-
公开(公告)号：CN116314467A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310382256.2
申请日：2023-04-11
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种银离子修饰的黑磷光电探测器的制备方法，先利用机械剥离的方式得到薄层BP，并干法转移到300nm SiO2/Si衬底上，之后利用无掩膜光刻技术和电子束蒸镀/热蒸镀技术制成Ni/Au(5nm/50nm)电极的BP光电探测器。最后将附有BP器件的晶片浸入浓度为10‑6M的硝酸银溶液中2小时，取出晶片，用纯NMP清洗，用N2烘干，得到所述的高性能Ag+掺入并改性的BP光电探测器。本发明的制备方法快捷简便，利用Ag+在BP表面的吸附填补了BP纳米片的一些固有缺陷，从而降低了其表面活性和对空气分子的吸附。显著减少了BP器件的电滞，加快了器件的响应时间。
-
公开(公告)号：CN115663058A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211350749.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于半金属纳米颗粒修饰的二维材料光电探测器，属于二维半导体材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：利用多孔阳级氧化铝(AAO)构筑MO3(M代表Mo、W)纳米颗粒结构阵列，再用氢气等离子体将MO3纳米颗粒转变成MOx(x
-
公开(公告)号：CN111081820A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911421184.8
申请日：2019-12-31
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336
Abstract: 本发明公开了一种基于二维黑磷材料实现IGZO光电流调控的方法，属于半导体器件领域。本发明提出了一种利用干法转移技术制备IGZO-黑磷异质结构的方法，并且通过改变IGZO与黑磷之间的接触方式，可以实现IGZO对不同激光波长光电流响应的调控，该方法中IGZO沟道和电极都借助掩膜版进行磁控溅射，重复性好且能够实现大面积多器件的制备，黑磷样品通过机械剥离法制备，厚度和尺寸均可控制，异质结的制备利用干法转移技术，操作简单，可控性强。该发明有利于推动IGZO薄膜在微纳领域和半导体行业的发展。
-
-
公开(公告)号：CN118676246A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410686676.4
申请日：2024-05-30
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种基于拉伸断裂应变的短沟道器件及其制备方法与应用，方法包括如下步骤：将贴合有电极的柔性衬底固定在设置有千分尺的拉伸装置上拉伸，通过千分尺控制拉伸长度，所述电极被拉断，断裂的距离为0.1‑1μm；通过机械剥离法制备二维半导体材料薄层；将被拉断的电极和二维半导体材料薄层二者择一作为底部材料转移到第一硅基衬底上，并将所述二者中的另一个作为顶部材料贴覆在所述底部材料上，得到短沟道器件。本发明短沟道器件的制备方法不依赖微纳加工和工艺控制技术，通过拉伸装置拉断电极，并通过千分尺控制沟道长度，获得0.1‑1μm的短沟道器件；制备方法简单、且可进行大批量处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114695597A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210269277.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/26 , C23C14/30 , H01L31/0296 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲化钼的同质异相光电探测器的制备方法及其应用手段，属于半导体器件领域。本发明所述的制备碲化钼同质异相光电探测器的方法包括如下步骤：先通过机械剥离与转移技术将MoTe2转移至硅基衬底上；之后通过光刻将MoTe2的两端暴露在环境中；接着使用氧气等离子体处理被光刻胶覆盖的MoTe2衬底，其中MoTe2两端发生相变而沟道处未发生相变；最后在两端蒸镀电极，得到所述的碲化钼同质异相光电探测器。本发明所述的碲化钼同质异相光电探测器的应用包括如下领域：载流子迁移率、开关比、不同波长可见光及940nm近红外光下的光电流及光响应。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器具有高迁移率、高开关比、高光电流及高响应度的性能。
-
公开(公告)号：CN111081820B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201911421184.8
申请日：2019-12-31
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336
Abstract: 本发明公开了一种基于二维黑磷材料实现IGZO光电流调控的方法，属于半导体器件领域。本发明提出了一种利用干法转移技术制备IGZO‑黑磷异质结构的方法，并且通过改变IGZO与黑磷之间的接触方式，可以实现IGZO对不同激光波长光电流响应的调控，该方法中IGZO沟道和电极都借助掩膜版进行磁控溅射，重复性好且能够实现大面积多器件的制备，黑磷样品通过机械剥离法制备，厚度和尺寸均可控制，异质结的制备利用干法转移技术，操作简单，可控性强。该发明有利于推动IGZO薄膜在微纳领域和半导体行业的发展。
-
公开(公告)号：CN110820047B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911163336.9
申请日：2019-11-25
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种二维原子晶体分子超晶格的制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：将过渡金属硫族化合物薄层样品水平放置于由平面式螺旋电感天线产生的非平行板式电容耦合等离子体的等离子体腔室中，或垂直放置于由两平行板电极产生的电容耦合等离子体的等离子体腔室中，在低压环境下通入氧气，打开射频电源产生温和氧气等离子体，对过渡金属硫族化合物薄层样品进行等离子体插层处理，该方法在常温下调控过渡金属硫族化合物的插层程度来构造二维原子晶体分子超晶格，反应条件温和，操作简单，可控性强，环保无污染，成本低、插层均匀，可以实现大面积的插层，实用性较强。
-
公开(公告)号：CN118804672A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410767766.6
申请日：2024-06-14
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒调制的多态存储器及其制备方法与应用，方法包括如下步骤：在衬底的同一表面刻蚀两个电极区域；在所述电极区域蒸镀底部电极，所述底部电极的厚度与所述电极区域的深度一致；通过PDMS干法转移将ReS2薄膜转移到所述底部电极上，得到所述多态存储器。本发明基于肖特基势垒调控实现光电可编程ReS2存储器制备，实现了大的肖特基势垒调制，有效的抑制了光生电子和空穴重新再复合和氧气修复，易于存储状态的稳定及更长时间的保持；不同的激光强度/时间或者不同的激光脉冲次数刺激后分别对应了不同的电导值，通过调制光脉冲强度和宽度，实现多个存储状态，且每一个状态区分度大，可以实现有效的多位存储。
-
公开(公告)号：CN116033823A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310081950.0
申请日：2023-01-17
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于In/Au电极的硒化铟忆阻器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备铟金电极的铟硒忆阻器的方法包括如下步骤：先利用机械剥离技术分别得到少层的InSe和h‑BN薄膜；之后通过干法转移技术将h‑BN薄膜转移至干净的衬底表面，再用转移平台将少层InSe转移到h‑BN正上方；最后蒸镀电极，得到所述的铟硒忆阻器。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器兼有存储窗口大、稳定性好、较长持久性等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.023 seconds)
