成膜装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101027423B

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200580032075.7

    申请日:2005-08-29

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置,该成膜装置可抑制基板上升到规定温度以上、可高效率地连续地在基板的两面上进行溅射成膜。在经过压力调整的成膜室(2)内,通过驱动电动机(8)的驱动,一面使旋转滚筒(7)旋转、一面用施加了直流电压或交流电压或高频电压的外面用负极(17a、17b)在保持于基板保持架(10)上的基板托盘(13)上的基板(12)表面上进行成膜,同时,用施加了直流电压或交流电压或高频电压的内面用负极(14a、14b)在保持于基板保持架(10)上的基板托盘(13)上的基板(12)背面上进行成膜,通过这样,可抑制基板上升到规定温度以上、可高效率地连续地在基板(12)的两面上进行良好的溅射成膜。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN106715751B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201580038502.6

    申请日:2015-07-28

    Abstract: 基板处理装置(10)具备:等离子生成部,其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子;冷却部(20),其隔着冷却空间(55)与基板相对,并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26);工艺气体供给部(30),其向冷却部(20)供给工艺气体;以及连通部(56),其连通冷却空间(55)和等离子生成空间,用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。

    成膜装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101027423A

    公开(公告)日:2007-08-29

    申请号:CN200580032075.7

    申请日:2005-08-29

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置,该成膜装置可抑制基板上升到规定温度以上、可高效率地连续地在基板的两面上进行溅射成膜。在经过压力调整的成膜室(2)内,通过驱动电动机(8)的驱动,一面使旋转滚筒(7)旋转、一面用施加了直流电压或交流电压或高频电压的外面用负极(17a、17b)在保持于基板保持架(10)上的基板托盘(13)上的基板(12)表面上进行成膜,同时,用施加了直流电压或交流电压或高频电压的内面用负极(14a、14b)在保持于基板保持架(10)上的基板托盘(13)上的基板(12)背面上进行成膜,通过这样,可抑制基板上升到规定温度以上、可高效率地连续地在基板(12)的两面上进行良好的溅射成膜。

    基板处理装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107109618B

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201680004832.8

    申请日:2016-06-08

    Abstract: 基板处理装置,具备:阳极单元(17),包含第一板(23)和第二板(24)。第一板(23)包含多个第一贯穿孔(23a),通过使气体穿过第一贯穿孔流动,从而使气体往第一板(23)的面方向扩散。第二板(24)包含比第一贯穿孔(23a)大的多个第二贯穿孔(24a)。第二板(24)使穿过第一贯穿孔(23a)的气体穿过多个第二贯穿孔(24a),从而在第二板(24)与阴极载台之间流动。第二贯穿孔(24a)具有使各第二贯穿孔的内部的等离子发光强度高于在第二板(24)与阴极载台之间产生的等离子的发光强度的形状。

    基板处理装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107109618A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201680004832.8

    申请日:2016-06-08

    Abstract: 基板处理装置,具备:阳极单元(17),包含第一板(23)和第二板(24)。第一板(23)包含多个第一贯穿孔(23a),通过使气体穿过第一贯穿孔流动,从而使气体往第一板(23)的面方向扩散。第二板(24)包含比第一贯穿孔(23a)大的多个第二贯穿孔(24a)。第二板(24)使穿过第一贯穿孔(23a)的气体穿过多个第二贯穿孔(24a),从而在第二板(24)与阴极载台之间流动。第二贯穿孔(24a)具有使各第二贯穿孔的内部的等离子发光强度高于在第二板(24)与阴极载台之间产生的等离子的发光强度的形状。

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