公开(公告)号：CN105374662A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510412194.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 稻田哲明 ,  和田优一 ,  石坂光范 ,  平野光浩 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  高野智 ,  竹林基成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。

公开(公告)号：CN107408505A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580076770.7

申请日：2015-02-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 村田等 ,  八幡橘 ,  和田优一 ,  山口天和 ,  西堂周平

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/318

Abstract: 缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；环状部，其连接于支柱部，形成为直径比衬底的直径小的圆弧状；一对连接部，其将环状部的各个端部连接于支柱部，和设置于环状部的内部的发热体。

公开(公告)号：CN108369911A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072763.4

申请日：2016-12-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 北川直子 ,  和田优一

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/52 ,  H01L21/31

Abstract: 提供一种能实现高生产率的处理装置并且为了实现该装置而提供以下的结构。即，提供一种结构，其具备：侧壁，其构成为圆周状；盖壁，其配设在所述侧壁的上端侧；底壁，其与所述侧壁的下端侧连接且具有能够载置在重量检测器上的载置面；贮留室，其由所述侧壁、所述盖壁以及所述底壁围成；凹部，其与所述贮留室连通且设于所述底壁；联络管，其构成为一端与所述凹部中的重力方向的部位连接且另一端在所述底壁内在与重力方向不同的方向上延伸，并构成为直径比所述凹部的直径小；气体流路，其设置在与所述底壁不同的壁上；以及液体排出路，其与所述联络管的下游端连接。

公开(公告)号：CN104520975B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201380040677.1

申请日：2013-07-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 立野秀人 ,  和田优一 ,  芦原洋司 ,  山崎惠信 ,  牛田卓朗 ,  中村岩 ,  泉学

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: 抑制处理容器内的处理气体的液化。具有：收纳衬底的处理容器；向所述衬底供给处理气体的气体供给部；封闭所述处理容器的盖体；设置在所述盖体上的热导体；和加热所述热导体的热导体加热部。

公开(公告)号：CN104011839B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280062936.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  佐久间春信 ,  立野秀人 ,  和田优一

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/448 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4485 ,  F22B1/284 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，具有：处理衬底的反应室；气化装置，其具有被供给包含过氧化氢或过氧化氢和水的处理液的气化容器、向所述气化容器供给处理液的处理液供给部和加热所述气化容器的加热部；气体供给部，将由该气化装置生成的处理气体供给到所述反应室；排气部，对所述反应室内的环境气体进行排气；所述控制部，控制所述加热部和所述处理液供给部，以使得在所述加热部加热所述气化容器的同时所述处理液供给部向所述气化容器供给处理液。

公开(公告)号：CN103999198A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280062552.4

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  天野富大 ,  桧山真 ,  佐久间春信 ,  和田优一 ,  立野秀人

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/02236 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

Abstract: 具有以下工序：将形成有含硅膜的衬底收容于处理室内的工序；从气体供给部向处理室内供给气体而使处理室内成为大气压以上的压力的工序；和从处理液供给部向衬底供给处理液而将含硅膜氧化的氧化工序。

公开(公告)号：CN105374662B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510412194.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 稻田哲明 ,  和田优一 ,  石坂光范 ,  平野光浩 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  高野智 ,  竹林基成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。

公开(公告)号：CN104428877B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380036621.9

申请日：2013-07-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 和田优一 ,  芦原洋司 ,  立野秀人 ,  佐久间春信

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 抑制在反应管内的处理气体的再液化。具有收容衬底的处理容器、封闭所述处理容器的盖体、向所述衬底供给反应物的供给部、加热所述衬底的第1加热部、加热在所述盖体附近流动的气体状态下的所述反应物的第2加热部以及加热所述盖体的发热体。

公开(公告)号：CN103999198B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280062552.4

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  天野富大 ,  桧山真 ,  佐久间春信 ,  和田优一 ,  立野秀人

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/02236 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

Abstract: 具有以下工序：将形成有含硅膜的衬底收容于处理室内的工序；从气体供给部向处理室内供给气体而使处理室内成为大气压以上的压力的工序；和从处理液供给部向衬底供给处理液而将含硅膜氧化的氧化工序。

公开(公告)号：CN104520975A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380040677.1

申请日：2013-07-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 立野秀人 ,  和田优一 ,  芦原洋司 ,  山崎惠信 ,  牛田卓朗 ,  中村岩 ,  泉学

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: 抑制处理容器内的处理气体的液化。本发明具有：收纳衬底的处理容器；向所述衬底供给处理气体的气体供给部；封闭所述处理容器的盖体；设置在所述盖体上的热导体；和加热所述热导体的热导体加热部。