公开(公告)号：CN108630602A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810208636.3

申请日：2018-03-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 渡边义雄 ,  S·米兰 ,  冈崎健志 ,  高桥宏行 ,  西田吉辉 ,  熊泽哲

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供晶片的加工方法，能够不在晶片的一个面侧过度地进行蚀刻而将位于晶片的远离一个面的位置的加工应变及碎屑、改质层等去除。该晶片的加工方法包含对晶片提供等离子状态的蚀刻气体而将加工应变、碎屑或改质层去除的等离子蚀刻工序，在等离子蚀刻工序中，将在收纳晶片的真空腔室的外部变化为等离子状态的蚀刻气体通过与真空腔室连接的提供喷嘴而提供至真空腔室的内部。

公开(公告)号：CN106169408B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201610290762.9

申请日：2016-05-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 渡边义雄 ,  S·米兰 ,  高桥宏行 ,  关刚史

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置，其能够对被加工物的一部分选择性进行加工。等离子体蚀刻装置(2)包括：真空腔(4)；能够旋转的静电卡盘台(34)，其在真空腔内保持被加工物(11)；喷嘴(50)，其对被保持于静电卡盘台上的被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体(C)；喷嘴摆动单元(86)，其使喷嘴在静电卡盘台的对应于中心(A)的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹(B)的方式进行摆动；以及控制单元(48、88)，它们分别控制静电卡盘台的旋转量和喷嘴的位置，在与保持于静电卡盘台上的被加工物的任意的一部分对应的区域定位喷嘴。

公开(公告)号：CN106169408A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610290762.9

申请日：2016-05-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 渡边义雄 ,  S·米兰 ,  高桥宏行 ,  关刚史

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置，其能够对被加工物的一部分选择性进行加工。等离子体蚀刻装置(2)包括：真空腔(4)；能够旋转的静电卡盘台(34)，其在真空腔内保持被加工物(11)；喷嘴(50)，其对被保持于静电卡盘台上的被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体(C)；喷嘴摆动单元(86)，其使喷嘴在静电卡盘台的对应于中心(A)的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹(B)的方式进行摆动；以及控制单元(48、88)，它们分别控制静电卡盘台的旋转量和喷嘴的位置，在与保持于静电卡盘台上的被加工物的任意的一部分对应的区域定位喷嘴。

公开(公告)号：CN107026122A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610827032.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 田渕智隆 ,  渡边义雄 ,  S·米兰

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法。其包含：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了改质层形成工序和保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了分割工序的晶片的保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的保护膜去除。