公开(公告)号：CN101567419A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910135057.1

申请日：2009-04-22

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 村田龙纪 ,  辻内干夫 ,  松田亮史

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种能够形成具有良好绝缘性能的氮化硅膜作为MTJ元件的保护膜而没有使MTJ元件的性能恶化的半导体器件制备方法。本发明的方法包括以下步骤：在使用平行板等离子体CVD装置作为膜形成装置以及不含NH3而是由SiH4/N2/氦(He)组成的膜形成气体之时在包括MTJ元件部分(MTJ元件和上电极)的整个表面上方形成氮化硅膜。将膜形成温度设置为从200到350℃。更理想地，将He与SiH4的流速比设置为从100到125。

公开(公告)号：CN101364569A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810129847.4

申请日：2008-08-07

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 上野修一 ,  古田阳雄 ,  松田亮史 ,  福村达也 ,  长谷川森 ,  平野真也 ,  千叶原宏幸 ,  大下博史

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/22 ,  H01L23/522 ,  G11C11/02 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明涉及磁性存储器的制造方法及磁性存储器。本发明提供一种磁性存储器。能够降低TMR元件的写入电流的偏差，可靠性高并能够实现小型化。包含TMR元件的磁性存储器的制造方法包括：形成下层布线层的工序；在该下层布线层上形成层间绝缘层的工序；在该层间绝缘层上以露出该下层布线层的方式形成开口部的工序；以覆盖该层间绝缘层和该开口部的内表面的方式形成阻挡金属层的工序；以埋入该开口部的方式在该阻挡金属层上形成金属层的工序；将该阻挡金属层用作停止部，研磨除去该阻挡金属层上的该金属层，形成包含埋入该开口部的金属层和该阻挡金属层的布线层的研磨工序；以及在该布线层上制作TMR元件的元件制作工序。

公开(公告)号：CN101162755A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200610147028.3

申请日：2006-11-13

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古田阳雄 ,  松田亮史 ,  上野修一 ,  黑岩丈晴

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  H01L27/105 ,  H01L21/822 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，这种半导体器件具有包括TMR膜的存储单元，利用它不会使存储器精度退化。在平面图中数字线的形成区的部分中的TMR下电极上相对应的区内，选择地形成TMR元件(TMR膜、TMR上电极)。TMR上电极由30nm至100nm的Ta形成，并且在制造过程时还起硬掩模的作用。在TMR元件的整个表面和TMR下电极的上表面上形成由LT－SiN形成的夹层绝缘膜，并且形成覆盖包括TMR下电极的侧表面的整个表面而且包括LT－SiN的夹层绝缘膜。形成覆盖整个表面而且包括SiO2的夹层绝缘膜。