公开(公告)号：CN1974129A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610167061.2

申请日：1998-10-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤诚一 ,  本间喜夫 ,  佐久间宪之 ,  武田健一 ,  日野出宪治

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23F3/06 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明涉及一种研磨方法，包括使用研磨液对金属膜进行化学机械研磨的工序，所述研磨液含有不足1％重量的研磨磨粒，具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位，所述研磨液含有表面活性剂，其特征在于，所述表面活性剂被机械地从金属膜表面除去，金属氧化物溶于具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位的研磨液。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，包括：准备具有半导体的基体的工序；在所述基体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在开口部内形成金属膜并覆盖该绝缘膜的工序；用研磨液对所述金属膜进行化学机械研磨的工序。

公开(公告)号：CN1298508C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN98123672.3

申请日：1998-10-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤诚一 ,  本间喜夫 ,  佐久间宪之 ,  武田健一 ,  日野出宪治

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: C23F3/06 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的目的是提供一种研磨技术，它能够抑制擦痕和剥落、凹陷、磨蚀，而且不需要复杂的洗涤工序和研磨剂供给/处理装置，并降低研磨剂和研磨布等消耗品的成本。本发明的解决方法是：使用含有氧化性物质和使氧化物水溶性化的物质、而不含研磨磨粒的研磨液，对在有沟的绝缘膜23上形成的金属膜21进行研磨。

公开(公告)号：CN1216727A

公开(公告)日：1999-05-19

申请号：CN98123672.3

申请日：1998-10-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤诚一 ,  本间喜夫 ,  佐久间宪之 ,  武田健一 ,  日野出宪治

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: C23F3/06 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的目的是提供一种研磨技术,它能够抑制擦痕和剥落、凹陷、磨蚀,而且不需要复杂的洗涤工序和研磨剂供给/处理装置,并降低研磨剂和研磨布等消耗品的成本。本发明的解决方法是:使用含有氧化性物质和使氧化物水溶性化的物质、而不含研磨磨粒的研磨液,对在有沟的绝缘膜23上形成的金属膜21进行研磨。