公开(公告)号：CN1200429C

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN97120849.2

申请日：1997-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中里和郎 ,  伊藤清男 ,  水田博 ,  佐藤俊彦 ,  嶋田寿一 ,  哈鲁恩·阿迈德

IPC: G11C11/00

Abstract: 改善了写入、读出、消去时间的具有隧道阻挡层的存储器。具有从控制电极穿越隧道阻挡层写入电荷的存储节点。该电荷影响源/漏路径的导电性并由此读出数据。电荷阻挡层由多隧道阻挡层构成，包裹形成存储节点的硅的多晶层，以3nm的多晶硅层和1nm的Si3N4叠积构成。还披露了两种肖特基阻挡层结构，和在电绝缘掩模内分散的、具有存储节点功能的包括导电性纳米级导电岛的其它阻挡层结构。

公开(公告)号：CN1235286C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN01125370.3

申请日：2001-08-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 今须诚士 ,  吉田育生 ,  岸川笵夫 ,  角义之 ,  田口一之 ,  内藤孝洋 ,  佐藤俊彦

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种电子装置包括：一个在它的一个主表面上有许多电极座的半导体芯片；一块在它的一个主表面上有许多连接部分的接线板；与许多分别布置在半导体芯片的各电极座与连线板的各连接部分之间以提供二者之间电连接的凸起电极，这些凸起电极布置成一个使半导体芯片相对于接线板的一个主表面不平衡的阵列，接线板的许多连接部分布置在向从接线板的一个主表面的深度方向比这个主表面较深的位置上。

公开(公告)号：CN1340857A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01125370.3

申请日：2001-08-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 今须诚士 ,  吉田育生 ,  岸川笵夫 ,  角义之 ,  田口一之 ,  内藤孝洋 ,  佐藤俊彦

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种电子装置包括:一个在它的一个主表面上有许多电极座的半导体芯片;一块在它的一个主表面上有许多连接部分的接线板;与许多分别布置在半导体芯片的各电极座与连线板的各连接部分之间以提供二者之间电连接的凸起电极,这些凸起电极布置成一个使半导体芯片相对于接线板的一个主表面不平衡的阵列,接线板的许多连接部分布置在向从接线板的一个主表面的深度方向比这个主表面较深的位置上。

公开(公告)号：CN1195861A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN97120849.2

申请日：1997-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中里和郎 ,  伊藤清男 ,  水田博 ,  佐藤俊彦 ,  田寿一 ,  哈鲁恩·阿迈德

IPC: G11C11/00

Abstract: 改善了写入、读出、消去时间的具有隧道阻挡层的存储器。具有从控制电极穿越隧道阻挡层写入电荷的存储节点。该电荷影响源/漏路径的导电性并由此读出数据。电荷阻挡层由多隧道阻挡层构成,包裹形成存储节点的硅的多晶层,以3nm的多晶硅层和1nm的Si3N4叠积构成。还披露了两种肖特基阻挡层结构,和在电绝缘掩模内分散的、具有存储节点功能的包括导电性纳米级导电岛的其它阻挡层结构。