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公开(公告)号：CN118533306A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410678633.1
申请日：2024-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01J9/02
Abstract: 本发明提供一种基于频率疏的双频激光干涉测量系统的相位解算方法。所述方法为：参考信号和测量信号经过模数转换后分别经过混频滤波模块、反正切模块、相位累加模块、速度补偿模块进行相位解算。对于测量信号，在多普勒频移的影响下，频率随被测目标速度而变化，因此需要用到AFC模块对测量信号中由多普勒频移引起的变化频率进行实时测量，利于相位的解算。本发明可以实时测量出多普勒频移对应的频率变化，以便在混频后能够有效的滤出所需信号，减小噪声的干扰，从而减小相位解算的误差。
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公开(公告)号：CN111162354B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010049203.5
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本发明电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。
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公开(公告)号：CN119819325A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411578626.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CuInS2/C3N5光催化材料，涉及其水溶液制备方法及应用。其制备方法步骤为：采用水相一锅法制备CuInS2量子点溶液；制备C3N5光催化材料，以较为简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物。该CuInS2/C3N5光催化材料具有明显的激子吸收和超小尺寸及水溶热分散特征。可应用于光催化、光电催化、电催化、发光二极管、太阳能电池及光电传感等领域。
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公开(公告)号：CN109188730A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811178507.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提出一种宽带太赫兹调制系统，包括第一激光发射器、第二激光发射器、太赫兹波发射器和调制器，第一激光发射器发出第一激光束照射到调制器的一面并形成第一光斑；第二激光发射器发出第二激光束照射到调制器的另一面并形成第二光斑；太赫兹波发射器发出太赫兹波入射到调制器的其中一面并形成第三光斑；第三光斑与所述第一光斑或第二光斑至少部分重叠。本发明用两束激光分别照射样片两个表面，光热效应使相变材料二氧化钒由绝缘态向金属态转变，从而实现对太赫兹波透射强度的大深度调制。本发明能在较低的光功率下可实现宽频、大深度和快速调制，该方法制作的太赫兹调制器在未来快速全光控制的太赫兹通信中具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN106058390A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610536610.2
申请日：2016-07-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/20
Abstract: 本发明为一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带阻滤波器，硅基底的通孔上为二维阵列，上方进入的太赫兹波穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。阵列单元包括倒梯形环结构和一字形结构，倒梯形环长底边在上、短底边在下，中空部位也为梯形，一字形与梯形环短底边相对且平行；可动框架套在二维阵列外，框架左右连接静电梳齿驱动器的活动梳齿，阵列中同一行的倒梯形环结构或一字形结构连接框架内侧，框架前后侧连接梳齿驱动器的活动梳齿。直流电压驱动静电梳齿驱动器和梳齿驱动器工作，带动可动框架移动，倒梯形环结构和一字形结构相对运动，改变间距，调节本带阻滤波器的透射功率和中心频率，显著提高了太赫兹带阻滤波器的性能，并拓展其应用范围。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN118036464A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410248074.0
申请日：2024-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/084
Abstract: 本发明提供了一种基于多层感知机的任意光谱点逆向设计超表面系统。其特征在于：包括极值计算模块1，光谱特征点选择模块2，多层感知机预测模块3以及铝棒贴片阵列透射型超表面4。本发明利用计算拆分来近似导数，从而寻找极值点附近的单个点作为代表性开口位置的光谱特征点。本发明采用多层感知机(MLP)作为预测网络3，每个神经元通常都使用非线性激活函数，可以更好地拟合复杂的数据分布，在处理复杂数据集和任务时具有更高的适应能力。同时，MLP可以自动地从原始数据中学习到更高层次的特征表示，有助于提取数据中的关键特征，并减轻特征工程的负担。本发明适用于根据任意频率点设计元表面参数，以实现快速高效的元表面设计。
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公开(公告)号：CN117920269A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410012037.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/30 , B01J27/24 , B01J35/39 , B01J37/08 , B01J35/50 , G21F9/06 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种Cd‑ZIF衍生的S型g‑C3N4@CdS核壳异质结制备及其光催化铀酰还原应用，其制备方法包含：将一定量的尿素充分研磨，置于带盖坩埚中，放入马弗炉中煅烧制备g‑C3N4；将Cd离子和g‑C3N4前驱体溶液在室温搅拌条件下加入到2‑甲基咪唑前驱体溶液中，得到g‑C3N4@Cd‑ZIF；将g‑C3N4@Cd‑ZIF、硫前驱体和有机溶剂按照比例混合，室温搅拌1h后置于水热釜中加热反应一定时间获得g‑C3N4@CdS核壳异质结。本发明以Cd‑ZIF为前驱体，制备了g‑C3N4@CdS核壳异质结，该催化剂具有优异的光催化铀酰还原能力和光催化降解盐酸四环素的能力。
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公开(公告)号：CN117903444A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311709241.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C08G83/00 , B01J20/26 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F103/08
Abstract: 本发明涉及吸附技术领域，具体涉及一种Cu修饰UiO‑66的制备方法及其应用，包括以下步骤：(1)将ZrCl4和对苯二甲酸加入DMF中混合，加入HAc得到混合溶液；(2)混合溶液超声处理结晶，过滤干燥得到UiO‑66白色晶体，(3)将二水合氯化铜(CuCl2·2H2O)/二水合硝酸铜(Cu(NO3)2·2H2O)加入DMF溶液中超声溶解，(4)UiO‑66晶体与步骤(3)中得到的溶液混合，反应结束后得到Cu修饰的UiO‑66吸附剂。该吸附剂对铀表现出超高的吸附效果，同时也解决了活性位点缺乏、吸附能力低等问题。
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公开(公告)号：CN115508315A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211157781.6
申请日：2022-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于自编码的超表面透射光谱预测系统，涉及到超表面结构电磁特性分析、深度学习及数据预处理等领域。它由1、光谱透射率转换模型2、AutoEncode(自编码)谱线预测模型3、结构参数—特征值预测模型组成。本发明是一种利用光谱学习谱线的人工智能学习系统，是一种基于谱线特征的学习。在很大程度上解决了传统神经网络(CNN)与超表面结构光谱预测结合过程中的因结构参数与电磁特性谱线数量级不匹配，而导致的学习效果差、模型不稳定、泛化能力弱等问题。从本发明可根据超表面的结构修改参数，达到预测该结构任意参数下的透射谱的效果，可广泛用于深度学习与超表面结合的相关电磁特性分析。
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