公开(公告)号：CN1521812A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410000803.3

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将一个晶片引入氧化炉的一个单晶片热处理室；(b)将所述晶片已经引入其中的所述热处理室内的气体环境替换为氮气；(c)利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(d)保持所述湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至所述热处理室中以在所述热处理室内的所述晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛；(e)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，对所述晶片的所述第一主表面上方的硅部件进行热氧化处理，以在所述热处理室中的湿氧化气氛中形成绝缘膜；(f)在所述步骤(e)之后，将所述晶片已引入其中的所述热处理室中的湿氧化气氛替换为氮气。

公开(公告)号：CN1317744C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200410000802.9

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)使用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(b)在保持该湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至一个炉子的热处理室中，以在所述室内的晶片的第一主表面上方形成包括氧气的湿氧化气氛；(c)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，通过热氧化在所述热处理室中的所述湿氧化气氛中的所述晶片的所述第一主表面的硅表面上方形成绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜；然后(d)使所述晶片经受热氮化处理，以使得氮气在所述栅绝缘膜和所述硅表面之间的界面处被分离。

公开(公告)号：CN1521825A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410000804.8

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在晶片的第一主表面的多个有源区之间形成隔离槽；(b)通过淀积绝缘层在所述隔离槽中形成绝缘区；(c)在步骤(b)之后，使用催化剂将氧气和氢气合成为水蒸汽；(d)保持如此合成的水蒸汽为气态并将其送入处理室中以形成湿氧化气氛；(e)在所述处理室中的湿氧化气氛下，对所述有源区中的一个有源区上方的硅表面部分施行热氧化处理以形成绝缘膜。

公开(公告)号：CN100552956C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN01822929.8

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  田边义和 ,  小粥敬成 ,  吉田武彦

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894

Abstract: 在一种含有高浓度氮气的气氛中实现一个WNx膜(24)的形成，所述WNx膜(24)构成一个具有多金属结构的栅电极(7A)的阻挡层，从而在形成栅电极(7A)之后的热处理步骤中，抑制N(氮)从WNx膜(24)中的释放。

公开(公告)号：CN1508861A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200410000600.4

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/316 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在湿气合成部分使用催化剂用氧气和氢气在第一温度下进行湿气合成，以产生合成的湿气；(b)将所述合成的湿气转移至氧化炉中的单晶片热处理室中，以在所述室内的晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛，同时保持所述湿气为气态；以及(c)通过将所述晶片的所述第一主表面用灯加热到比所述第一温度高的第二温度，在所述单晶片热处理室中的湿氧化气氛中对所述晶片的所述第一主表面上方的硅部件进行热氧化处理，其中所述单晶片热处理室的至少一部分的温度保持在低于所述第二温度的温度范围内，以防止湿气凝结发生。

公开(公告)号：CN1495859A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03123307.4

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)通过将氧气和氢气引入到湿气合成炉中，利用催化剂由氧气和氢气在第一温度下制备湿气，其中氧气和氢气的成分比用于湿气合成的化学计量成分富含氧；(b)将这样制备的湿气输送到氧化炉的热处理室中从而在该室内的晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛并保持湿气为气体状态；以及(c)通过将该晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，通过热氧化在热处理室中的湿氧化气氛中该晶片的第一主表面的硅表面上方形成绝缘膜。

公开(公告)号：CN100533705C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200410000804.8

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在晶片的第一主表面的多个有源区之间形成隔离槽；(b)通过淀积绝缘层在所述隔离槽中形成绝缘区；(c)在步骤(b)之后，使用催化剂将氧气和氢气合成为水蒸汽；(d)保持如此合成的水蒸汽为气态并将其送入处理室中以形成湿氧化气氛；(e)在所述处理室中的湿氧化气氛下，对所述有源区中的一个有源区上方的硅表面部分施行热氧化处理以形成绝缘膜。

公开(公告)号：CN1327489C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03123307.4

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，其中在包含湿气的湿氧化气氛下，热氧化在氧化炉的热处理室中具有硅部分的半导体晶片，所述湿气是在所述热处理室外部的湿气合成部分中使用催化剂用氢气和氧气合成的，其特征在于在开始将氢气引入湿气合成部分之前，开始将氧气引入湿气合成部分。

公开(公告)号：CN1521815A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410000802.9

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)使用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(b)在保持该湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至一个炉子的热处理室中，以在所述室内的晶片的第一主表面上方形成包括氧气的湿氧化气氛；(c)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，通过热氧化在所述热处理室中的所述湿氧化气氛中的所述晶片的所述第一主表面的硅表面上方形成绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜；然后(d)使所述晶片经受热氮化处理，以使得氮气在所述栅绝缘膜和所述硅表面之间的界面处被分离。

公开(公告)号：CN1521810A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410000801.4

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括(a)使用催化剂在第一温度下合成湿气；(b)保持湿气为气体状态，将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；(c)将晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对晶片的第一主表面的第一硅表面区进行热氧化，形成第一场效应晶体管的第一栅绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，在第三温度下使用催化剂来合成湿气；(e)保持步骤(d)中合成的湿气为气态并把它供给到晶片上方，以形成含有氧气的第二湿氧化气氛；(f)通过将第一主表面加热到高于第三温度的第四温度，在第二湿氧化气氛下对第一主表面的第二硅表面区进行热氧化，形成第二场效应晶体管的第二栅绝缘膜，第二绝缘膜的厚度比第一绝缘膜的厚度小。