公开(公告)号：CN1317744C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200410000802.9

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)使用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(b)在保持该湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至一个炉子的热处理室中，以在所述室内的晶片的第一主表面上方形成包括氧气的湿氧化气氛；(c)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，通过热氧化在所述热处理室中的所述湿氧化气氛中的所述晶片的所述第一主表面的硅表面上方形成绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜；然后(d)使所述晶片经受热氮化处理，以使得氮气在所述栅绝缘膜和所述硅表面之间的界面处被分离。

公开(公告)号：CN1521825A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410000804.8

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在晶片的第一主表面的多个有源区之间形成隔离槽；(b)通过淀积绝缘层在所述隔离槽中形成绝缘区；(c)在步骤(b)之后，使用催化剂将氧气和氢气合成为水蒸汽；(d)保持如此合成的水蒸汽为气态并将其送入处理室中以形成湿氧化气氛；(e)在所述处理室中的湿氧化气氛下，对所述有源区中的一个有源区上方的硅表面部分施行热氧化处理以形成绝缘膜。

公开(公告)号：CN1420548A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02151404.6

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 古川亮一 ,  酒井哲 ,  山本智志

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 在同一衬底上形成具有相互不同厚度栅绝缘膜的MISFETS的过程中，在半导体衬底和栅绝缘层之间界面上有害的自然氧化膜的形成被抑制。组成内部电路的MISFET(Qn1和QP1)的栅绝缘层包含一氮氧化硅膜。组成I/O电路的MISFET(Qn2和QP2)的另一种栅绝缘层包含由一层氮氧化硅和一高介电性膜组成的叠层膜。在衬底上形成这样二类栅绝缘层的过程是在一多腔室系统的处理装置中连续进行的。相应地，该衬底将不暴露在空气之中。因而有可能抑制在衬底和栅绝缘层之间界面上有害外来物质的进入和自然氧化膜的形成。

公开(公告)号：CN1316599C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN02151432.1

申请日：2002-11-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大塚文雄 ,  山本智志 ,  酒井哲

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种方法，能在具有由高介电常数绝缘膜制成的栅极绝缘膜的多种类型的MIS晶体管的半导体集成电路器件中，在相同的衬底上形成具有高速性能的电路和高可靠性的电路。方法除去了逻辑区和I/O区中MIS晶体管扩散区上的高介电常数绝缘膜，在扩散区的表面上形成低阻硅化物层。另一方面，在存储区中，在MIS晶体管的扩散区上不形成硅化物层，用高介电常数绝缘膜覆盖扩散区，由此防止了形成间隔层、硅化物层以及接触孔期间对半导体衬底的损伤。

公开(公告)号：CN1521812A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410000803.3

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将一个晶片引入氧化炉的一个单晶片热处理室；(b)将所述晶片已经引入其中的所述热处理室内的气体环境替换为氮气；(c)利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(d)保持所述湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至所述热处理室中以在所述热处理室内的所述晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛；(e)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，对所述晶片的所述第一主表面上方的硅部件进行热氧化处理，以在所述热处理室中的湿氧化气氛中形成绝缘膜；(f)在所述步骤(e)之后，将所述晶片已引入其中的所述热处理室中的湿氧化气氛替换为氮气。

公开(公告)号：CN100533705C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200410000804.8

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在晶片的第一主表面的多个有源区之间形成隔离槽；(b)通过淀积绝缘层在所述隔离槽中形成绝缘区；(c)在步骤(b)之后，使用催化剂将氧气和氢气合成为水蒸汽；(d)保持如此合成的水蒸汽为气态并将其送入处理室中以形成湿氧化气氛；(e)在所述处理室中的湿氧化气氛下，对所述有源区中的一个有源区上方的硅表面部分施行热氧化处理以形成绝缘膜。

公开(公告)号：CN1327489C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03123307.4

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，其中在包含湿气的湿氧化气氛下，热氧化在氧化炉的热处理室中具有硅部分的半导体晶片，所述湿气是在所述热处理室外部的湿气合成部分中使用催化剂用氢气和氧气合成的，其特征在于在开始将氢气引入湿气合成部分之前，开始将氧气引入湿气合成部分。

公开(公告)号：CN1521815A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410000802.9

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)使用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(b)在保持该湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至一个炉子的热处理室中，以在所述室内的晶片的第一主表面上方形成包括氧气的湿氧化气氛；(c)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，通过热氧化在所述热处理室中的所述湿氧化气氛中的所述晶片的所述第一主表面的硅表面上方形成绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜；然后(d)使所述晶片经受热氮化处理，以使得氮气在所述栅绝缘膜和所述硅表面之间的界面处被分离。

公开(公告)号：CN1521810A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410000801.4

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括(a)使用催化剂在第一温度下合成湿气；(b)保持湿气为气体状态，将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；(c)将晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对晶片的第一主表面的第一硅表面区进行热氧化，形成第一场效应晶体管的第一栅绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，在第三温度下使用催化剂来合成湿气；(e)保持步骤(d)中合成的湿气为气态并把它供给到晶片上方，以形成含有氧气的第二湿氧化气氛；(f)通过将第一主表面加热到高于第三温度的第四温度，在第二湿氧化气氛下对第一主表面的第二硅表面区进行热氧化，形成第二场效应晶体管的第二栅绝缘膜，第二绝缘膜的厚度比第一绝缘膜的厚度小。

公开(公告)号：CN1445838A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03120531.3

申请日：2003-03-13

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 钵嶺清太 ,  清水昭博 ,  大木長斗司 ,  酒井哲 ,  山本直樹

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/665 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78645

Abstract: 在此提供一种制造具有分别形成在半导体基片上的n型FET和p型FET的半导体器件的方法，其中包括：(a)在所述n型FET和p型FET上形成第一绝缘膜，用于在沟道形成区中产生伸张应力，以覆盖所述晶体管的栅极，并且用一个绝缘膜覆盖所述p型FET的栅极和所述半导体基片的元件隔离区之间的半导体区域；(b)通过蚀刻有选择地从所述p型FET的上表面除去所述第一绝缘膜；(c)在所述n型FET和所述p型FET上形成第二绝缘膜，用于在所述p型FET的沟道形成区中产生压缩应力，以覆盖所述晶体管的栅极；以及(d)有选择地除去在n型FET上的第二绝缘膜。本发明可以同时增加n型FET和p型FET的漏极电流(提高电流驱动能力)。