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公开(公告)号：CN111941182B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202010381417.2
申请日：2020-05-08
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供加工装置，其抑制装置的大型化并且提高按压被加工物的外周部分的按压力。通过保持面(300)中的比晶片(W)靠外侧的部分(300a)、第1环状密封件(87)的外壁、板(83)的下表面(83a)以及第2环状密封件(88)的内壁而形成作为密室的环状空间(S)。另外，使用保持面的吸引力而使环状空间成为负压，从而通过大气压将板朝向保持面按压，并且通过第1环状密封件将晶片的外周部分按压至保持面。利用保持面(300)的吸引力和大气压将晶片(W)的外周部分按压至保持面且能够以低成本容易地提高将晶片(W)的外周部分按压至保持面(300)的按压力。(300)，因此能够抑制装置的大型化和重量化，并
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公开(公告)号：CN108296935B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201711442466.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供卡盘工作台和磨削装置，即使是有翘曲的板状工件，也能将其吸引保持在卡盘工作台的保持面上。卡盘工作台(10)具有：多孔板(11)，其具有对板状工件(W)进行吸引保持的保持面(11a)；以及框体(12)，其具有使保持面露出而对多孔板进行收纳的凹部(120)，框体具有：吸引孔(121)，其形成在凹部(120)的底面(120a)上，能够与吸引源(17)连通；以及水提供孔(124)，其在框体的上表面(123a)上开口而形成，能够与水提供源(19)连通，因此能够一边从水提供孔提供水而对板状工件的外周部(Wc)进行水封，一边利用保持面对板状工件进行吸引保持，因此即使是在外周部有翘曲的板状工件，也能够防止吸引力从卡盘工作台的保持面与板状工件的外周部之间泄漏，能够利用卡盘工作台可靠地对板状工件进行吸引保持。
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公开(公告)号：CN115990801A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211245852.8
申请日：2022-10-12
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 禹俊洙
IPC: B24B7/22 , B24B27/00 , B24B47/20 , B24B47/12 , B24B49/02 , B24B41/00 , B24B41/06 , B24B55/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供晶片的磨削方法和磨削装置，在对外周侧上翘的晶片进行磨削的情况下，将磨削后的晶片精加工成均匀的厚度。在第1磨削工序中，在将晶片(10)的外周部分支承于弹性部件(217)的状态下对晶片(10)进行磨削，削弱晶片(10)的要上翘的力，在之后的第2保持工序中，能够对晶片(10)的整个下表面进行吸引保持。并且，在第2磨削工序中，在对晶片(10)的整个下表面进行吸引保持的状态下进行磨削，因此能够将晶片(10)的包含外周部分在内的整个面精加工成平坦。因此，能够降低形成于晶片(10)的外周附近的器件(12)成为次品的风险。
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公开(公告)号：CN108296935A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711442466.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供卡盘工作台和磨削装置，即使是有翘曲的板状工件，也能将其吸引保持在卡盘工作台的保持面上。卡盘工作台(10)具有：多孔板(11)，其具有对板状工件(W)进行吸引保持的保持面(11a)；以及框体(12)，其具有使保持面露出而对多孔板进行收纳的凹部(120)，框体具有：吸引孔(121)，其形成在凹部(120)的底面(120a)上，能够与吸引源(17)连通；以及水提供孔(124)，其在框体的上表面(123a)上开口而形成，能够与水提供源(19)连通，因此能够一边从水提供孔提供水而对板状工件的外周部(Wc)进行水封，一边利用保持面对板状工件进行吸引保持，因此即使是在外周部有翘曲的板状工件，也能够防止吸引力从卡盘工作台的保持面与板状工件的外周部之间泄漏，能够利用卡盘工作台可靠地对板状工件进行吸引保持。
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公开(公告)号：CN111941182A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010381417.2
申请日：2020-05-08
