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公开(公告)号：CN102195135B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110035469.5
申请日：2011-02-01
CPC classification number: H01Q13/203 , G01S13/767 , H01Q1/2216 , H01Q5/40 , H01Q7/00 , H04B5/0018
Abstract: 本发明提供一种高低频共用漏泄天线、使用该天线的基站装置以及近距离探测系统。其中，使漏泄同轴内导体同与其平行设置的导体线路终端短路，同时实现漏泄同轴单体工作和内导体、导体线路的环路工作，利用该环路，使用局部存在于导体线路附近的磁场进行标签的ID通信，由开放式线路实现难以受到封闭区域的电磁波对周围环境影响的无线位置检测和信息通信。根据本发明，能够得到可靠性、保守性及运营性优良的、高频低频两用无线位置检测、信息传输系统。
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公开(公告)号：CN102195135A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110035469.5
申请日：2011-02-01
CPC classification number: H01Q13/203 , G01S13/767 , H01Q1/2216 , H01Q5/40 , H01Q7/00 , H04B5/0018
Abstract: 本发明提供一种高低频共用漏泄天线、使用该天线的基站装置以及近距离探测系统。其中，使漏泄同轴内导体同与其平行设置的导体线路终端短路，同时实现漏泄同轴单体工作和内导体、导体线路的环路工作，利用该环路，使用局部存在于导体线路附近的磁场进行标签的ID通信，由开放式线路实现难以受到封闭区域的电磁波对周围环境影响的无线位置检测和信息通信。根据本发明，能够得到可靠性、保守性及运营性优良的、高频低频两用无线位置检测、信息传输系统。
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公开(公告)号：CN101515614B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910004338.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件包括支撑结构体和发光结构体。所述支撑结构体包括支撑基板和设置在所述支撑基板的一个表面上的支撑基板侧接合层。所述发光结构体包括与所述支撑基板侧接合层接合的发光结构侧接合层；在所述发光结构侧接合层的所述支撑基板侧的相反侧上设置的反射区域；以及半导体多层结构，其包括设置在所述反射区域的所述发光结构侧接合层侧的相反侧上用于发射具有预定波长的光的发光层和设置在所述发光层的所述反射区域侧的相反侧用于漫反射光的光提取表面。所述反射区域包括由具有比所述半导体多层结构低的折射率的材料构成的透明层和由金属材料构成的反射层。所述透明层具有使得可以抑制由入射到所述透明层的光的多次反射所引起的干涉的厚度。
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公开(公告)号：CN101670629A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910165959.X
申请日：2009-08-20
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: B29C33/42
CPC classification number: B29C33/38 , B29C35/0888 , B29C37/0053 , B29C2035/0827 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 本发明的课题是提供一种在耐久性上表现出色的精细结构转印用压模。为此，本发明的特征是在用于使被形成在基体(102)的单面侧的精细图案(101)接触到被转印体，将上述精细图案(101)转印到上述被转印体表面的树脂层上的精细结构转印用压模(100)中，在上述基体(102)的表面和背面之中至少一面侧设置至少一层薄膜(103)，上述基体(102)和上述薄膜(103)的线膨胀系数不同，上述基体(102)借助于发生在上述薄膜(103)上的内部应力以精细图案(101)侧成为凸出的方式而弯曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100410731C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610080143.3
申请日：2006-05-09
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: G02F1/225 , G02F1/0147 , G02F1/2257 , G02F2203/21
Abstract: 本发明提供一种能得到所希望的响应时间的波导型可变光衰减器。本发明的波导型可变光衰减器(1)具有：用于形成光信号传送用的波导(9)的基片(2)，配置在基片(2)表面上、由构成波导(9)的一部分的两条支路波导(9C、9D)及覆盖支路波导(9C、9D)和基片(2)的表面的包层(8)构成的光波导元件(3)，配置在光波导元件(3)表面、用于加热支路波导(9C)的加热器(4)；并且，两条支路波导(9C、9D)进行热连接。
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公开(公告)号：CN102760926A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210077805.7
申请日：2012-03-22
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 北野延明
CPC classification number: H01Q11/08
Abstract: 本发明的课题是提供在输入高频率信号时能够放射圆极化波的电磁波的电磁波放射同轴电缆及具备该电磁波放射同轴电缆的通信系统。作为解决本发明课题的方法是，电磁波放射同轴电缆(10)具备由导体构成并沿着轴线延伸的内部导体(20)、覆盖内部导体(20)的绝缘体(22)、和以形成使绝缘体(22)的一部分露出的间隙(30)的方式以一定间距的单层螺旋状卷绕在绝缘体(22)的周围的外部导体(24)。被发送或接收的高频率信号的波长、该波长下的绝缘体(22)的相对介电常数和沿着轴线的方向上的外部导体(24)的卷绕的间距满足规定的关系。
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公开(公告)号：CN101515614A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910004338.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件包括支撑结构体和发光结构体。所述支撑结构体包括支撑基板和设置在所述支撑基板的一个表面上的支撑基板侧接合层。所述发光结构体包括与所述支撑基板侧接合层接合的发光结构侧接合层；在所述发光结构侧接合层的所述支撑基板侧的相反侧上设置的反射区域；以及半导体多层结构，其包括设置在所述反射区域的所述发光结构侧接合层侧的相反侧上用于发射具有预定波长的光的发光层和设置在所述发光层的所述反射区域侧的相反侧用于漫反射光的光提取表面。所述反射区域包括由具有比所述半导体多层结构低的折射率的材料构成的透明层和由金属材料构成的反射层。所述透明层具有使得可以抑制由入射到所述透明层的光的多次反射所引起的干涉的厚度。
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公开(公告)号：CN1936651A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610080143.3
申请日：2006-05-09
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: G02F1/225 , G02F1/0147 , G02F1/2257 , G02F2203/21
Abstract: 本发明提供一种能得到所希望的响应时间的波导型可变光衰减器。本发明的波导型可变光衰减器(1)具有：用于形成光信号传送用的波导(9)的基片(2)，配置在基片(2)表面上、由构成波导(9)的一部分的两条支路波导(9C、9D)及覆盖支路波导(9C、9D)和基片(2)的表面的包层(8)构成的光波导元件(3)，配置在光波导元件(3)表面、用于加热支路波导(9C)的加热器(4)；并且，两条支路波导(9C、9D)进行热连接。
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公开(公告)号：CN101931038A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010148164.0
申请日：2010-03-24
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。一种发光元件，包括：半导体衬底；发光部，包括夹在第一传导类型的第一包覆层与不同于第一传导类型的第二传导类型的第二包覆层之间的活性层；反射部，提供在半导体衬底与用于反射从活性层发射的光的发光部之间；以及，电流扩散层，与反射部相对地提供在发光部上并且表面上包括凹凸部。反射部包括多个成对的层，每个成对的层包括第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层，且第一半导体层具有由公式(1)和(3)定义的厚度TA1，且第二半导体层具有由公式(2)和(4)定义的厚度TB1。
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