-
公开(公告)号：CN107026122A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610827032.8
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法。其包含：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了改质层形成工序和保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了分割工序的晶片的保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的保护膜去除。
-
公开(公告)号：CN114334814A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111098074.X
申请日：2021-09-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，即使实施等离子蚀刻而分割成器件芯片，也不会使氟元素残留在划片带上，能够消除在后续工序中成为污染源的问题。晶片的加工方法包含如下的工序：树脂膜覆盖工序，在晶片的上表面上覆盖水溶性树脂并且在露出于晶片与框架之间的划片带上覆盖水溶性树脂(P)，并使水溶性树脂固化，从而形成树脂膜；局部树脂膜去除工序，从晶片的待分割的区域将树脂膜去除而使晶片的上表面局部地露出；蚀刻工序，对晶片的待分割的区域实施等离子蚀刻而将晶片分割成各个芯片；以及全部树脂膜去除工序，对框架单元进行清洗而将树脂膜全部去除。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106169408B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201610290762.9
申请日：2016-05-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置，其能够对被加工物的一部分选择性进行加工。等离子体蚀刻装置(2)包括：真空腔(4)；能够旋转的静电卡盘台(34)，其在真空腔内保持被加工物(11)；喷嘴(50)，其对被保持于静电卡盘台上的被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体(C)；喷嘴摆动单元(86)，其使喷嘴在静电卡盘台的对应于中心(A)的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹(B)的方式进行摆动；以及控制单元(48、88)，它们分别控制静电卡盘台的旋转量和喷嘴的位置，在与保持于静电卡盘台上的被加工物的任意的一部分对应的区域定位喷嘴。
-
公开(公告)号：CN112289745A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010650925.6
申请日：2020-07-08
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，抑制晶片的外周的粘接带或环状框架被干蚀刻加工。晶片的加工方法具有如下的步骤：框架单元准备步骤，利用粘接带将晶片固定于环状框架的开口，准备框架单元；框架单元保持步骤，利用蚀刻腔室内的静电卡盘工作台隔着粘接带而对框架单元的晶片进行吸引保持；遮蔽步骤，利用罩部件将环状框架和粘接带的环状区域覆盖，相对于外部空间进行遮蔽；以及干蚀刻步骤，在实施了框架单元保持步骤和遮蔽步骤之后，向蚀刻腔室提供气体而对晶片进行干蚀刻。
-
公开(公告)号：CN108630602A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810208636.3
申请日：2018-03-14
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够不在晶片的一个面侧过度地进行蚀刻而将位于晶片的远离一个面的位置的加工应变及碎屑、改质层等去除。该晶片的加工方法包含对晶片提供等离子状态的蚀刻气体而将加工应变、碎屑或改质层去除的等离子蚀刻工序，在等离子蚀刻工序中，将在收纳晶片的真空腔室的外部变化为等离子状态的蚀刻气体通过与真空腔室连接的提供喷嘴而提供至真空腔室的内部。
-
公开(公告)号：CN112530801A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010972662.0
申请日：2020-09-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供被加工物的加工方法，能够抑制装置的大型化，并且被加工物能够将蚀刻中施加的高热排出。被加工物的加工方法从吸引路向保持面作用负压而利用卡盘工作台对被加工物进行吸引保持，使真空腔室内的气压减压至能够实现低压等离子且能够利用卡盘工作台对被加工物进行吸引保持的50Pa以上且5000Pa以下，一边对被加工物进行吸引保持一边向被加工物提供等离子状态的惰性气体，对配置于卡盘工作台的电极施加电压而利用卡盘工作台对被加工物进行静电吸附，提供等离子状态的加工用气体而对被加工物进行干蚀刻。
-
公开(公告)号：CN106169408A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610290762.9
申请日：2016-05-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置，其能够对被加工物的一部分选择性进行加工。等离子体蚀刻装置(2)包括：真空腔(4)；能够旋转的静电卡盘台(34)，其在真空腔内保持被加工物(11)；喷嘴(50)，其对被保持于静电卡盘台上的被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体(C)；喷嘴摆动单元(86)，其使喷嘴在静电卡盘台的对应于中心(A)的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹(B)的方式进行摆动；以及控制单元(48、88)，它们分别控制静电卡盘台的旋转量和喷嘴的位置，在与保持于静电卡盘台上的被加工物的任意的一部分对应的区域定位喷嘴。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.013 seconds)
