公开(公告)号：CN105487263B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510387070.1

申请日：2015-06-30

Applicant: 硅光电科技股份有限公司

Inventor： 石拓 ,  邵永波 ,  陈昌华 ,  苏宗一 ,  潘栋

IPC: G02F1/01

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2001/212

Abstract: 本发明公开了光电器件的各种结构及其制造方法。光电器件可包括硅基脊型波导调制器，所述硅基脊型波导调制器可包括第一顶部硅层，第二顶部硅层和薄栅介质层。所述第一顶部硅层包括第一掺杂区，所述第一掺杂区至少部分地用第一导电型掺杂剂进行掺杂；所述第二顶部硅层包括第二掺杂区，所述第二掺杂区至少部分地用第二导电型掺杂剂进行掺杂；所述薄栅介质层设于所述第一顶部硅层和第二顶部硅层之间。所述第二掺杂区至少部分在所述第一掺杂区的正上方。所述调制器也可包括形成于所述第二顶部硅层上的脊型波导、形成于所述第一顶部硅层上的第一电触头、和形成于所述第二顶部硅层上的第二电触头。

公开(公告)号：CN103827737B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201180073700.8

申请日：2011-10-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 秋山知之

IPC: G02F1/01

CPC classification number: G02F1/015 ,  G02B6/29338 ,  G02B6/29341 ,  G02F1/0121 ,  G02F1/0147 ,  G02F1/2257 ,  G02F1/3133 ,  G02F2201/08

Abstract: 本发明提供光半导体元件、其控制方法及其制造方法。在光半导体元件中设置有：环形调制器；和光吸收材料（9），其被设置在与对环形调制器进行导波的被调制光的路径相分离的位置，吸收从环形调制器的环形波导路径（3）漏出的光，使环形波导路径（3）的温度上升。

公开(公告)号：CN103392149B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280009046.9

申请日：2012-02-15

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秋本良一 ,  牛头信一郎 ,  物集照夫 ,  石川浩

IPC: G02F1/365 ,  G02F1/017

CPC classification number: G02F1/01708 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/01733 ,  G02F2001/01775 ,  G02F2001/212 ,  G02F2001/215 ,  G02F2203/48

Abstract: 本发明的问题在于，实现能够避免相位调制部和干涉仪光电路部的光耦合损耗，并且能够进行通过集成化的小型化的单片集成型的光闸开关。本发明的光闸开关具有：光波导晶片，将表示基于子带间跃迁的相位调制效应的量子阱作为芯层；迈克尔逊干涉仪，形成于上述光波导晶片上；可变光强度衰减部，用于在上述迈克尔逊干涉仪的反射侧的臂的一侧调整干涉仪的光平衡。

公开(公告)号：CN104885004A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068057.9

申请日：2013-12-27

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 五井一宏 ,  石原启树 ,  小川宪介 ,  小田研二 ,  日下裕幸 ,  松本亮吉 ,  植村仁

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02B6/122 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/125 ,  G02B6/29353 ,  G02B6/29355 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12147 ,  G02B2006/12159 ,  G02F1/025 ,  G02F1/218 ,  G02F1/2255 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/58

Abstract: 本发明涉及光调制元件，由基板型光波导构成的光调制元件具备：光入射部，将光入射到上述基板型光波导；马赫曾德干涉仪，具有：对入射到上述光入射部的光进行分支的第1光分支部；对由上述第1光分支部分支出的光进行导波的2个臂部；在上述2个臂部分别呈直线状设置的相位调制部；以及对从上述2个臂部导波出的光进行合波的第1光合波部；光出射部，从上述基板型光波导出射由上述第1光合波部合波的光；以及行波电极，具有输入部和输出部，并对上述相位调制部施加电压，上述基板型光波导具有包括俯视时分别与上述相位调制部的长边方向的延长线交叉的2个边的轮廓，上述输入部形成在上述2个边中的一方，上述光入射部以及上述光出射部位于俯视时与形成上述行波电极的区域不同的区域。

公开(公告)号：CN103907049A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280052325.3

申请日：2012-10-26

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 五井一宏 ,  小川宪介

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02B6/122 ,  G02B6/2935 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12159 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0151 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063

