公开(公告)号：CN102738296A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104811.7

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  东华隆株式会社

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  桧山耕作 ,  中筋智博 ,  滨口龙哉 ,  宫岛生欣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，其中，具有与石英制腔室相比易于加工的炉体，另外提供一种易于处置的腔室。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳有多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；及加热部，以包围上述反应管方式设置，其中，反应管的基材由不锈钢等金属材料形成，反应管的表面形成有多孔状涂膜，所述多孔状涂膜以氧化铬及氧化硅的混合物作为主要成分、且具有5％至15％的空隙率。

公开(公告)号：CN102738261B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210104813.6

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  宫博信

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，其中，具有与石英制的腔室相比易于加工的炉体。另外，本发明提供了与石英制的腔室相比易于加工的腔室。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳有多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；及加热部，以包围反应管的方式设置，其中，反应管的基材由不锈钢等金属材料形成。

公开(公告)号：CN105448637A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510535875.6

申请日：2015-08-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  丰田一行

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574

Abstract: 一种衬底处理装置、气体导入轴以及气体供给板。在进行衬底依次通过多个处理区域的工艺处理的情况下，设为可根据该工艺处理容易且简便地进行各处理区域的大小变更。衬底处理装置，具备：供衬底载置的衬底载置台；气体供给板，将处理空间划分成多个气体供给区域，设置有与各气体供给区域分别连通的气体分配管；以及气体导入轴，其具有多个气体导入管，并且构成为供气体供给板装配，各气体导入管分别经由在气体供给板装配时形成的圆环状的气体排出空间而与气体供给板中的气体分配管连通。

公开(公告)号：CN104160480A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280065144.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 吉田秀成 ,  国井泰夫 ,  西谷英辅 ,  平野光浩 ,  谷山智志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67754 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 提高衬底的加热效率而谋求衬底的升温时间的缩短。衬底处理装置包括：由筒状的反应管(100)和密封盖(110)气密地构成的处理室(30)；设于反应管(100)周围的作为加热器的炉体加热部(200)；配置在处理室(30)内，且收纳多个玻璃衬底(20)的晶片盒(410)；设于反应管(100)内部的被封闭的一侧部的电动风扇(500)；以及圆筒形的整流板(430)，其在处理室(30)内将在晶片盒(410)上竖立配置的多个玻璃衬底(20)中的配置在最外部位置的玻璃衬底(20)的表面覆盖，且控制成使得朝向电动风扇(500)的扇叶部(510)的气流(Q)沿着反应管(100)的内周面(100a)流动。

公开(公告)号：CN104067378A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280067091.X

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  东海高热工业株式会社

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  吉田秀成 ,  石坂光范 ,  村上克己 ,  小谷津胜好 ,  本田真

IPC: H01L21/365 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/67754

Abstract: 一种衬底处理装置，具备：处理室，收纳形成有层叠膜的多个玻璃衬底，所述层叠膜由铜-铟、铜-镓、或铜-铟-镓中的任一种构成；反应管，以构成处理室的方式形成；保持盒，构成为自由地搬入处理室内，使多个玻璃衬底排列成彼此的主面保持规定的间隔并分别相对，并且设置一对侧壁，所述一对侧壁分别覆盖排列的多个玻璃衬底中的、两端的玻璃衬底的外侧的主面；气体供给管，向处理室内导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，排出处理室内的气氛；加热部，以包围反应管的方式设置；以及风扇，在多个玻璃衬底的各个主面，使处理室内的气氛在多个玻璃衬底的短边方向强制对流。

公开(公告)号：CN102738262A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104814.0

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  吉田秀成 ,  石坂光范

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种衬底处理装置及搬运装置。本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，能够应对玻璃衬底的大型化。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓、或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；加热部，以包围反应管的方式设置；及风扇，在多个玻璃衬底的表面上，使上述处理室内的气体在多个玻璃衬底的短边方向上强制对流。

公开(公告)号：CN102738261A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104813.6

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  国井泰夫 ,  丰田一行 ,  宫博信

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，其中，具有与石英制的腔室相比易于加工的炉体。另外，本发明提供了与石英制的腔室相比易于加工的腔室。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳有多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；及加热部，以包围反应管的方式设置，其中，反应管的基材由不锈钢等金属材料形成。