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公开(公告)号：CN115524769A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211157910.1
申请日：2022-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明提供的是一种基于主动调控的等离子体诱导透明和手性的超表面器件。其特征是：所述的主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件由若干个周期分布的单元结构1组成，每个单元结构1包括硅基底层2，金属开口环3，十字金属棒4，可调谐材料层5。本发明使用硅作为基底2的材料，使用金属铝作为开口环3和十字金属棒4的材料，金属开口环3的开口部分填充可调谐材料4。本发明利用可调谐材料的相变性质，通过改变可调谐材料的电导率最终实现器件等离子体诱导透明和手性超表面器件的切换，通过改变器件的外界环境条件，可以较为容易的实现对器件的功能的切换，同时该主动调控器件还具有结构简单，实用性强，偏振不敏感等优点。
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公开(公告)号：CN114678698A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210411230.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明涉及吸波器技术领域，具体涉及一种基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，包括多个太赫兹吸收器单元，多个太赫兹吸收器单元呈阵列分布，且相邻的太赫兹吸收器单元固定连接，每个太赫兹吸收器单元包括介质层、温控层和基底层，介质层、温控层和基底层从上到下依次堆叠。通过给基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器加热，改变温控层的物理性质，从而改变基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器的性能，实现对基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器吸收率的主动控制。
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公开(公告)号：CN112713412A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011522736.7
申请日：2020-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于微热板精确温控系统的超材料吸波器。其特征是：包括硅基微热板1和VO2超材料吸波器2；硅基微热板1由接触电极3、4、5、6，承重梁7、8、9、10，一字梁11、12，腐蚀窗口13，加热电阻14，支撑膜15组成；VO2超材料吸波器2由金属底板层16，硅基底层17，VO2层18，金属内开口环19，金属外开口环20和硅基座21组成。本发明可用于温控超材料器件，例如超材料开关、超材料分束器、超材料滤波器、超材料调制器、超材料吸波器等，可广泛用于无线通信、传感、医学检测和诊断等领域。
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公开(公告)号：CN118036464A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410248074.0
申请日：2024-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/084
Abstract: 本发明提供了一种基于多层感知机的任意光谱点逆向设计超表面系统。其特征在于：包括极值计算模块1，光谱特征点选择模块2，多层感知机预测模块3以及铝棒贴片阵列透射型超表面4。本发明利用计算拆分来近似导数，从而寻找极值点附近的单个点作为代表性开口位置的光谱特征点。本发明采用多层感知机(MLP)作为预测网络3，每个神经元通常都使用非线性激活函数，可以更好地拟合复杂的数据分布，在处理复杂数据集和任务时具有更高的适应能力。同时，MLP可以自动地从原始数据中学习到更高层次的特征表示，有助于提取数据中的关键特征，并减轻特征工程的负担。本发明适用于根据任意频率点设计元表面参数，以实现快速高效的元表面设计。
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公开(公告)号：CN115508315A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211157781.6
申请日：2022-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于自编码的超表面透射光谱预测系统，涉及到超表面结构电磁特性分析、深度学习及数据预处理等领域。它由1、光谱透射率转换模型2、AutoEncode(自编码)谱线预测模型3、结构参数—特征值预测模型组成。本发明是一种利用光谱学习谱线的人工智能学习系统，是一种基于谱线特征的学习。在很大程度上解决了传统神经网络(CNN)与超表面结构光谱预测结合过程中的因结构参数与电磁特性谱线数量级不匹配，而导致的学习效果差、模型不稳定、泛化能力弱等问题。从本发明可根据超表面的结构修改参数，达到预测该结构任意参数下的透射谱的效果，可广泛用于深度学习与超表面结合的相关电磁特性分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113120853A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110366294.X
申请日：2021-04-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种微米级硅基微热板精确温控系统。其特征是：所述的微米级硅基微热板精确温控系统由硅基底座1、加热电阻2，接触电极3、4、5、6，承重梁7、8、9、10，一字梁11、12，腐蚀窗口13，绝热层14组成。本发明使用多晶硅薄膜作为加热电阻2，多晶硅薄膜相对于金属导体具有较高的电阻值，可以保证在输入0V‑5V的电压下微米级硅基微热板的表面温度控制在0‑80℃的范围内。本发明使用二氧化硅薄膜作为绝热层14，因二氧化硅的具有较高硬度，可以稳定地支撑上部的加热电阻和加热器件，同时由于二氧化硅的低热导率可以有效地减少微热板的热损耗，起到保温隔热效果，也可增加微热板的灵敏度和使用寿命。本发明适用于基于二氧化钒等相变材料所制造的温控半导体器件，以实现温度的精准控制。
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公开(公告)号：CN112713412B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011522736.7
申请日：2020-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于微热板精确温控系统的超材料吸波器。其特征是：包括硅基微热板1和VO2超材料吸波器2；硅基微热板1由接触电极3、4、5、6，承重梁7、8、9、10，一字梁11、12，腐蚀窗口13，加热电阻14，支撑膜15组成；VO2超材料吸波器2由金属底板层16，硅基底层17，VO2层18，金属内开口环19，金属外开口环20和硅基座21组成。本发明可用于温控超材料器件，例如超材料开关、超材料分束器、超材料滤波器、超材料调制器、超材料吸波器等，可广泛用于无线通信、传感、医学检测和诊断等领域。
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公开(公告)号：CN115425424A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211157764.2
申请日：2022-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于耦合效应实现波前调控的超表面器件。其特征是：所述的波前控制的超表面器件主要由若干个单元结构1周期排列组成，每个单元结构1包括连续的金属层面2、介电隔离层3、两个C形环金属谐振器4和5。本发明使用金属铝作为金属层面2和C形环金属谐振器4、5的材料，使用柔性材料作为介电隔离层3的材料。本发明以两个C形环金属谐振器各自的中心点为旋转中心进行旋转，通过改变其旋转角度来调节耦合效应，最终实现对输出同极化、交叉极化方向的电磁波波前振幅和相位的同时调控。本发明仅改变两个C形环金属谐振器的旋转角度来调整耦合效应，无需改变谐振器的结构尺寸，进一步丰富了超表面的设计自由度。
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公开(公告)号：CN114583460A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210145415.2
申请日：2022-02-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及电磁超材料技术领域，具体涉及一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器，包括基底层、介质层、暗模谐振器和明模谐振器，介质层包括掺杂硅、二氧化铪和氧化铟锡层，掺杂硅、二氧化铪和氧化铟锡层由下至上依次堆叠于基底层和暗模谐振器之间，与其他结构实现及调节电磁诱导透明(EIT)而需要对每个结构单元单独设计参数的方法不同，可以在同一装置中实现动态调制，即通过外加电压控制氧化铟锡的介电常数从而控制整个结构的传输频谱，更易于实际应用。本发明有助于提高可调节电磁诱导透明效应的多样性和功能。
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公开(公告)号：CN217215088U
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202220905635.6
申请日：2022-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本实用新型涉及吸波器技术领域，具体涉及一种基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，包括多个太赫兹吸收器单元，多个太赫兹吸收器单元呈阵列分布，且相邻的太赫兹吸收器单元固定连接，每个太赫兹吸收器单元包括介质层、温控层和基底层，介质层、温控层和基底层从上到下依次堆叠。通过给基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器加热，改变温控层的物理性质，从而改变基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器的性能，实现对基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器吸收率的主动控制。
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