公开(公告)号：CN101364569A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810129847.4

申请日：2008-08-07

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 上野修一 ,  古田阳雄 ,  松田亮史 ,  福村达也 ,  长谷川森 ,  平野真也 ,  千叶原宏幸 ,  大下博史

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/22 ,  H01L23/522 ,  G11C11/02 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明涉及磁性存储器的制造方法及磁性存储器。本发明提供一种磁性存储器。能够降低TMR元件的写入电流的偏差，可靠性高并能够实现小型化。包含TMR元件的磁性存储器的制造方法包括：形成下层布线层的工序；在该下层布线层上形成层间绝缘层的工序；在该层间绝缘层上以露出该下层布线层的方式形成开口部的工序；以覆盖该层间绝缘层和该开口部的内表面的方式形成阻挡金属层的工序；以埋入该开口部的方式在该阻挡金属层上形成金属层的工序；将该阻挡金属层用作停止部，研磨除去该阻挡金属层上的该金属层，形成包含埋入该开口部的金属层和该阻挡金属层的布线层的研磨工序；以及在该布线层上制作TMR元件的元件制作工序。

公开(公告)号：CN1964017A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610146319.0

申请日：2006-11-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 平野真也 ,  须藤敬己 ,  今泉铁德 ,  吉田育弘

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/2885 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供不需复杂的工序，以低成本即可充分抑制Cu膜缺陷产生的Cu布线形成方法。本发明的Cu布线形成方法包括通过镀敷在晶片上形成Cu膜的工序，进行了上述镀敷之后、在上述Cu膜表面进行防腐剂处理的工序，进行了上述防腐剂处理之后、对上述Cu膜退火的工序。还可以在进行了上述镀敷之后，将上述晶片保管在非氧化环境中。