公开(公告)号：CN1159765C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN98124682.6

申请日：1998-10-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 角南英夫 ,  伊藤清男 ,  田寿一 ,  中里和郎 ,  水田博

IPC: H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L27/108

Abstract: 高速/大容量DRAM(动态随机存取存储器)通常每0.1秒刷新一次，这是因为漏电流使其丢失存储的信息。DRAM在切断电源时也丢失存储的信息。同时，非易失ROM(只读存储器)不能构成为高速/大容量存储器。本发明的半导体存储器件，通过利用隧道绝缘体使起存储节点作用的漏与漏电流隔绝，实现了非易失特性，而且通过使存储单元增加读出用晶体管实现了稳定高速运行。

公开(公告)号：CN1215925A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98124682.6

申请日：1998-10-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 角南英夫 ,  伊藤清男 ,  嶋田寿一 ,  中里和郎 ,  水田博

IPC: H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L27/108

Abstract: 高速/大容量DRAM(动态随机存取存储器)通常每0.1秒刷新一次,这是因为漏电流使其丢失存储的信息。DRAM在切断电源时也丢失存储的信息。同时,非易失ROM(只读存储器)不能构成为高速/大容量存储器。本发明的半导体存储器件,通过利用隧道绝缘体使起存储节点作用的漏与漏电流隔绝,实现了非易失特性,而且通过使存储单元增加读出用晶体管实现了稳定高速运行。

公开(公告)号：CN1195861A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN97120849.2

申请日：1997-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中里和郎 ,  伊藤清男 ,  水田博 ,  佐藤俊彦 ,  田寿一 ,  哈鲁恩·阿迈德

IPC: G11C11/00

Abstract: 改善了写入、读出、消去时间的具有隧道阻挡层的存储器。具有从控制电极穿越隧道阻挡层写入电荷的存储节点。该电荷影响源/漏路径的导电性并由此读出数据。电荷阻挡层由多隧道阻挡层构成,包裹形成存储节点的硅的多晶层,以3nm的多晶硅层和1nm的Si3N4叠积构成。还披露了两种肖特基阻挡层结构,和在电绝缘掩模内分散的、具有存储节点功能的包括导电性纳米级导电岛的其它阻挡层结构。

公开(公告)号：CN1200429C

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN97120849.2

申请日：1997-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中里和郎 ,  伊藤清男 ,  水田博 ,  佐藤俊彦 ,  嶋田寿一 ,  哈鲁恩·阿迈德

IPC: G11C11/00

Abstract: 改善了写入、读出、消去时间的具有隧道阻挡层的存储器。具有从控制电极穿越隧道阻挡层写入电荷的存储节点。该电荷影响源/漏路径的导电性并由此读出数据。电荷阻挡层由多隧道阻挡层构成，包裹形成存储节点的硅的多晶层，以3nm的多晶硅层和1nm的Si3N4叠积构成。还披露了两种肖特基阻挡层结构，和在电绝缘掩模内分散的、具有存储节点功能的包括导电性纳米级导电岛的其它阻挡层结构。

公开(公告)号：CN1324486A

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN99812731.0

申请日：1999-09-29

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立欧洲有限公司

Inventor： 伊藤清男 ,  中里和郎

IPC: G11C11/40 ,  G11C16/04 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/108 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C16/04

Abstract: 传统的大容量DRAM(动态随机存取存储器)由于存储单元的读信号电压低,其工作可能会不稳定。如果通过给存储单元增加一定的增益来提高信号电压,则存储单元面积将增大。因此,我们希望有一种存储单元工作稳定,面积小,工作性能同RAM一样的存储器。例如,本发明的存储单元具有三维结构,包括用于维持信号电压的MOS晶体管,用于提供信号电压的写晶体管(如隧道晶体管),和用于控制栅极电压的电容,从而实现廉价高速可靠工作的半导体器件。该半导体器件可以具有非易失RAM的功能。