公开(公告)号：CN101593738A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910203111.1

申请日：2009-05-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 千叶原宏幸 ,  石井敦司 ,  和泉直生 ,  松本雅弘

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。

公开(公告)号：CN101364569A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810129847.4

申请日：2008-08-07

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 上野修一 ,  古田阳雄 ,  松田亮史 ,  福村达也 ,  长谷川森 ,  平野真也 ,  千叶原宏幸 ,  大下博史

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/22 ,  H01L23/522 ,  G11C11/02 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明涉及磁性存储器的制造方法及磁性存储器。本发明提供一种磁性存储器。能够降低TMR元件的写入电流的偏差，可靠性高并能够实现小型化。包含TMR元件的磁性存储器的制造方法包括：形成下层布线层的工序；在该下层布线层上形成层间绝缘层的工序；在该层间绝缘层上以露出该下层布线层的方式形成开口部的工序；以覆盖该层间绝缘层和该开口部的内表面的方式形成阻挡金属层的工序；以埋入该开口部的方式在该阻挡金属层上形成金属层的工序；将该阻挡金属层用作停止部，研磨除去该阻挡金属层上的该金属层，形成包含埋入该开口部的金属层和该阻挡金属层的布线层的研磨工序；以及在该布线层上制作TMR元件的元件制作工序。