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公开(公告)号：CN118679549A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202280086241.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/02 , G05B19/418 , G05B23/02
Abstract: 在基板处理装置管理系统中从多个基板处理装置分别收集多个处理信息，该多个处理信息示出与基板的处理关联的动作或者状态。针对各个基板处理装置，基于多个处理信息间的不变的关系与从该基板处理装置所收集的多个处理信息，算出该基板处理装置的异常的程度作为异常分数。在管理装置中，从各个基板处理装置受理与异常相关的调查请求。在受理了两个以上的调查请求时，取得与这些调查请求对应的基板处理装置的异常分数。基于所取得的多个异常分数，对管理者提示应响应于两个以上的调查请求的与优先顺位相关的优先顺位信息。
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公开(公告)号：CN110931358B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201910777501.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够确实地掌握劣化加剧的虚设晶圆的热处理方法及热处理装置。对虚设晶圆利用卤素灯进行预备加热处理并利用闪光灯进行闪光加热处理，从而进行对基座等腔室内结构物进行调温的虚设运转。这时，在每次进行预备加热处理或闪光加热处理时，对向卤素灯的施加电量等进行累计，计算出累计所得的损耗值。损耗值是表示虚设晶圆的劣化程度的指标。在虚设晶圆的损耗值成为规定阈值以上的情况下发出警报。由此，使热处理装置的操作者能够认识到虚设晶圆的劣化达到限界值，从而能够确实地掌握劣化加剧的虚设晶圆。
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公开(公告)号：CN111312617B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201911266333.8
申请日：2019-12-11
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够容易地进行热处理条件的条件设定的热处理方法及热处理装置。将收容构成批次的多个半导体晶圆的载具搬入至热处理装置之后，对各半导体晶圆设定规定了处理顺序及处理条件的制程配方。接着，测定收容于载具的各半导体晶圆的反射率。基于所设定的制程配方与测定出的半导体晶圆的反射率，估算闪光加热处理时半导体晶圆的到达预测温度，并显示该估算的到达预测温度。因为可将所显示的到达预测温度作为参考来设定处理条件，所以能够容易地进行热处理条件的条件设定。
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公开(公告)号：CN119213531A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202380021806.6
申请日：2023-02-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: 本发明的基板处理装置管理系统具有：信息分析装置，具有生成代表模型的模型生成部，该代表模型表示复数个处理信息间的相关关系，所述复数个处理信息表示与复数个腔室中的代表腔室中的基板的处理相关联的动作或状态；以及辅助装置，获取复数个腔室各自的复数个处理信息，基于将其他腔室的复数个处理信息间的相关关系与代表模型进行比较的比较信息，生成与其他腔室的维护作业有关的辅助信息。
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公开(公告)号：CN110896030B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201910639962.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够适当地管理虚设晶片的处理历程的热处理方法及热处理装置。在将收容多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中时，将该载具登记为虚设晶片专用的虚设载具。在存储部中保存将所述多个虚设晶片各自的处理历程与该载具建立关联的虚设数据库。在热处理装置的显示部显示虚设数据库中登记的虚设晶片的处理历程。热处理装置的操作者可通过确认所显示的信息来适当地把握并管理虚设晶片的处理历程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116805064A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310092572.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 上野智宏
IPC: G06F18/2433 , G06F18/241 , G06N20/20 , H01L21/67 , G01J5/00
Abstract: 本发明提供一种异常检测装置，能够检测出微小的处理异常，并通过检测出微小的处理异常来预测装置整体的故障。本发明是检测利用热处理装置(160)进行热处理的半导体晶圆(W)的处理异常的异常检测装置(2)。异常检测装置(2)具备：下部辐射温度计(20)，测定热处理中的半导体晶圆(W)的温度；处理信息获取部(90)(各传感器)，获取与下部辐射温度计(20)所测得的温度具有关联的多个处理信息；以及检测部(32c)，将半导体晶圆(W)的热处理分为多个阶段(热处理阶段(F1)～(F7))，基于温度及处理信息，针对多个阶段(热处理阶段(F1)～(F7))的每一个制作多个学习模型，并基于该多个学习模型检测半导体晶圆(W)的处理异常。
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公开(公告)号：CN110931357B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201910764284.4
申请日：2019-08-19
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能防止劣化过度的虚设晶圆的误处理的热处理方法及热处理装置。实施如下虚拟运行：利用卤素灯对虚设晶圆进行预加热处理，且利用闪光灯对虚设晶圆进行闪光加热处理，而调节基座等腔室内构造物的温度。这时，每次进行预加热处理或闪光加热处理，都会使预加热计数或闪光加热计数增值。在作为虚设晶圆损耗值的预加热计数或闪光加热计数变为指定阈值以上的情况下，发布警报。由此，热处理装置的操作员便能知道虚设晶圆的劣化已达到临界值，从而防止劣化过度的虚设晶圆的误处理。
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公开(公告)号：CN117711934A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311146904.0
申请日：2023-09-06
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 本发明的课题在于提供一种即使在衬底的背面成膜薄膜也能够确实地检测所述背面的损伤的热处理方法及热处理装置。本发明由反射率测定部(350)测定半导体晶圆(W)的背面的反射率。基于所测定的反射率调整相机(322)的摄像参数。摄像参数包含相机(322)的曝光时间及感度。由调整了摄像参数的相机(322)拍摄半导体晶圆(W)的背面，从获得的图像数据判定有无损伤。因为相机(322)能够进行与半导体晶圆(W)的背面的反射率对应的适当的摄像，所以即使在半导体晶圆(W)的背面形成薄膜而背面的反射率变动，也能够确实地检测所述背面的损伤。
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公开(公告)号：CN112420498A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010725076.6
申请日：2020-07-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使形成有多层薄膜也能够正确地测定基板的温度的热处理方法以及热处理装置。设定并输入形成在半导体晶圆的正面的薄膜的膜信息、半导体晶圆的基板信息、以及上部辐射温度计的设置角度。基于所述各种信息来计算形成有多层膜的半导体晶圆的正面的辐射率。该辐射率是从上部辐射温度计的设置角度所观察到的半导体晶圆的表观辐射率。进而，基于上部辐射温度计的感度分布求出半导体晶圆的正面的辐射率的加权平均值。使用所求出的辐射率的加权平均值测定热处理时半导体晶圆的正面温度。因为是基于膜信息等求出辐射率，所以即使形成有多层薄膜也能够正确地测定半导体晶圆的正面温度。
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公开(公告)号：CN110896030A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910639962.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够适当地管理虚设晶片的处理历程的热处理方法及热处理装置。在将收容多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中时，将该载具登记为虚设晶片专用的虚设载具。在存储部中保存将所述多个虚设晶片各自的处理历程与该载具建立关联的虚设数据库。在热处理装置的显示部显示虚设数据库中登记的虚设晶片的处理历程。热处理装置的操作者可通过确认所显示的信息来适当地把握并管理虚设晶片的处理历程。
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