公开(公告)号：CN1447401A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107689.0

申请日：2003-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 鲛岛贤二 ,  木间喜夫 ,  佐久间宪之

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/04 ,  C09K13/06 ,  C23F3/00 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，所述方法除去了在至少含有碳或硅的绝缘膜上形成的金属膜的至少一部分，使用由铜或以铜为主体的合金构成的金属膜、由高分子树脂构成的研磨垫、研磨中的动摩擦系数不足0.5的研磨液，利用所述研磨垫研磨所述金属膜。该方法能抑制研磨损伤，剥离，凹陷，磨蚀，能够对铜或以铜为主体的合金进行化学机械研磨。通过在无磨粒研磨液中并用多种防腐蚀剂，例如BTA和咪唑，形成保护特性优异、通过机械摩擦容易除去的保护膜。