公开(公告)号：CN105374662B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510412194.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 稻田哲明 ,  和田优一 ,  石坂光范 ,  平野光浩 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  高野智 ,  竹林基成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。

公开(公告)号：CN103329633A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280005221.7

申请日：2012-01-12

Applicant: 国际电气高丽株式会社 ,  株式会社日立国际电气

Inventor： 朴用城 ,  李成光 ,  金东烈 ,  丰田一行 ,  笠原修 ,  稻田哲明

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/203 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，其包括：处理室，在其中容纳有多个基板并且在其中执行等离子体处理过程；支撑件，其安装在处理室中，以至于将多个基板放置在与支撑件相同的平面上；喷射件，其与支撑件相对布置，并且其具有多个独立的挡板，用于从与放置在支撑件上的多个基板中的每个相应的位置独立地喷射至少一种反应气体和净化气体；以及驱动件，其构造为使支撑件或喷射件旋转，使得喷射件的挡板顺序环绕在放置于支撑件上的多个基板中的每一个的周围及上方。喷射件包括等离子体发生器，其安装在多个挡板中的喷射反应气体的至少一个挡板上，以便从喷射到基板上的反应气体产生等离子体。

公开(公告)号：CN105374662A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510412194.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 稻田哲明 ,  和田优一 ,  石坂光范 ,  平野光浩 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  高野智 ,  竹林基成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。