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公开(公告)号：CN104253137A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410298661.7
申请日：2014-06-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明的摄像装置具备：半导体层，具有第1面和所述第1面的相反侧的第2面；设置在所述半导体层上的多个像素；电极，设置于所述第1面上，对所述多个像素各自的输出进行控制；以及遮光膜，划定所述多个像素的各个像素的边界。在所述第2面上设置第1绝缘膜。所述第2绝缘膜与所述第1绝缘膜的上表面相接地设置，其在可见光区域的折射率小于所述第1绝缘膜。所述遮光膜的一端位于所述第2绝缘膜中，或者与所述第2绝缘膜的、同所述第1绝缘膜相接的面的相反侧的面处于同一水平，另一端位于所述半导体层中。
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公开(公告)号：CN100423227C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510092709.X
申请日：2005-08-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/32139
Abstract: 半导体装置的制造方法，包括如下工序：在半导体基板上依次堆积第1导电性阻挡膜、铝或铝合金的膜和第2导电性阻挡膜，形成层压结构的布线材料膜的工序；在第2导电性阻挡膜表面上依次形成有机材料膜、硅氧化膜和抗蚀膜的工序；通过平版印刷术形成抗蚀图形，以该抗蚀图形为掩模，采用至少含有氟的加工气体对硅氧化膜进行蚀刻加工，在有机材料膜表面上形成氧化硅膜图形的工序；在以氧化硅膜图形为掩模，采用含有H和N的加工气体对上述有机材料膜进行蚀刻加工，在导电性阻挡膜表面上形成有机材料膜图形的工序；在曝露于大气中之前，进行含有C的加工气体、含有H的加工气体或者含有O的加工气体的等离子体处理的工序；以及以上述各图形为掩模，对布线材料膜进行蚀刻加工形成布线的工序。
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公开(公告)号：CN1738021A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510092709.X
申请日：2005-08-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/32139
Abstract: 半导体装置的制造方法，包括如下工序：在半导体基板上依次堆积第1导电性阻挡膜、铝或铝合金的膜和第2导电性阻挡膜，形成层压结构的布线材料膜的工序；在第2导电性阻挡膜表面上依次形成有机材料膜、硅氧化膜和抗蚀膜的工序；通过平版印刷术形成抗蚀图形，以该抗蚀图形为掩模，采用至少含有氟的加工气体对硅氧化膜进行蚀刻加工，在有机材料膜表面上形成氧化硅膜图形的工序；在以氧化硅膜图形为掩模，采用含有H和N的加工气体对上述有机材料膜进行蚀刻加工，在导电性阻挡膜表面上形成有机材料膜图形的工序；在曝露于大气中之前，进行含有C的加工气体、含有H的加工气体或者含有O的加工气体的等离子体处理的工序；以及以上述各图形为掩模，对布线材料膜进行蚀刻加工形成布线的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576671A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410532164.9
申请日：2014-10-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一实施方式，提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电变换元件、沟槽和第1导电型的半导体区域。光电变换元件具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成为多个，将入射光光电变换为电荷并储存。沟槽形成在相邻的光电变换元件间，从第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成。第1导电型的半导体区域以包围沟槽的外周面的方式设置，含有活性化的第1导电型的杂质。
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公开(公告)号：CN101960594A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880127778.1
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了非易失性存储装置及其制造方法，其特征在于，具备：基板；上述基板上设置的第1电极；以与上述第1电极交叉的方式在其上方设置的第2电极；以及在上述第1电极和上述第2电极之间设置的存储部，上述存储部的与上述第1电极相对的第1存储部面的面积和上述存储部的与上述第2电极相对的第2存储部面的面积的至少一个比通过交叉而相对的上述第1电极和上述第2电极的交叉面的面积小。
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公开(公告)号：CN107819271A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710803608.1
申请日：2017-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0287 , H01S5/06258 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/1215 , H01S5/1225 , H01S5/22 , H01S5/227 , H01S5/34366 , H01S2301/163
Abstract: 本发明提供提高了发光波长的可控性·可再现性的量子级联激光装置。量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体和第1电极。所述半导体层叠体借助次能带间光学跃迁能够发出红外线激光。并且，所述半导体层叠体具有所述基板上设置的活性层和所述活性层上设置的第1包层。在所述半导体层叠体上设置脊形波导路，在所述第1包层上表面沿所述脊形波导路延伸的第1直线设置分布反馈区域。所述第1电极设置在所述分布反馈区域上表面。在所述分布反馈区域内沿所述第1直线配置具有预定间距的衍射光栅。所述分布反馈区域包含沿与所述第1直线正交方向的衍射光栅的长度随着从所述分布反馈区域的一端向另一端而增大的区域。
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公开(公告)号：CN105321802A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510067440.3
申请日：2015-02-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/02 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/76227 , H01L21/763 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14683
Abstract: 根据实施方式，半导体装置的制造方法具备在半导体层表面形成凹部的工序。具备在半导体层表面的凹部的表面形成熔点比半导体层低的缓冲层的工序。具备在缓冲层上形成熔点比半导体层高的高熔点膜而将凹部填充的工序。具备以缓冲层的熔点以上的温度对形成有缓冲层及高熔点膜的半导体层加热的工序。
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公开(公告)号：CN101960594B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200880127778.1
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了非易失性存储装置及其制造方法，其特征在于，具备：基板；上述基板上设置的第1电极；以与上述第1电极交叉的方式在其上方设置的第2电极；以及在上述第1电极和上述第2电极之间设置的存储部，上述存储部的与上述第1电极相对的第1存储部面的面积和上述存储部的与上述第2电极相对的第2存储部面的面积的至少一个比通过交叉而相对的上述第1电极和上述第2电极的交叉面的面积小。
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