-
公开(公告)号：CN1791490A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013400.0
申请日：2004-05-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/12 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
Abstract: 一种衬底抛光设备，其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括：可旋转工作台(12)，其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫；光发射和接收装置(80，82)，其用于发射测量光，以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18)，并且接收来自半导体衬底(18)的反射光，以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜；以及供给通道(44)，其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。
-
公开(公告)号：CN102490112A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110416880.7
申请日：2007-10-05
IPC: B24B37/10 , B24B37/013 , H01L21/304
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
-
公开(公告)号：CN1791491B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480013882.X
申请日：2004-05-19
IPC: B24B49/12 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/12 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
Abstract: 一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56，58)。
-
公开(公告)号：CN117222497A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280031299.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 大田真朗
IPC: B24B37/005
Abstract: 本发明涉及研磨装置及研磨方法。研磨装置具备个别地控制多个压力室各自的压力的动作控制部(9)。动作控制部(9)以减少控制对象膜厚值与整个基板的平均膜厚值的差的方式，控制对应于特定位置的研磨头(1)的压力室内的压力。
-
公开(公告)号：CN1791491A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013882.X
申请日：2004-05-19
IPC: B24B49/12 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/12 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
Abstract: 一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56，58)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1445060A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03119891.0
申请日：2003-03-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B39/06 , H01L21/304
Abstract: 一种抛光装置，它包括：一抛光台；一抛光垫，被安装于抛光台上并在其上具有对待抛光工作件抛光的抛光面；一顶环，用于固定工作件并使工作件紧压抛光垫；及一光学传感器，其设置于抛光台中，用以测量形成于工作件上的薄膜之厚度。该抛光垫包括：一衬垫，有一孔界定于其中；一可透光窗口，其设置于孔内，用于使光可通过其中；及一支撑件，用于阻止可透光窗口凸出在抛光垫的抛光面上。
-
公开(公告)号：CN115668467A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180034939.8
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种不含阻挡金属的金属配线构造及其制造方法。该方法通过在形成有第一配线槽(1)和宽度大于第一配线槽(1)的第二配线槽(2)的绝缘层(3)上堆积金属间化合物(6)，而以金属间化合物(6)至少填满第一配线槽(1)，并进行平坦化工序，该平坦化工序将金属间化合物(6)研磨至绝缘层(3)露出为止，之后，进行高度调整工序，该高度调整工序将金属间化合物(6)和绝缘层(3)研磨至第一配线槽(1)内的金属间化合物(6)的高度达到规定的高度为止。
-
公开(公告)号：CN101413780B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810170337.1
申请日：2008-10-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: G01B7/105 , B24B37/042 , B24B49/105
Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。
-
公开(公告)号：CN101523565B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780037289.2
申请日：2007-10-05
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
-
公开(公告)号：CN101413780A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810170337.1
申请日：2008-10-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: G01B7/105 , B24B37/042 , B24B49/105
Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.016 seconds)