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供加工装置，其抑制装置的大型化并且提高按压被加工物的外周部分的按压力。通过保持面(300)中的比晶片(W)靠外侧的部分(300a)、第1环状密封件(87)的外壁、板(83)的下表面(83a)以及第2环状密封件(88)的内壁而形成作为密室的环状空间(S)。另外，使用保持面的吸引力而使环状空间成为负压，从而通过大气压将板朝向保持面按压，并且通过第1环状密封件将晶片的外周部分按压至保持面。利用保持面(300)的吸引力和大气压将晶片(W)的外周部分按压至保持面(300)，因此能够抑制装置的大型化和重量化，并且能够以低成本容易地提高将晶片(W)的外周部分按压至保持面(300)的按压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110103131A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910071570.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供磨削研磨装置和磨削研磨方法，消除在磨削研磨装置中利用不同机构进行水封形成和保持工作台的冷却而导致装置结构大且复杂的情况。磨削研磨装置(1)具有保持单元(5)、磨削单元(30、31)和研磨单元(4)，保持单元具有多孔板(50)和框体(51)，多孔板具有晶片保持面，框体具有使保持面露出并对多孔板进行收纳的凹部(511a)，框体具有：吸引路(510)，其将框体的下表面(511b)与凹部底面连通，并使下表面侧与吸引源(59)连接；和连通路，其将下表面与凹部外侧的上表面连通，并使下表面侧与水提供源(57)连接，磨削研磨装置具有单元(9)，该单元对从连通路在上表面上开口而得的喷出口喷出水而在晶片与保持面之间形成水封的情况下的水量和对保持单元进行冷却的情况下的水量进行控制。
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公开(公告)号：CN117584039A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310973580.1
申请日：2023-08-03
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供卡盘工作台的制造方法，不分别单独地制造期望形状的多孔板，能够提高卡盘工作台的生产率。该卡盘工作台能够与至少两个面积或形状不同的被加工物对应地切换保持面的形状，其中，该卡盘工作台的制造方法包含如下的工序：多孔板粘接工序，以多孔板的上表面露出的状态使该多孔板收纳在框体的凹部中，并将该框体与该多孔板粘接；槽形成工序，在该多孔板中形成到达该凹部的底面的槽；以及树脂填充工序，使液态树脂填充于该槽并固化。
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公开(公告)号：CN111941213B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010385633.4
申请日：2020-05-09
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供磨削装置，其适当地搬送包含改质层的弯曲的晶片。在通过搬入机构(31)将暂放台(61)上的晶片(W)搬送至卡盘工作台时，通过吸引垫周吸引保持部(89)对晶片W的外周部分进行保持。由此，能够抑制晶片(W)的外周部分的下垂而牢固地保持晶片(W)。因此，即使晶片(W)弯曲，也能够良好地保持暂放台(61)上的晶片(W)而适当地搬送至卡盘工作台的保持面。因此，无需为了适当地搬送晶片(W)而对晶片(W)实施用于抑制弯曲的加工。其结果是，能够缩短晶片(W)的加工时间。(81)对晶片W的中央进行保持，并且通过多个外
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公开(公告)号：CN110103131B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910071570.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供磨削研磨装置和磨削研磨方法，消除在磨削研磨装置中利用不同机构进行水封形成和保持工作台的冷却而导致装置结构大且复杂的情况。磨削研磨装置(1)具有保持单元(5)、磨削单元(30、31)和研磨单元(4)，保持单元具有多孔板(50)和框体(51)，多孔板具有晶片保持面，框体具有使保持面露出并对多孔板进行收纳的凹部(511a)，框体具有：吸引路(510)，其将框体的下表面(511b)与凹部底面连通，并使下表面侧与吸引源(59)连接；和连通路，其将下表面与凹部外侧的上表面连通，并使下表面侧与水提供源(57)连接，磨削研磨装置具有单元(9)，该单元对从连通路在上表面上开口而得的喷出口喷出水而在晶片与保持面之间形成水封的情况下的水量和对保持单元进行冷却的情况下的水量进行控制。
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公开(公告)号：CN111941213A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010385633.4
申请日：2020-05-09
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供磨削装置，其适当地搬送包含改质层的弯曲的晶片。在通过搬入机构(31)将暂放台(61)上的晶片(W)搬送至卡盘工作台时，通过吸引垫(81)对晶片W的中央进行保持，并且通过多个外周吸引保持部(89)对晶片W的外周部分进行保持。由此，能够抑制晶片(W)的外周部分的下垂而牢固地保持晶片(W)。因此，即使晶片(W)弯曲，也能够良好地保持暂放台(61)上的晶片(W)而适当地搬送至卡盘工作台的保持面。因此，无需为了适当地搬送晶片(W)而对晶片(W)实施用于抑制弯曲的加工。其结果是，能够缩短晶片(W)的加工时间。
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