Abstract: 提供光学元件以及马赫－曾德型光波导元件。光学元件具备具有由肋部及夹着上述肋部位于其两侧且比上述肋部的厚度薄的第一及第二平板部形成的芯线的光波导，上述芯线的上述肋部和上述第一及第二平板部由半导体单晶一体地形成，上述第一平板部具有掺杂成P型的P型区域，上述第二平板部具有掺杂成N型的N型区域，上述肋部具有与设于上述第一平板部的P型区域接触的P型区域及与设置于上述第二平板部的N型区域接触的N型区域，上述肋部的P型区域和N型区域接触而构成PN结部，上述肋部具有在与上述光波导的长度方向垂直的截面中位于比上述第一及第二平板部靠上方的位置的上端部，上述肋部的上端部具有由本征区域、及以邻接的上述P型区域或N型区域的掺杂浓度的1/10以下的掺杂浓度掺杂的低浓度掺杂区域中的一方形成的未掺杂区域。

公开(公告)号：CN102165346A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137448.5

申请日：2009-09-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·谢特立 ,  L·廖 ,  A·刘

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/26

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B2006/12142 ,  G02F1/025 ,  G02F1/225 ,  G02F1/2257

Abstract: 使用PN二极管描述了用于高速硅光调制的一种方法和设备。在一个范例中，光波导具有邻接的第一和第二掺杂半导体区域。所述第一和第二区域具有相反的掺杂类型，且所述第一掺杂区域在两个垂直的方向上延伸通过所述波导。

公开(公告)号：CN101485055A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024782.0

申请日：2007-06-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·刘 ,  M·J·帕尼恰 ,  R·琼斯

IPC: H01S5/10

CPC classification number: G02B6/12019 ,  G02B6/12004 ,  G02F1/2257 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/141 ,  H01S5/4087

Abstract: 公开从单个半导体材料层提供多个调制光束的装置和方法。例如，装置包括设置在单个半导体材料层中的多个光波导。这些光波导中的每个光波导包括沿光波导界定的光腔。包括在这些光波导上邻接单个半导体材料层的单个增益介质材料条。沿这些光波导中的每个光波导界定了增益介质－半导体材料界面。多个光调制器设置在单个半导体材料层中。这些光调制器中的每个光调制器光耦合到这些光波导中的相应的一个光波导，以便调制从光腔发出的相应光束。

公开(公告)号：CN101375200A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003971.X

申请日：2007-01-30

Applicant: 国立大学法人东京工业大学 ,  三美电机株式会社

Inventor： 水本哲弥 ,  樱井一正

IPC: G02B27/28 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02B6/131 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/125 ,  G02B6/2813 ,  G02B2006/12157 ,  G02F1/0955 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/217

Abstract: 具有衬底、与该衬底晶格匹配的波导层、非互易移相器，在波导层上形成在波导层中导波的波导路径及弯曲波导路径、并设置分支耦合器的光隔离器，改变波导层的半导体组成，使其折射率大于3.36。

公开(公告)号：CN100410731C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200610080143.3

申请日：2006-05-09

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  北野延明 ,  阿部由纪雄 ,  驹野晴保

IPC: G02F1/01 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02F1/225 ,  G02F1/0147 ,  G02F1/2257 ,  G02F2203/21

Abstract: 本发明提供一种能得到所希望的响应时间的波导型可变光衰减器。本发明的波导型可变光衰减器(1)具有：用于形成光信号传送用的波导(9)的基片(2)，配置在基片(2)表面上、由构成波导(9)的一部分的两条支路波导(9C、9D)及覆盖支路波导(9C、9D)和基片(2)的表面的包层(8)构成的光波导元件(3)，配置在光波导元件(3)表面、用于加热支路波导(9C)的加热器(4)；并且，两条支路波导(9C、9D)进行热连接。

公开(公告)号：CN1961254A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200480042605.1

申请日：2004-03-31

Applicant: 皮雷利&C.有限公司

Inventor： 塞尔维亚·基蒂尼 ,  安东尼奥·尼斯伯拉

IPC: G02F1/225 ,  G02F1/17 ,  G02F1/01

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02F1/0123 ,  G02F2001/212

Abstract: 一种光调制器(1)，包括：使输入光束分解为第一和第二光束的光束分束器(11a、11b)；连接到所述光束分束器(11a、11b)的第一和第二波导臂(9、12)，分别用于接收和发送从其中通过的所述第一和第二光束，所述波导臂(9、12)各包括由IV族半导体材料或IV族半导体材料组合构成的纤芯区(32)；与所述第一和第二波导臂(9、12)连接，用于接收所述第一和第二光束并把它们组合为输出光束的光组合器(14a、14b)；分别与所述第一和第二波导臂(9、12)结合的第一和第二电极结构(20、21)；向所述第一和第二电极结构(20、21)供应电压的驱动电路(80)，特征在于，所述驱动电路(80)适合向第一电极结构(20)供应叠加在第一偏置电压上的第一调制电压，和适合向第二电极结构(21)供应叠加在第二偏置电压上的第二调制电压。