公开(公告)号：CN1159765C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN98124682.6

申请日：1998-10-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 角南英夫 ,  伊藤清男 ,  田寿一 ,  中里和郎 ,  水田博

IPC: H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L27/108

Abstract: 高速/大容量DRAM(动态随机存取存储器)通常每0.1秒刷新一次，这是因为漏电流使其丢失存储的信息。DRAM在切断电源时也丢失存储的信息。同时，非易失ROM(只读存储器)不能构成为高速/大容量存储器。本发明的半导体存储器件，通过利用隧道绝缘体使起存储节点作用的漏与漏电流隔绝，实现了非易失特性，而且通过使存储单元增加读出用晶体管实现了稳定高速运行。

公开(公告)号：CN1215925A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98124682.6

申请日：1998-10-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 角南英夫 ,  伊藤清男 ,  嶋田寿一 ,  中里和郎 ,  水田博

IPC: H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L27/108

Abstract: 高速/大容量DRAM(动态随机存取存储器)通常每0.1秒刷新一次,这是因为漏电流使其丢失存储的信息。DRAM在切断电源时也丢失存储的信息。同时,非易失ROM(只读存储器)不能构成为高速/大容量存储器。本发明的半导体存储器件,通过利用隧道绝缘体使起存储节点作用的漏与漏电流隔绝,实现了非易失特性,而且通过使存储单元增加读出用晶体管实现了稳定高速运行。