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公开(公告)号:CN109755194A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201711059199.5
申请日:2017-11-01
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种集成半导体模块功率组件及其制作方法,功率组件包括:功率模块,其内封装有功率元件;安装于功率模块上表面的散热器一;安装于功率模块下表面的散热器二;安装于散热器一上表面的外壳一;安装于散热器一下表面的外壳二。散热器一与散热器二以压接方式与功率模块安装连接。散热器一与功率模块之间通过导热垫片一接触连接,功率模块与散热器二之间通过导热垫片二接触连接。本发明能够解决功率组件体积大、功率密度低、热阻大,不能满足应用领域对组件体积以及热性能要求的技术问题。
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公开(公告)号:CN109755194B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201711059199.5
申请日:2017-11-01
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种集成半导体模块功率组件及其制作方法,功率组件包括:功率模块,其内封装有功率元件;安装于功率模块上表面的散热器一;安装于功率模块下表面的散热器二;安装于散热器一上表面的外壳一;安装于散热器一下表面的外壳二。散热器一与散热器二以压接方式与功率模块安装连接。散热器一与功率模块之间通过导热垫片一接触连接,功率模块与散热器二之间通过导热垫片二接触连接。本发明能够解决功率组件体积大、功率密度低、热阻大,不能满足应用领域对组件体积以及热性能要求的技术问题。
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公开(公告)号:CN111669091A
公开(公告)日:2020-09-15
申请号:CN201910178266.8
申请日:2019-03-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电机直接转矩控制方法,该方法通过对转矩误差进行比例积分调节来补偿定子磁链矢量角的方法来得到双三相永磁同步电机系统中的转矩相关的电压空间矢量给定值,通过比例积分控制器和二倍频谐振控制器来减小双三相永磁同步电机系统中电机和逆变器的固有不对称导致的谐波电压,进而有效抑制了该谐波电压产生的谐波电流。通过六倍频谐振控制器来减小双三相永磁同步电机系统中逆变器非性线因素导致的谐波电压,进而有效抑制了该谐波电压产生的谐波电流,并且在参考电压空间矢量的计算过程中没有引入额外的电机参数,有效增强了对电机参数的鲁棒性。
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公开(公告)号:CN111262567A
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN201811453718.0
申请日:2018-11-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K17/042
Abstract: 本发明公开了一种有源栅极驱动控制电路及控制方法。有源栅极驱动控制电路包括:驱动输出模块,其输入端接收驱动信号,其输出端连接功率半导体模块的栅极控制端,用于根据接收的驱动信号驱动功率半导体模块进行开关动作;主动控制模块,其输入端连接功率半导体模块的发射极或源极功率输出端,用于检测功率半导体模块的功率电流变化率,其输出端连接所述驱动输出模块的控制端,用于根据功率半导体模块的功率电流变化率与预设阈值的比较结果调节所述驱动输出模块提供给功率半导体模块的栅极控制端的电流,形成对功率半导体模块的功率电流变化率的负反馈控制。本发明使用简单的电路实现了对功率半导体模块的开关过程的功率电流变化率的优化控制。
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公开(公告)号:CN110071097A
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201810067560.7
申请日:2018-01-24
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体模块以及包含该半导体模块的集成式双面冷却型半导体装置。该半导体模块包括:半导体芯片组,包括至少四个半导体芯片;设置在半导体芯片组的第一侧面侧的第一衬板以及对应各半导体芯片的导电垫块;以及设置在半导体芯片组的第二侧面侧的第二衬板。其中,第一衬板上设置有分别与各导电垫块的第一侧面相触接的至少一个第一导电区域,导电垫块的第二侧面与对应的半导体芯片的第一信号端相触接,第二衬板上设置有分别与各半导体芯片的第二信号端相触接的至少一个第二导电区域、以及通过绑定线与各半导体芯片的第三信号端电连接的至少一个第三导电区域。这种结构,可以有效提高半导体模块的可靠性。
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