-
公开(公告)号：CN102161942B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110041801.9
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明涉及包含N-甲基-2-吡咯烷酮以及1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(1，3-Dimethyl-2-imidazolidinone)的沉积材料洗涤液组合物及利用该组合物的洗涤方法。若使用所述组合物，则能够迅速去除附着在光电设备制造装置上的沉积材料，从而可缩短制造工艺时间，其降低生产费用，确保工艺安全性。
-
-
公开(公告)号：CN101373343B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810210852.8
申请日：2008-08-20
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种为了回收使用薄膜晶体管液晶显示器的滤色器形成工艺中产生的不良基板，而用于去除彩色光阻剂图案及涂层的彩色光阻剂剥离溶液组合物，具体涉及一种包含1-20重量％的选自无机碱氢氧化物、氢氧化铵、具有C1-C4烷基的烷基氢氧化铵或具有C1-C4烷基的苯烷基氢氧化铵中的氢氧化物；1-70重量％的选自具有C1-C4烷基的烷撑二醇醚或烷撑二醇中的至少一种化合物；0.5-10重量％的羟胺；0.5-50重量％的烷氧基烷基胺；以及余量水的彩色光阻剂剥离溶液组合物。本发明的组合物可以在短时间内去除彩色光阻剂和涂层，从而可以回收使用以往技术中由于难以去除彩色光阻剂图案而大部分被废弃的滤色器基板。
-
公开(公告)号：CN101156111B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680011131.3
申请日：2006-04-04
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体器件制备工艺的光刻胶去除剂组合物。本发明的包含铵盐、水溶性有机胺和水的去除剂组合物可以在高温或者低温下、在短时间内有效去除通过硬性烘烤、干法蚀刻、湿法蚀刻、灰化和/或离子注入所硬化和改性的光刻胶膜，以及由光刻胶膜下面的金属膜蚀刻出的金属副产物所改性的光刻胶膜，同时使光刻胶膜下面的金属布线的腐蚀最小化。
-
公开(公告)号：CN104272193A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380024161.8
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42 , C11D3/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种聚合性液晶组合物，更具体地说，涉及一种用于光学膜时具有热稳定性和液晶相区间的温度范围宽的特性且经济有效的聚合性液晶组合物。本发明中，将核结构不具有连接基而是相互以单键连接或者具有以多环结构连接的一个以上的环结构的液晶化合物混合于聚合性介晶(mesogenic)化合物而构成聚合性液晶组合物，由此液晶材料之间的相容性优异、化学上稳定、在宽的温度范围内保持液晶相，且使用于液晶光学膜时能够制造出具有优异的取向性、耐化学稳定性质的光学膜，由于制造方法较简单，因此经济有效。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102161942A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110041801.9
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明涉及包含N-甲基-2-吡咯烷酮以及1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(1，3-Dimethyl-2-imidazolidinone)的沉积材料洗涤液组合物及利用该组合物的洗涤方法。若使用所述组合物，则能够迅速去除附着在光电设备制造装置上的沉积材料，从而可缩短制造工艺时间，其降低生产费用，确保工艺安全性。
-
公开(公告)号：CN101156111A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011131.3
申请日：2006-04-04
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体器件制备工艺的光刻胶去除剂组合物。本发明的包含铵盐、水溶性有机胺和水的去除剂组合物可以在高温或者低温下、在短时间内有效去除通过硬性烘烤、干法蚀刻、湿法蚀刻、灰化和/或离子注入所硬化和改性的光刻胶膜，以及由光刻胶膜下面的金属膜蚀刻出的金属副产物所改性的光刻胶膜，同时使光刻胶膜下面的金属布线的腐蚀最小化。
-
公开(公告)号：CN101093365A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710123038.8
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于去除在电子电路或显示元件的布图(pattern)过程中所使用的抗蚀膜、且能够抑制对金属布线腐蚀的抗蚀膜(resist)剥离剂组合物，所述抗蚀膜剥离剂组合物优选包含：a)1至20wt％的二胺化合物(diamine compound)；和b)余量的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。本发明可进一步包含极性溶剂。本发明抗蚀膜剥离剂组合物，在进行去除光致抗蚀膜的工序过程中，将不会腐蚀金属布线，且具有优秀的剥离效果。
-
公开(公告)号：CN101051191A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710090332.3
申请日：2007-04-04
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明涉及一种在通过过滤装置过滤流体之前除去流体中浮游物的显示装置制造系统。本发明的显示装置制造系统包括：工作腔室，在其内部利用工作流体去除显示面板上工作层中的多余部分；浮游物过滤单元，其接收由工作腔室所排出的工作流体，并滤除工作流体中所含有的工作层浮游物；过滤装置，其接收由浮游物过滤单元所排出的工作流体，并滤除工作流体中所含有的工作层成分；流体储存槽，其用于储存通过过滤装置滤除工作层成分后的工作流体。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.024 seconds)
