公开(公告)号：CN116895644A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310824848.5

申请日：2023-07-06

Applicant: 江南大学

Inventor： 南海燕 ,  潘炳宇 ,  丁扬 ,  王成林 ,  戚任贤 ,  肖少庆 ,  顾晓峰

IPC: H01L23/544 ,  H01L31/02

Abstract: 本发明公开了一种基于封装结构的低维光电器件测试系统及方法，属于半导体器件领域。本发明使用光刻、刻蚀、PVD沉积、电镀、切割等工艺在玻璃晶圆的基础上制造出两侧带有铜柱的透明玻璃板，然后在透明玻璃板下表面上使用光刻、电镀等工艺制作阵列排布的铜柱，得到一种封装结构的光电器件测试系统。本发明制备方法工艺成熟，不仅可以实现器件在不同波长的可见光与近红外光的探测，而且可以重复利用，并且避免了传统测电时使用bonding的工艺对材料造成损伤的情况发生；此外，本发明能够得到更稳定的光电流输出，且环境光强度的波动和其他干扰因素影响较小，得到的光电流强度比较高，对细微的光信号有较为快速的响应。

公开(公告)号：CN118382351A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410528781.5

申请日：2024-04-29

Applicant: 江南大学

Inventor： 南海燕 ,  潘炳宇 ,  丁扬 ,  肖少庆 ,  顾晓峰

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种基于温和等离子体技术实现厚层碲化钼固定深度相变的方法，属于半导体器件领域。本发明通过等离子体对底部电极结构厚层碲化钼进行部分相变处理，相变后，对其进行等离子体刻蚀处理，将相变的1T′相碲化钼刻蚀，对刻蚀前后的碲化钼进行AFM测试，计算其高度差，也就得到了刻蚀掉1T′相碲化钼的层数，从而通过等离子体刻蚀的方法确定了相变的深度。本发明操作简单，可重复性强，解决了实现固定相变深度的问题，达到了调控异相界面的效果。