公开(公告)号：CN108231676B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201711305827.3

申请日：2017-12-11

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 田渕智隆 ,  曾砚琳

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/268

Abstract: 提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，并能够抑制器件的损伤。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：保护膜形成工序，形成将晶片(W)的正面整体包覆的保护膜(70)；激光照射工序，沿着间隔道(ST)照射激光(LB)而将功能层(72)去除，并使基板(71)露出；保护膜检测工序，对激光照射后的晶片上的多个器件(DV)区域中的保护膜的包覆状态进行检测；保护膜再形成工序，当在器件区域中存在未包覆保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将各器件区域覆盖；等离子照射工序，对晶片进行等离子照射；以及分割工序，通过沿着间隔道的切削对晶片进行分割。

公开(公告)号：CN108231676A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711305827.3

申请日：2017-12-11

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 田渕智隆 ,  曾砚琳

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B24B27/06 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327

Abstract: 提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，并能够抑制器件的损伤。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：保护膜形成工序，形成将晶片(W)的正面整体包覆的保护膜(70)；激光照射工序，沿着间隔道(ST)照射激光(LB)而将功能层(72)去除，并使基板(71)露出；保护膜检测工序，对激光照射后的晶片上的多个器件(DV)区域中的保护膜的包覆状态进行检测；保护膜再形成工序，当在器件区域中存在未包覆保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将各器件区域覆盖；等离子照射工序，对晶片进行等离子照射；以及分割工序，通过沿着间隔道的切削对晶片进行分割。