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公开(公告)号：CN1493086A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN02805229.3
申请日：2002-11-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/3043 , H01L21/78 , Y10S438/977
Abstract: 使有由于外因而使粘贴力降低的粘贴层的粘贴胶带10介于其间，将半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上，在该状态下，研磨半导体晶片的背面，在研磨后的半导体晶片的背面，粘贴切割胶带，同时通过切割架支撑切割胶带的外周，由于使外因作用于粘贴层，而使粘贴层的粘贴力降低，所以不损伤半导体晶片或者半导体芯片，就可以取下板状物支撑部件和粘贴胶带。
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公开(公告)号：CN1496581A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03800051.2
申请日：2003-01-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/301 , B24B37/04
CPC classification number: B24B7/228 , B24B41/06 , H01L21/6838
Abstract: 使用至少由具有吸引区域(1)和框体(2)的吸盘(17)和磨削保持于吸盘(17)上的半导体单晶片(W)的磨削单元(30)构成的磨削装置磨削外径(D1)比吸引区域(1)小的半导体单晶片的情况下，将外径(D3)比半导体单晶片(W)的外径(D1)大且也比吸引区域(1)的外径(D2)大的半导体单晶片保护构件(3)贴附于半导体单晶片(W)的非磨削面上，将半导体单晶片保护构件(3)朝下地在吸引区域(1)保持半导体单晶体(W)的整个面，以磨削单元(30)磨削所保持的半导体单晶片(W)的露出面，可防止在半导体单晶体(W)的外周部分产生裂纹、缺口、断裂等。
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公开(公告)号：CN1799793B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610051340.2
申请日：2006-01-05
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供能够矫正在切断第一切断线群时产生的被加工物的变形、可以准确地切断第二切断线群的高压液喷射式切断装置。该高压液喷射式切断装置，在切断完被加工物的第一切断线群后，将被加工物载置在被加工物保持机构上，在进行第二切断线群的切断加工时，通过使高压液喷射机构相对于被加工物保持机构、在同一个X轴方向位置上只在Y轴方向上进行相对移动，以此切断第二切断线群。该高压液喷射式切断装置具有推出机构、定位部件和输送机构，所述推出机构将被加工物向X轴方向推出；所述定位部件抵住被推出机构推出的被加工物，将该被加工物卡定在规定位置上；所述输送机构使第二切断线被切断并分割成基片状的被加工物向Y轴方向移动。
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公开(公告)号：CN1799793A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200610051340.2
申请日：2006-01-05
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供能够矫正在切断第一切断线群时产生的被加工物的变形、可以准确地切断第二切断线群的高压液喷射式切断装置。该高压液喷射式切断装置，在切断完被加工物(35)的第一切断线群后，将被加工物(35)载置在被加工物保持机构(200)上，在进行第二切断线群的切断加工时，通过使高压液喷射机构相对于被加工物保持机构(200)、在同一个X轴方向位置上只在Y轴方向上进行相对移动，以此切断第二切断线群。该高压液喷射式切断装置具有推出部件(220)、定位部件(230)和输送机构(250)，所述推出部件(220)将被加工物(35)向X轴方向推出；所述定位部件(230)抵住被推出部件(220)推出的被加工物(35)，将该被加工物(35)卡定在规定位置上；所述输送机构(250)使第二切断线(359)被切断并分割成基片状的被加工物(35)向Y轴方向移动。
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