包括微波传感器，用作检测单元，产生特定频率的辐射场，实现对待测物物理属性的检测；射频驱动单元，用于激励所述微波传感器并收集检测物的介电损耗的变化，产生相应的射频信号；射频检波单元，将所述射频信号的衰减关系转换为电压的变化；微波参数映射单元，用于采集来自所述射频检波单元的信号，完成模数转换并进行微波参数快速映射，最后将微波参数通过串口输出。所述读取电路降低了微波传感器读出电路系统的设计复杂度，从而缩短研发周期，降低研发成本，并且提高了微波检测的精度和响应速度。
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