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公开(公告)号:CN101523565B
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN200780037289.2
申请日:2007-10-05
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值,并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算,生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形;基于上述分光波形,选择反射强度成为极大值及极小值的波长;根据上述选择的波长上的反射强度,计算对于被加工面的特性值;将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点;在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
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公开(公告)号:CN102490112A
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201110416880.7
申请日:2007-10-05
IPC: B24B37/10 , B24B37/013 , H01L21/304
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值,并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算,生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形;基于上述分光波形,选择反射强度成为极大值及极小值的波长;根据上述选择的波长上的反射强度,计算对于被加工面的特性值;将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点;在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
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公开(公告)号:CN102490112B
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201110416880.7
申请日:2007-10-05
IPC: B24B37/10 , B24B37/013 , H01L21/304
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值,并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算,生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形;基于上述分光波形,选择反射强度成为极大值及极小值的波长;根据上述选择的波长上的反射强度,计算对于被加工面的特性值;将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点;在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
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公开(公告)号:CN101523565A
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200780037289.2
申请日:2007-10-05
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值,并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算,生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形;基于上述分光波形,选择反射强度成为极大值及极小值的波长;根据上述选择的波长上的反射强度,计算对于被加工面的特性值;将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点;在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
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公开(公告)号:CN1791490A
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN200480013400.0
申请日:2004-05-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/12 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
Abstract: 一种衬底抛光设备,其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括:可旋转工作台(12),其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫;光发射和接收装置(80,82),其用于发射测量光,以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18),并且接收来自半导体衬底(18)的反射光,以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜;以及供给通道(44),其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。
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公开(公告)号:CN101530983B
公开(公告)日:2011-03-16
申请号:CN200910133188.6
申请日:2003-10-15
IPC: B24B49/12 , B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 一种抛光状态监测装置,包括:光源;发光单元,设置在具有抛光表面的抛光台中,用于将光从光源施加到工件之被抛光的表面;光接收单元,设置在抛光台中,用于接收来自工件表面的反射光;分光镜单元,用于将由光接收单元接收的反射光分开成多条光线;多个光接收元件,用于检测由分光镜单元分开的多条光线和累积检测的多条光线;光谱数据产生器,用于读取由光接收元件累积的信息,以及产生反射光的光谱数据;控制单元,用于控制光接收元件,以在抛光台旋转时执行采样处理;以及处理器,用于根据包括乘法的计算来计算工件表面的预定特征值。
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公开(公告)号:CN1791491A
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN200480013882.X
申请日:2004-05-19
IPC: B24B49/12 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/12 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
Abstract: 一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56,58)。
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公开(公告)号:CN100488729C
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN200380101631.2
申请日:2003-10-15
IPC: B24B49/12
Abstract: 抛光状态监测装置测量工件之被抛光的表面的特征值,以确定抛光结束点的定时。抛光状态监测装置包括:发光单元,用于将来自光源的光施加到被抛光的工件的表面;光接收单元,用于接收来自工件之表面的反射光;分光镜单元,用于将由光接收单元接收的反射光分开成具有各自波长的多条光线,以及多个光接收元件,用于累积检测的光线作为电信息。抛光状态检测设备还包括:光谱数据产生器,用于读取通过光接收元件累积的电信息以及产生反射光的光谱数据;以及处理器,用于基于由光谱数据产生器产生的光谱数据来计算工件之表面上预定的特征值。
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公开(公告)号:CN1791491B
公开(公告)日:2010-04-28
申请号:CN200480013882.X
申请日:2004-05-19
IPC: B24B49/12 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/12 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
Abstract: 一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56,58)。
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公开(公告)号:CN1726116A
公开(公告)日:2006-01-25
申请号:CN200380101631.2
申请日:2003-10-15
IPC: B24B49/12
Abstract: 抛光状态监测装置测量工件之被抛光的表面的特征值,以确定抛光结束点的定时。抛光状态监测装置包括:发光单元,用于将来自光源的光施加到被抛光的工件的表面;光接收单元,用于接收来自工件之表面的反射光;分光镜单元,用于将由光接收单元接收的反射光分开成具有各自波长的多条光线,以及多个光接收元件,用于累积检测的光线作为电信息。抛光状态检测设备还包括:光谱数据产生器,用于读取通过光接收元件累积的电信息以及产生反射光的光谱数据;以及处理器,用于基于由光谱数据产生器产生的光谱数据来计算工件之表面上预定的特征值。
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