一种双有源桥变换器、双向直流变换模块及电源供应装置

    公开(公告)号:CN119296929A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411393460.5

    申请日:2024-10-08

    Abstract: 本公开涉及一种双有源桥变换器、双向直流变换模块及电源供应装置,所述双有源桥变换器包括依次排列拼接的多相变压器,每相变压器均包括第一绕线柱磁芯、第二绕线柱磁芯、第一非绕线柱磁芯、第二非绕线柱磁芯、原边绕组和副边绕组;其中,每相变压器中的第一绕线柱磁芯、第一非绕线柱磁芯、第二绕线柱磁芯和第二非绕线柱磁芯之间首尾连接,且第一绕线柱磁芯与第二绕线柱磁芯的位置相对,相邻两个变压器中,后一个变压器的第一非绕线柱磁芯与其前一个变压器的第二非绕线柱磁芯为同一个磁芯,每相变压器中的原边绕组绕制在该相变压器中的第一绕线柱磁芯上,每相变压器中的副边绕组绕制在该相变压器中的第二绕线柱磁芯上。

    一种集成化燃料电池DC/DC电源装置

    公开(公告)号:CN117498676A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311460762.5

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明提供一种集成化燃料电池DC/DC电源装置,包括布置于箱体内的功率板、至少一个电感组件、输出侧外围电路、电源板和水冷结构;所述功率板与燃料电池的输出连接;所述电感组件与所述功率板连接;所述输出侧外围电路与所述功率板连接;所述控制板远离所述电感组件设置,与所述功率板连接且二者叠放;所述电源板与控制电源和所述控制板连接;所述水冷结构包括设置于所述箱体一侧侧壁的进水口和出水口,冷却水从所述进水口进入所述箱体内部,经过所述电感组件和所述功率板后从所述出水口流出所述箱体,以对所述电感组件和所述功率板的冷却。本发明所提供的集成化燃料电池DC/DC电源装置采用水冷结构,无风道,箱体采用全密封结构,密封效果好。

    一种燃料电池DC/DC装置及氢能列车燃料电池系统

    公开(公告)号:CN117485145A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311454677.8

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明提供一种燃料电池DC/DC装置及氢能列车燃料电池系统。一种燃料电池DC/DC装置,包括:Buck/Boost模块,低压侧连接燃料电池和辅机,高压侧连接直流母线;高压侧预充电回路,连接于所述Buck/Boost模块和直流母线之间;其中,所述Buck/Boost模块在所述高压侧预充电回路完成预充电后切换至Buck工作模式,以将经直流母线电压降压为辅机所需的供电电压,使燃料电池启动;所述Buck/Boost模块在燃料电池启动后,切换至Boost工作模式,以将燃料电池的输出电压升压到直流母线电压为负载供电,同时燃料电池的输出电压还为辅机提供供电电压。本发明辅机的供电无需经过燃料电池DC/DC装置,有效提升了燃电系统的供电效率,且无需考虑辅机供电所带来的体积、重量及成本增加。

    一种有源栅极驱动控制电路和控制方法

    公开(公告)号:CN111262567A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201811453718.0

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种有源栅极驱动控制电路及控制方法。有源栅极驱动控制电路包括:驱动输出模块,其输入端接收驱动信号,其输出端连接功率半导体模块的栅极控制端,用于根据接收的驱动信号驱动功率半导体模块进行开关动作;主动控制模块,其输入端连接功率半导体模块的发射极或源极功率输出端,用于检测功率半导体模块的功率电流变化率,其输出端连接所述驱动输出模块的控制端,用于根据功率半导体模块的功率电流变化率与预设阈值的比较结果调节所述驱动输出模块提供给功率半导体模块的栅极控制端的电流,形成对功率半导体模块的功率电流变化率的负反馈控制。本发明使用简单的电路实现了对功率半导体模块的开关过程的功率电流变化率的优化控制。

    半导体模块及集成式双面冷却型半导体装置

    公开(公告)号:CN110071097A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201810067560.7

    申请日:2018-01-24

    Abstract: 本发明提供了一种半导体模块以及包含该半导体模块的集成式双面冷却型半导体装置。该半导体模块包括:半导体芯片组,包括至少四个半导体芯片;设置在半导体芯片组的第一侧面侧的第一衬板以及对应各半导体芯片的导电垫块;以及设置在半导体芯片组的第二侧面侧的第二衬板。其中,第一衬板上设置有分别与各导电垫块的第一侧面相触接的至少一个第一导电区域,导电垫块的第二侧面与对应的半导体芯片的第一信号端相触接,第二衬板上设置有分别与各半导体芯片的第二信号端相触接的至少一个第二导电区域、以及通过绑定线与各半导体芯片的第三信号端电连接的至少一个第三导电区域。这种结构,可以有效提高半导体模块的可靠性。

    一种磁元件损耗的测量方法及相关组件

    公开(公告)号:CN119246944A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411505416.9

    申请日:2024-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种磁元件损耗的测量方法及相关组件,涉及电力电子磁技术领域,包括控制加热器将磁元件加热至预设温度;确定磁元件及在磁元件的表面设置的均热块之间的温度差;控制激励源对磁元件进行激励;控制加热器的功率减小,以保持温度差不变;确定加热器减小的功率,加热器减小的功率与磁元件的损耗功率相等。当激励源对磁元件进行激励时,磁元件的损耗以热的形式散发,磁元件升温会提高与均热块之间的温度差,此时控制加热器的功率减小,在温度差恒定的条件下,加热器减小的功率与磁元件的功率相等,这样就可以确定磁元件的损耗功率,无需考虑磁元件的电气特性,利用磁元件产生的热量测量其损耗,得到的结果更加准确。

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