公开(公告)号：CN1420548A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02151404.6

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 古川亮一 ,  酒井哲 ,  山本智志

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 在同一衬底上形成具有相互不同厚度栅绝缘膜的MISFETS的过程中，在半导体衬底和栅绝缘层之间界面上有害的自然氧化膜的形成被抑制。组成内部电路的MISFET(Qn1和QP1)的栅绝缘层包含一氮氧化硅膜。组成I/O电路的MISFET(Qn2和QP2)的另一种栅绝缘层包含由一层氮氧化硅和一高介电性膜组成的叠层膜。在衬底上形成这样二类栅绝缘层的过程是在一多腔室系统的处理装置中连续进行的。相应地，该衬底将不暴露在空气之中。因而有可能抑制在衬底和栅绝缘层之间界面上有害外来物质的进入和自然氧化膜的形成。

公开(公告)号：CN1301549C

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN02151404.6

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 古川亮一 ,  酒井哲 ,  山本智志

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 在同一衬底上形成具有相互不同厚度栅绝缘膜的MISFETS的过程中，在半导体衬底和栅绝缘层之间界面上有害的自然氧化膜的形成被抑制。组成内部电路的MISFET(Qn1和QP1)的栅绝缘层包含一氮氧化硅膜。组成I/O电路的MISFET(Qn2和QP2)的另一种栅绝缘层包含由一层氮氧化硅和一高介电性膜组成的叠层膜。在衬底上形成这样二类栅绝缘层的过程是在一多腔室系统的处理装置中连续进行的。相应地，该衬底将不暴露在空气之中。因而有可能抑制在衬底和栅绝缘层之间界面上有害外来物质的进入和自然氧化膜的形成。