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公开(公告)号：CN101440259A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810186929.2
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09G1/18 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1974129A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610167061.2
申请日：1998-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/06 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及一种研磨方法，包括使用研磨液对金属膜进行化学机械研磨的工序，所述研磨液含有不足1％重量的研磨磨粒，具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位，所述研磨液含有表面活性剂，其特征在于，所述表面活性剂被机械地从金属膜表面除去，金属氧化物溶于具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位的研磨液。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，包括：准备具有半导体的基体的工序；在所述基体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在开口部内形成金属膜并覆盖该绝缘膜的工序；用研磨液对所述金属膜进行化学机械研磨的工序。
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公开(公告)号：CN100381537C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510068160.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN101440259B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810186929.2
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1952034A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610137146.6
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09K3/14 , C23F1/18 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1204602C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN99812776.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/308 , C23F1/16
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1298508C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN98123672.3
申请日：1998-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B24B37/00 , H01L21/302
CPC classification number: C23F3/06 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的目的是提供一种研磨技术，它能够抑制擦痕和剥落、凹陷、磨蚀，而且不需要复杂的洗涤工序和研磨剂供给/处理装置，并降低研磨剂和研磨布等消耗品的成本。本发明的解决方法是：使用含有氧化性物质和使氧化物水溶性化的物质、而不含研磨磨粒的研磨液，对在有沟的绝缘膜23上形成的金属膜21进行研磨。
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公开(公告)号：CN1680511A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510068160.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1325540A
公开(公告)日：2001-12-05
申请号：CN99812776.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/308 , C23F1/16
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法,该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂,(2)氧化金属溶解剂,(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂,以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1216727A
公开(公告)日：1999-05-19
申请号：CN98123672.3
申请日：1998-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B24B37/00 , H01L21/302
CPC classification number: C23F3/06 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的目的是提供一种研磨技术,它能够抑制擦痕和剥落、凹陷、磨蚀,而且不需要复杂的洗涤工序和研磨剂供给/处理装置,并降低研磨剂和研磨布等消耗品的成本。本发明的解决方法是:使用含有氧化性物质和使氧化物水溶性化的物质、而不含研磨磨粒的研磨液,对在有沟的绝缘膜23上形成的金属膜21进行研磨。
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