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公开(公告)号：CN119667975A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510067678.X
申请日：2025-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光控超高Q值的太赫兹超表面调制器，包括透射基底层与频率控制结构；所述频率控制结构叠置于透射基底层的上表面；所述频率控制结构包括表面周期结构；所述表面周期结构由多个呈规则矩阵排列的透射单元组成。本发明通过控制外部激光对调制器的光敏材料层施加激光脉冲，使其产生大量光激发自由载流子，构成周期单元谐振器，实现特定频带下对透射太赫兹波品质因子Q值的调控。与现有技术相比，本发明可在超窄频率下实现超高品质因子并调控，适用于不同场合，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN111162354A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010049203.5
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本发明电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。
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公开(公告)号：CN119804371A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510003198.7
申请日：2025-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3504 , G01N21/3586
Abstract: 本发明涉及太赫兹传感技术领域，公开了一种基于HKUST‑1修饰的太赫兹超表面传感器检测痕量对二甲苯气体的方法。首先，将HKUST‑1修饰到传感器表面，随后将修饰后的传感器放置在气室内，再测试修饰后传感器空载时的太赫兹光谱，最后分别将不同浓度的对二甲苯气体通入气室，同时用光谱系统采集不同浓度的响应光谱；进一步地，对比所述空载时的太赫兹光谱与所述响应光谱，根据光谱的频移量建立关系式；进一步的，按照上述操作方法，对比了传感器对相同浓度的其它种类气体样本的响应光谱来验证传感器的选择性。本发明的一种基于HKUST‑1修饰的超表面传感器检测痕量对二甲苯气体的方法，在室温下操作简单，灵敏性和选择性的对二甲苯气体检测领域有着重要应用价值。
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公开(公告)号：CN119695414A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411930556.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明为一种基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，由高阻硅基底和其上的二维阵列构成。每个阵列单元包含3个沿着竖直方向并排的矩形金属框以及3个嵌入其内部的石墨烯矩形框、3组矩形金属块和2个矩形金属块。每组矩形金属块4个，两两排列于石墨烯矩形框上下两边。2个矩形金属块分别连接于阵列单元左右两侧中部。两个引出电极位于二维阵列两侧，分别与直流电源的正、负极相连接。当偏置电压增加时，透过移相器产生的太赫兹波吸收峰逐渐向低频移动，在吸收峰的右侧会产生宽频、大相移。本发明的电控太赫兹宽频大相移动态移相器制作成本低，响应速度快，在太赫兹相控阵雷达、宽带无线通信等领域有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN119414610A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411760110.8
申请日：2024-12-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种光控宽带全偏振态的偏振转换器，包括偏振控制层和透射基底层；偏振控制层由多个周期透射单元呈规则矩阵相贴排列而成；每个周期透射单元均由处于单元外围的口字形结构、处于单元中部的阶梯形结构、处于单元左后对角上的阶梯形镂空、以及处于单元右前对角上的L形镂空构成。本发明通过控制外部激光对偏振转换器的光敏材料层施加激光脉冲，使其产生大量光激自由载流子，构成周期单元谐振器，实现特定频带下对太赫兹波的偏振调控。此外，本发明仅需通过调整入射的太赫兹波频率，便能够实现太赫兹波的全偏振态转换，以适用于不同场合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114813625A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210312704.7
申请日：2022-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/59
Abstract: 本发明涉及太赫兹技术领域，尤其涉及一种基于多谐振峰太赫兹超材料的多参数传感评价方法，首先设置了两个结构均是通过微加工工艺在硅基底上用铝制成的不对称开口的单环和三环结构，再利用FDTD分析了两种结构各谐振峰的形成机理和传感效果分析，并利用两个结构进行了维生素B6以及维生素B6与蛋白质反应的传感实验，最后利用各谐振峰的品质因数作为加权系数获得多谐振峰超材料传感器的综合评价参数，进一步提出在二维平面内扫描附有被测介质的结构，获得平面内各点的综合因数、介电常数、介质及结构和太赫兹波的耦合因数等参数，较全面地评价传感性能，促进太赫兹超材料传感的实际应用。
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公开(公告)号：CN114034659A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111315446.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明涉及手性识别技术领域，具体公开了一种基于S型镜像结构太赫兹超材料的手性丝氨酸的鉴别方法，根据手性物质和超材料之间的相互作用，利用微加工工艺设计制作了一对S及其镜像结构，研究了结构对L‑丝氨酸和D‑丝氨酸的传感检测能力，实验表明R‑S结构对L‑丝氨酸的传感灵敏度大于D‑丝氨酸的传感灵敏度，也大于L‑S结构对L‑丝氨酸的传感灵敏度；该实验和设计首次通过普通太赫兹时域透射系统利用镜像结构的太赫兹超材料进行氨基酸的手性识别，实验过程简易、操作简单、灵敏度高，该方法对手性物质识别具有重要的参考价值。
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公开(公告)号：CN119695508A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411930274.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的太赫兹电场增强器件，由二氧化硅基底和位于其表面能实现太赫兹电场增强的超表面组成。超表面由周期性阵列金属结构组成，每个阵列单元包含1个口字形金属框，两个一字形金属条和两个“T”字形金属图案。口字形金属框位于阵列单元的正中央，两个一字形金属条分别与口字形金属框的左右两边中央相连。两个“T”字形金属图案分别与口字形金属框的上下两边垂直相交，两个“T”字形图案的水平臂平行，且在两臂之间有一条间隙。当间隙宽度小于100nm时，间隙中的太赫兹电场将显著增强。该增强效应源于超表面结构与入射太赫兹波的共振响应产生的强烈局部化效应。该太赫兹电场增强器件可应用于太赫兹波探测、成像、传感和通信等领域。
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公开(公告)号：CN118281515A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410499822.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种电热控的太赫兹正交模式多功能可调滤波器，由高阻硅层和频率控制层组成，频率控制层位于高阻硅层的上表面。频率控制层包括表面周期结构和引出结构。表面周期结构处于频率控制层的中部，由多个呈规则矩阵相贴排列的透射单元组成。每个透射单元均由金属贴片和热致相变贴片构成。引出结构处于频率控制层的相对外侧，由2个相互平行设置的电极贴片组成。本发明通过电极贴片对透射单元的金属贴片施加电压产生电致焦耳热，触发透射单元的热致相变贴片发生相变，使其从绝缘态(非金属态)转变为金属态，实现在特定频带下透射峰的调控，从而实现对太赫兹波TE模式和TM模式多频带的动态切换。
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公开(公告)号：CN119596573A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411930017.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种电控太赫兹双频相位调制器，包括蓝宝石基底和位于蓝宝石基底表面的超表面结构谐振阵列。每个谐振单元包括一个T形金属谐振器、一个倒T形金属谐振器及一个方形开口环谐振器。中间电控相变贴片镶嵌于T形谐振器和倒T形金属谐振器的间隙处，右侧电控相变贴片镶嵌于开口环谐振器开口处。超表面结构谐振阵列两侧各固定一电极，分别与直流电源的正、负极相连。本发明提供的相位调制器可以通过加电实现双频段、大带宽、100度以上的相位调制，可调最大相位超过140度。这种太赫兹双频相位调制器，在太赫兹相控阵雷达、太赫兹通信、太赫兹成像等领域具有广阔应用前景。
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