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公开(公告)号：CN100381537C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510068160.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1421905A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152458.0
申请日：2002-11-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: C25D7/12 , C25D5/02 , C25D5/22 , C25D17/001 , H01L21/288 , H01L21/76849 , H01L21/76883
Abstract: 一种把旋转着的布线基板推压到已粘贴上树脂吸盘的旋转定盘上，边注入镀液边进行无电解镀膜以在布线基板的Cu布线的表面上选择性地形成镀膜势垒膜的方法。在进行无电解镀膜时，要把树脂吸盘、镀液、布线基板保温在规定温度地进行。此外，采用在树脂吸盘的一部分上设置观察孔，从那里照射光并检测反射光的强度变化的办法，检测无电解镀膜开始点。借助于此，改善势垒镀膜的再现性。用比现有技术还薄的薄膜使镀膜势垒膜变成为连续膜，即便是薄，Cu扩散防止能力也很出色。此外，采用通过观察孔检测无电解镀膜开始时刻的办法，可以提高镀膜势垒膜的厚度的控制性。
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公开(公告)号：CN101440259A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810186929.2
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09G1/18 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1974129A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610167061.2
申请日：1998-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/06 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及一种研磨方法，包括使用研磨液对金属膜进行化学机械研磨的工序，所述研磨液含有不足1％重量的研磨磨粒，具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位，所述研磨液含有表面活性剂，其特征在于，所述表面活性剂被机械地从金属膜表面除去，金属氧化物溶于具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位的研磨液。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，包括：准备具有半导体的基体的工序；在所述基体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在开口部内形成金属膜并覆盖该绝缘膜的工序；用研磨液对所述金属膜进行化学机械研磨的工序。
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公开(公告)号：CN1411038A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02121636.3
申请日：1995-09-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/00 , B24D3/00 , B24D7/00
Abstract: 一种至少利用两抛光工具的分步抛光方法，包括把作为工件带有形成于其表面上的图形的衬底推压到每个所述抛光工具的表面上，使它们发生相对运动，其特征在于，首先使用的抛光工具即第一抛光工具的弹性模量小于随后使用的抛光工具即第二抛光工具的弹性模量。利用粘合磨料颗粒的树脂，可以获得具有所需弹性模量的磨石。用此磨石，可以使有凹凸部分的衬底表面变平坦均匀，但与这些凹凸部分的尺寸无关。另外，首先用小弹性模量的抛光工具抛光衬底表面，然后用大弹性模量的抛光工具进行抛光，可以获得损伤减少的抛光表面。本发明的方法可以有效地平面化具有凹凸部分的各种衬底。
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公开(公告)号：CN1298508C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN98123672.3
申请日：1998-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B24B37/00 , H01L21/302
CPC classification number: C23F3/06 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的目的是提供一种研磨技术，它能够抑制擦痕和剥落、凹陷、磨蚀，而且不需要复杂的洗涤工序和研磨剂供给/处理装置，并降低研磨剂和研磨布等消耗品的成本。本发明的解决方法是：使用含有氧化性物质和使氧化物水溶性化的物质、而不含研磨磨粒的研磨液，对在有沟的绝缘膜23上形成的金属膜21进行研磨。
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公开(公告)号：CN1680511A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510068160.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1325540A
公开(公告)日：2001-12-05
申请号：CN99812776.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/308 , C23F1/16
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法,该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂,(2)氧化金属溶解剂,(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂,以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1216727A
公开(公告)日：1999-05-19
申请号：CN98123672.3
申请日：1998-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B24B37/00 , H01L21/302
CPC classification number: C23F3/06 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的目的是提供一种研磨技术,它能够抑制擦痕和剥落、凹陷、磨蚀,而且不需要复杂的洗涤工序和研磨剂供给/处理装置,并降低研磨剂和研磨布等消耗品的成本。本发明的解决方法是:使用含有氧化性物质和使氧化物水溶性化的物质、而不含研磨磨粒的研磨液,对在有沟的绝缘膜23上形成的金属膜21进行研磨。
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公开(公告)号：CN1197542A
公开(公告)日：1998-10-28
申请号：CN95197955.8
申请日：1995-09-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/304 , B24D3/00 , B24D7/00
CPC classification number: H01L21/31053 , B24B27/0076 , B24B37/04 , B24B37/042 , B24B37/24 , B24B37/245 , B24D3/002 , B24D3/28
Abstract: 本发明涉及一种抛光方法及适用于此抛光方法的抛光设备,该方法利用包括磨料颗粒和粘合磨料颗粒的粘合树脂的磨石。利用粘合磨料颗粒的树脂,可以获得具有所需弹性模量的磨石。用此磨石,可以使有凹凸部分的衬底表面变平坦均匀,但与这些凹凸部分的尺寸无关。另外,首先用小弹性模量的抛光工具抛光衬底表面,然后用大弹性模量的抛光工具进行抛光,可以获得损伤减少的抛光表面。本发明的方法可以有效地平面化具有凹凸部分的各种衬底。
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