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公开(公告)号：CN1421905A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152458.0
申请日：2002-11-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: C25D7/12 , C25D5/02 , C25D5/22 , C25D17/001 , H01L21/288 , H01L21/76849 , H01L21/76883
Abstract: 一种把旋转着的布线基板推压到已粘贴上树脂吸盘的旋转定盘上，边注入镀液边进行无电解镀膜以在布线基板的Cu布线的表面上选择性地形成镀膜势垒膜的方法。在进行无电解镀膜时，要把树脂吸盘、镀液、布线基板保温在规定温度地进行。此外，采用在树脂吸盘的一部分上设置观察孔，从那里照射光并检测反射光的强度变化的办法，检测无电解镀膜开始点。借助于此，改善势垒镀膜的再现性。用比现有技术还薄的薄膜使镀膜势垒膜变成为连续膜，即便是薄，Cu扩散防止能力也很出色。此外，采用通过观察孔检测无电解镀膜开始时刻的办法，可以提高镀膜势垒膜的厚度的控制性。
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公开(公告)号：CN1928508A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610001247.0
申请日：2006-01-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G01F1/684
CPC classification number: G01F1/6845 , G01F1/699 , G01P5/10
Abstract: 本发明提供一种流量传感器，能够通过在半导体衬底上隔着绝缘膜形成具有相对较高的TCR的金属膜来实现高灵敏度。作为热式流体流量传感器的测量元件包括：由第1金属膜构成的发热电阻体(3)、测温电阻体(上游侧测温电阻体(4a)和下游侧测温电阻体(4b))、以及空气温度测温电阻体(5)，由用溅射法在含金属的非晶质膜(9)上淀积得到的具有Ta结晶块的3倍或3倍以下电阻率的α－Ta膜形成上述第1金属膜。
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公开(公告)号：CN1447401A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107689.0
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/321 , H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/04 , C09K13/06 , C23F3/00 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，所述方法除去了在至少含有碳或硅的绝缘膜上形成的金属膜的至少一部分，使用由铜或以铜为主体的合金构成的金属膜、由高分子树脂构成的研磨垫、研磨中的动摩擦系数不足0.5的研磨液，利用所述研磨垫研磨所述金属膜。该方法能抑制研磨损伤，剥离，凹陷，磨蚀，能够对铜或以铜为主体的合金进行化学机械研磨。通过在无磨粒研磨液中并用多种防腐蚀剂，例如BTA和咪唑，形成保护特性优异、通过机械摩擦容易除去的保护膜。
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公开(公告)号：CN100588917C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200610001247.0
申请日：2006-01-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G01F1/684
CPC classification number: G01F1/6845 , G01F1/699 , G01P5/10
Abstract: 本发明提供一种流量传感器，能够通过在半导体衬底上隔着绝缘膜形成具有相对较高的TCR的金属膜来实现高灵敏度。作为热式流体流量传感器的测量元件包括：由第1金属膜构成的发热电阻体(3)、测温电阻体(上游侧测温电阻体(4a)和下游侧测温电阻体(4b))、以及空气温度测温电阻体(5)，由用溅射法在含金属的非晶质膜(9)上淀积得到的具有Ta结晶块的3倍或3倍以下电阻率的α-Ta膜形成上述第1金属膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1974129A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610167061.2
申请日：1998-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/06 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及一种研磨方法，包括使用研磨液对金属膜进行化学机械研磨的工序，所述研磨液含有不足1％重量的研磨磨粒，具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位，所述研磨液含有表面活性剂，其特征在于，所述表面活性剂被机械地从金属膜表面除去，金属氧化物溶于具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位的研磨液。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，包括：准备具有半导体的基体的工序；在所述基体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在开口部内形成金属膜并覆盖该绝缘膜的工序；用研磨液对所述金属膜进行化学机械研磨的工序。
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公开(公告)号：CN101498596A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910002806.3
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 佐久间宪之
CPC classification number: G01F1/6845 , G01F1/688
Abstract: 本发明提供一种发热电阻体和测温电阻体使用金属薄膜且提高了检测灵敏度的热式流体流量传感器。做成在硅衬底(2)上形成有发热电阻体(3)、测量发热电阻体(3)的温度的发热电阻体用测温电阻体(4)、上游侧测温电阻体(5a)、下游侧测温电阻体(5b)和空气测温电阻体(6)的构造，在上述发热电阻体(3)和其引出布线内配置多个浮岛状的绝缘部。
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公开(公告)号：CN101498596B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910002806.3
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 佐久间宪之
CPC classification number: G01F1/6845 , G01F1/688
Abstract: 本发明提供一种发热电阻体和测温电阻体使用金属薄膜且提高了检测灵敏度的热式流体流量传感器。做成在硅衬底(2)上形成有发热电阻体(3)、测量发热电阻体(3)的温度的发热电阻体用测温电阻体(4)、上游侧测温电阻体(5a)、下游侧测温电阻体(5b)和空气测温电阻体(6)的构造，在上述发热电阻体(3)和其引出布线内配置多个浮岛状的绝缘部。
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公开(公告)号：CN1298508C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN98123672.3
申请日：1998-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B24B37/00 , H01L21/302
CPC classification number: C23F3/06 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的目的是提供一种研磨技术，它能够抑制擦痕和剥落、凹陷、磨蚀，而且不需要复杂的洗涤工序和研磨剂供给/处理装置，并降低研磨剂和研磨布等消耗品的成本。本发明的解决方法是：使用含有氧化性物质和使氧化物水溶性化的物质、而不含研磨磨粒的研磨液，对在有沟的绝缘膜23上形成的金属膜21进行研磨。
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公开(公告)号：CN1216727A
公开(公告)日：1999-05-19
申请号：CN98123672.3
申请日：1998-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B24B37/00 , H01L21/302
CPC classification number: C23F3/06 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的目的是提供一种研磨技术,它能够抑制擦痕和剥落、凹陷、磨蚀,而且不需要复杂的洗涤工序和研磨剂供给/处理装置,并降低研磨剂和研磨布等消耗品的成本。本发明的解决方法是:使用含有氧化性物质和使氧化物水溶性化的物质、而不含研磨磨粒的研磨液,对在有沟的绝缘膜23上形成的金属膜21进行研磨。
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