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公开(公告)号：CN111604809B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010106480.5
申请日：2020-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B57/02 , B24B49/10 , H01L21/67 , H01L21/321
Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
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公开(公告)号：CN111152127A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911081294.4
申请日：2019-11-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种涡流检测装置和使用了该涡流检测装置的研磨装置，该涡流检测装置使在被研磨物中形成的磁场更强。能够配置在形成有导电性膜的半导体晶片的附近的涡流检测装置(50)具有多个涡流传感器(56)。多个涡流传感器(56)相互配置在附近。多个涡流传感器(56)分别具有：罐形芯(60)；励磁线圈，该励磁线圈配置于罐形芯(60)，且能够在导电性膜中形成涡流；以及检测线圈，该检测线圈配置于罐形芯(60)，且能够检测在导电性膜中形成的涡流。
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公开(公告)号：CN107710024A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038444.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G01V3/10
Abstract: 本发明提供一种金属检测用传感器，该金属检测用传感器是能够通过电磁感应检测法检测出微小金属异物的小型化的金属检测用传感器。用于对在通路(18)中移动的检查对象物所包含的金属(14)进行检测的金属检测用传感器(20)具有：产生静磁场的磁铁(24、26)；及对金属(14)生成的磁场(28)进行检测的线圈(30)。磁铁(24、26)位于线圈(30)的轴向上的线圈(30)的外部，线圈(30)位于连结磁铁(24、26)的N极与S极的轴向上的磁铁(24、26)的外部，磁铁(24、26)与线圈(30)面对。
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公开(公告)号：CN104608055B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410605525.8
申请日：2014-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B53/017 , B24B37/013
CPC classification number: B24B49/105 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L21/12 , H01L21/30625 , H01L21/67253 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供一种能够进行准确的研磨进度监视的研磨装置及研磨方法。研磨装置具有：支持研磨垫(1)的研磨台(2)；使研磨台(2)旋转的台用电动机(6)；顶环(3)，所述顶环(3)将基板按压在研磨垫(1)上并研磨该基板；修整器(26)，所述修整器(26)在基板的研磨过程中一边在研磨垫(1)上摇动，一边对研磨垫(1)进行修整；过滤装置(35)，所述过滤装置(35)将具有相当于修整器(26)的摇动周期的频率的振动成分从台用电动机(6)的输出电流信号中去除；以及研磨监视装置(40)，所述研磨监视装置(40)基于去除了振动成分的输出电流信号，对基板的研磨的进度进行监视。
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公开(公告)号：CN1809444A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480017029.5
申请日：2004-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/105 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。
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公开(公告)号：CN112171503B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010624838.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种涡电流传感器和研磨装置，该涡电流传感器比公知技术改善了在晶片的边缘区域检测膜厚精度。用于测定形成于基板的导电性膜的膜厚的涡电流传感器具有：作为磁性体的磁芯(136)，其具有：基部(120)，及分别在基部(120)的第一方向(122)的两端部(186)设于基部(120)的外脚(134)；励磁线圈，其配置于磁芯(136)，用于在导电性膜中形成涡电流；及检测线圈，其配置于磁芯(136)，用于检测形成于导电性膜中的涡电流。基部(120)在第一方向(122)的长度，大于基部(120)在与第一方向(122)实质地正交的第二方向(148)的长度。
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公开(公告)号：CN114536214A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111413479.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/34 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/10 , B24B49/10 , B24B49/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种对周围环境的变化与过去相比更不易受到影响的涡电流传感器及研磨装置。用于检测可生成于晶片的涡电流的涡电流传感器(50)具有作为磁性体的磁芯(136)。磁芯(136)具有：基部(120)；在基部(120)的第一方向(122)的中央且设于基部(120)的中央壁(144)；及在基部120的第一方向(122)的两端部，分别设于基部(120)的端部壁(134)。涡电流传感器(50)具有：配置于端部壁(134)，且可在晶片上生成涡电流的励磁线圈(62)；及配置于中央壁(144)，且用于检测涡电流的检测线圈(63)。
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公开(公告)号：CN109719612B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201811288557.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种减少电流传感器的计量结果在多个研磨装置间的差异的研磨装置、研磨系统、基板处理装置以及研磨方法。电流检测部检测摆动轴马达(14)的电流值而生成第一输出。第一处理部使用表示由顶环施加于半导体晶片的面压与第一输出之间的对应关系的第一数据，根据第一输出求出与第一输出相对应的面压。第二处理部使用表示由第一处理部获得的面压与第二输出之间的对应关系的第二数据，而求出与由第一处理部获得的面压相对应的第二输出。
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公开(公告)号：CN111604809A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010106480.5
申请日：2020-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B57/02 , B24B49/10 , H01L21/67 , H01L21/321
Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
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