一种有源栅极驱动控制电路和控制方法

    公开(公告)号:CN111262567A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201811453718.0

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种有源栅极驱动控制电路及控制方法。有源栅极驱动控制电路包括:驱动输出模块,其输入端接收驱动信号,其输出端连接功率半导体模块的栅极控制端,用于根据接收的驱动信号驱动功率半导体模块进行开关动作;主动控制模块,其输入端连接功率半导体模块的发射极或源极功率输出端,用于检测功率半导体模块的功率电流变化率,其输出端连接所述驱动输出模块的控制端,用于根据功率半导体模块的功率电流变化率与预设阈值的比较结果调节所述驱动输出模块提供给功率半导体模块的栅极控制端的电流,形成对功率半导体模块的功率电流变化率的负反馈控制。本发明使用简单的电路实现了对功率半导体模块的开关过程的功率电流变化率的优化控制。

    半导体模块及集成式双面冷却型半导体装置

    公开(公告)号:CN110071097A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201810067560.7

    申请日:2018-01-24

    Abstract: 本发明提供了一种半导体模块以及包含该半导体模块的集成式双面冷却型半导体装置。该半导体模块包括:半导体芯片组,包括至少四个半导体芯片;设置在半导体芯片组的第一侧面侧的第一衬板以及对应各半导体芯片的导电垫块;以及设置在半导体芯片组的第二侧面侧的第二衬板。其中,第一衬板上设置有分别与各导电垫块的第一侧面相触接的至少一个第一导电区域,导电垫块的第二侧面与对应的半导体芯片的第一信号端相触接,第二衬板上设置有分别与各半导体芯片的第二信号端相触接的至少一个第二导电区域、以及通过绑定线与各半导体芯片的第三信号端电连接的至少一个第三导电区域。这种结构,可以有效提高半导体模块的可靠性。

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