公开(公告)号：CN100435561C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610099979.8

申请日：1995-04-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 井浦则行 ,  仓重知行 ,  山本直树 ,  今出宅哉 ,  嘉见博章 ,  户高义弘

IPC: H04N5/235

Abstract: 与动图像摄像时每1场的曝光量相比，增大静止图像摄像时的曝光量。最好使后者为前者的2倍。进行静止图像摄像时，将光圈闭锁，同时，利用电子快门清除摄像器件的电荷，调节曝光量。当在光圈的闭锁动作中产生误差时，静止图像摄像时的曝光量就成为与设计值不同的值。根据曝光量的设计值与实测值之差，修正图像信号的增益。进行动图像摄像时，调节光圈和电子快门速度，特别是通过使电子快门速度成为1/100秒，防止在进行室内摄像时荧光灯引起的闪烁。

公开(公告)号：CN100418004C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200410005444.0

申请日：1995-04-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 井浦则行 ,  仓重知行 ,  山本直树 ,  今出宅哉 ,  嘉见博章 ,  户高义弘

IPC: G03B7/00

CPC classification number: H04N5/2357 ,  H04N5/2352

Abstract: 与动图像摄像时每1场的曝光量相比，增大静止图像摄像时的曝光量。最好使后者为前者的2倍。进行静止图像摄像时，将光圈闭锁，同时，利用电子快门清除摄像器件的电荷，调节曝光量。当在光圈的闭锁动作中产生误差时，静止图像摄像时的曝光量就成为与设计值不同的值。根据曝光量的设计值与实测值之差，修正图像信号的增益。进行动图像摄像时，调节光圈和电子快门速度，特别是通过使电子快门速度成为1/100秒，防止在进行室内摄像时荧光灯引起的闪烁。

公开(公告)号：CN1941324A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610135745.4

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极7A之后，当执行使栅绝缘膜6再生的氧化处理时，在使各栅电极7A的侧壁上的氧化钨27还原的条件下，使晶片1加热和冷却。结果，使晶片1的表面上淀积的氧化钨27的量减少。

公开(公告)号：CN1236186A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN99106677.4

申请日：1999-05-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  山本直树 ,  三谷真一郎 ,  花冈裕子

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4983

Abstract: 轻度氧化工艺技术,在采用多晶硅及金属栅结构和双栅结构的CMOS LSI中,向半导体晶片Al的主表面提供含氢气及由氧气和氢气合成的蒸汽的混合气体,在难熔金属膜基本上不被氧化,且包含于构成栅极一部分的p型多晶硅膜中的硼不会通过栅氧化膜扩散到半导体衬底的低热负载条件下,进行热处理,以改善栅极边缘部分之下被腐蚀掉的栅绝缘膜的外形。

公开(公告)号：CN1534371A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410005444.0

申请日：1995-04-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 井浦则行 ,  仓重知行 ,  山本直树 ,  今出宅哉 ,  嘉见博章 ,  户高义弘

IPC: G03B7/091 ,  H04N5/232

CPC classification number: H04N5/2357 ,  H04N5/2352

Abstract: 与动图像摄像时每1场的曝光量相比，增大静止图像摄像时的曝光量。最好使后者为前者的2倍。进行静止图像摄像时，将光圈闭锁，同时，利用电子快门清除摄像器件的电荷，调节曝光量。当在光圈的闭锁动作中产生误差时，静止图像摄像时的曝光量就成为与设计值不同的值。根据曝光量的设计值与实测值之差，修正图像信号的增益。进行动图像摄像时，调节光圈和电子快门速度，特别是通过使电子快门速度成为1/100秒，防止在进行室内摄像时荧光灯引起的闪烁。

公开(公告)号：CN1505840A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN01822944.1

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极7A之后，当执行使栅绝缘膜6再生的氧化处理时，在使各栅电极7A的侧壁上的氧化钨27还原的条件下，使晶片1加热和冷却。结果，使晶片1的表面上淀积的氧化钨27的量减少。

公开(公告)号：CN1119281A

公开(公告)日：1996-03-27

申请号：CN95103276.3

申请日：1995-04-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 井浦则行 ,  仓重知行 ,  山本直树 ,  今出宅哉 ,  嘉见博章 ,  户高义弘

IPC: G03B7/091 ,  H04N5/232

Abstract: 与动图像摄像时每1场的曝光量相比，增大静止图像摄像时的曝光量。最好使后者为前者的2倍。进行静止图像摄像时，将光圈闭锁，同时，利用电子快门清除摄像器件的电荷，调节曝光量。当在光圈的闭锁动作中产生误差时，静止图像摄像时的曝光量就成为与设计值不同的值。根据曝光量的设计值与实测值之差，修正图像信号的增益。进行动图像摄像时，调节光圈和电子快门速度，特别是通过使电子快门速度成为1/100秒，防止在进行室内摄像时荧光灯引起的闪烁。

公开(公告)号：CN100588917C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200610001247.0

申请日：2006-01-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐久间宪之 ,  山本直树 ,  武田健一 ,  福田宏

IPC: G01F1/684

CPC classification number: G01F1/6845 ,  G01F1/699 ,  G01P5/10

Abstract: 本发明提供一种流量传感器，能够通过在半导体衬底上隔着绝缘膜形成具有相对较高的TCR的金属膜来实现高灵敏度。作为热式流体流量传感器的测量元件包括：由第1金属膜构成的发热电阻体(3)、测温电阻体(上游侧测温电阻体(4a)和下游侧测温电阻体(4b))、以及空气温度测温电阻体(5)，由用溅射法在含金属的非晶质膜(9)上淀积得到的具有Ta结晶块的3倍或3倍以下电阻率的α-Ta膜形成上述第1金属膜。

公开(公告)号：CN100552956C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN01822929.8

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  田边义和 ,  小粥敬成 ,  吉田武彦

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894

Abstract: 在一种含有高浓度氮气的气氛中实现一个WNx膜(24)的形成，所述WNx膜(24)构成一个具有多金属结构的栅电极(7A)的阻挡层，从而在形成栅电极(7A)之后的热处理步骤中，抑制N(氮)从WNx膜(24)中的释放。

公开(公告)号：CN100414426C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200410005442.1

申请日：1995-04-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 井浦则行 ,  仓重知行 ,  山本直树 ,  今出宅哉 ,  嘉见博章 ,  户高义弘

IPC: G03B7/00

CPC classification number: H04N5/2357 ,  H04N5/2352

Abstract: 与动图像摄像时每1场的曝光量相比，增大静止图像摄像时的曝光量。最好使后者为前者的2倍。进行静止图像摄像时，将光圈闭锁，同时，利用电子快门清除摄像器件的电荷，调节曝光量。当在光圈的闭锁动作中产生误差时，静止图像摄像时的曝光量就成为与设计值不同的值。根据曝光量的设计值与实测值之差，修正图像信号的增益。进行动图像摄像时，调节光圈和电子快门速度，特别是通过使电子快门速度成为1/100秒，防止在进行室内摄像时荧光灯引起的闪烁。