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公开(公告)号：CN110867370B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201910676989.0
申请日：2019-07-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/26
Abstract: 本发明提供一种能够将腔室内以短时间减压的热处理方法。半导体晶片(W)在形成在腔室(6)内的氨气气氛中通过来自卤素灯(HL)及闪光灯(FL)的光照射而进行加热处理。当在腔室(6)内形成氨气气氛时暂时将腔室(6)内减压。另外，在半导体晶片(W)的加热处理后也将腔室(6)内减压。在将腔室(6)内排气而减压之前，从卤素灯(HL)进行光照射而将腔室(6)内的气氛加热。通过在减压前将腔室(6)内的气氛加热，该气氛中的气体分子的热运动活化并且气体密度变小。其结果，在减压时腔室(6)内的气体分子会迅速地排出，能够将腔室(6)内以短时间减压至特定的气压为止。
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公开(公告)号：CN110931357B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201910764284.4
申请日：2019-08-19
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能防止劣化过度的虚设晶圆的误处理的热处理方法及热处理装置。实施如下虚拟运行：利用卤素灯对虚设晶圆进行预加热处理，且利用闪光灯对虚设晶圆进行闪光加热处理，而调节基座等腔室内构造物的温度。这时，每次进行预加热处理或闪光加热处理，都会使预加热计数或闪光加热计数增值。在作为虚设晶圆损耗值的预加热计数或闪光加热计数变为指定阈值以上的情况下，发布警报。由此，热处理装置的操作员便能知道虚设晶圆的劣化已达到临界值，从而防止劣化过度的虚设晶圆的误处理。
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公开(公告)号：CN110896030A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910639962.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够适当地管理虚设晶片的处理历程的热处理方法及热处理装置。在将收容多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中时，将该载具登记为虚设晶片专用的虚设载具。在存储部中保存将所述多个虚设晶片各自的处理历程与该载具建立关联的虚设数据库。在热处理装置的显示部显示虚设数据库中登记的虚设晶片的处理历程。热处理装置的操作者可通过确认所显示的信息来适当地把握并管理虚设晶片的处理历程。
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公开(公告)号：CN110931358B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201910777501.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够确实地掌握劣化加剧的虚设晶圆的热处理方法及热处理装置。对虚设晶圆利用卤素灯进行预备加热处理并利用闪光灯进行闪光加热处理，从而进行对基座等腔室内结构物进行调温的虚设运转。这时，在每次进行预备加热处理或闪光加热处理时，对向卤素灯的施加电量等进行累计，计算出累计所得的损耗值。损耗值是表示虚设晶圆的劣化程度的指标。在虚设晶圆的损耗值成为规定阈值以上的情况下发出警报。由此，使热处理装置的操作者能够认识到虚设晶圆的劣化达到限界值，从而能够确实地掌握劣化加剧的虚设晶圆。
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公开(公告)号：CN118412289A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410042036.X
申请日：2024-01-11
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种能够防止从腔室对衬底造成的金属污染的钝化方法及热处理装置。热处理装置的腔室由不锈钢形成。使腔室内减压之后，将臭氧导入到所述腔室内，并停止供气及排气而将臭氧封入在腔室内。在经过臭氧的半衰期以下的待机时间的期间，维持臭氧被封入在腔室内的状态。通过具有极强的氧化能力的臭氧作用在由不锈钢形成的腔室的内表面，而在该内表面形成惰性的钝态皮膜。该惰性的钝态皮膜抑制锰从不锈钢的腔室析出，因此，当在腔室内进行半导体晶圆的加热处理时，也能够防止从腔室对半导体晶圆造成的金属污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114597142A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111368368.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够减小气体供给相关要素的设置空间的热处理装置。本发明的热处理装置中，对半导体晶圆进行加热处理的腔室(10)连接有助燃性气体管线(31)、可燃性气体管线(41)及惰性气体管线(51)。在对腔室(10)供给可燃性气体之前，从惰性气体管线(51)对助燃性气体管线(31)送入氮气，将助燃性气体管线(31)内置换为氮气。在对腔室(10)供给助燃性气体之前，从惰性气体管线(51)对可燃性气体管线(41)送入氮气，将可燃性气体管线(41)内置换为氮气。助燃性气体管线(31)及可燃性气体管线(41)设有共通的1根惰性气体管线(51)，因此能够减小气体供给相关要素的设置空间。
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公开(公告)号：CN114068326A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110823843.1
申请日：2021-07-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能在短时间内高效率地使腔室内的温度稳定化的热处理方法。在对作为处理对象的半导体晶圆进行处理之前，对多个虚设晶圆进行加热处理，从而将基座等腔室内构造物预热。针对多个虚设晶圆中的前几片虚设晶圆，在通过来自卤素灯的光照射加热到第1加热温度之后照射闪光。针对接下来的几片虚设晶圆，在通过来自卤素灯的光照射加热到低于第1加热温度的第2加热温度之后照射闪光。由于将虚设晶圆加热到高温之后再加热到低温，因此，能在短时间内且以较少的虚设晶圆的片数使腔室内构造物的温度稳定化。
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公开(公告)号：CN119419136A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411495679.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种能够将腔室内以短时间减压的热处理方法。半导体晶片(W)在形成在腔室(6)内的氨气气氛中通过来自卤素灯(HL)及闪光灯(FL)的光照射而进行加热处理。当在腔室(6)内形成氨气气氛时暂时将腔室(6)内减压。另外，在半导体晶片(W)的加热处理后也将腔室(6)内减压。在将腔室(6)内排气而减压之前，从卤素灯(HL)进行光照射而将腔室(6)内的气氛加热。通过在减压前将腔室(6)内的气氛加热，该气氛中的气体分子的热运动活化并且气体密度变小。其结果，在减压时腔室(6)内的气体分子会迅速地排出，能够将腔室(6)内以短时间减压至特定的气压为止。
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公开(公告)号：CN116825681A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310933478.9
申请日：2018-12-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种热处理方法及热处理装置。本发明提供一种能以简易的构成来检测闪光灯光照射时的衬底破裂的热处理方法及热处理装置。半导体晶片由卤素灯预加热之后，通过来自闪光灯的闪光灯光照射而被加热。放射温度计以特定的采样间隔测定半导体晶片W的背面温度而获得多个温度测定值。将这些多个温度测定值中的从闪光灯光的照射开始时以后的累计开始时点起获得的设定数量的温度测定值进行累计，而算定温度累计值。当所算定的温度累计值偏离预先设定的上限值与下限值之间的范围时，判定在闪光灯光照射时半导体晶片破裂。
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公开(公告)号：CN110931358A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910777501.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够确实地掌握劣化加剧的虚设晶圆的热处理方法及热处理装置。对虚设晶圆利用卤素灯进行预备加热处理并利用闪光灯进行闪光加热处理，从而进行对基座等腔室内结构物进行调温的虚设运转。这时，在每次进行预备加热处理或闪光加热处理时，对向卤素灯的施加电量等进行累计，计算出累计所得的损耗值。损耗值是表示虚设晶圆的劣化程度的指标。在虚设晶圆的损耗值成为规定阈值以上的情况下发出警报。由此，使热处理装置的操作者能够认识到虚设晶圆的劣化达到限界值，从而能够确实地掌握劣化加剧的虚设晶圆。
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