公开(公告)号：CN105321802A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510067440.3

申请日：2015-02-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥城慎太郎 ,  吉野健一 ,  福水裕之 ,  加藤贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76227 ,  H01L21/763 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

Abstract: 根据实施方式，半导体装置的制造方法具备在半导体层表面形成凹部的工序。具备在半导体层表面的凹部的表面形成熔点比半导体层低的缓冲层的工序。具备在缓冲层上形成熔点比半导体层高的高熔点膜而将凹部填充的工序。具备以缓冲层的熔点以上的温度对形成有缓冲层及高熔点膜的半导体层加热的工序。

公开(公告)号：CN104576671A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410532164.9

申请日：2014-10-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江田健太郎 ,  吉野健一 ,  奥城慎太郎 ,  福水裕之 ,  南孝明 ,  用正武 ,  芦立浩明

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一实施方式，提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电变换元件、沟槽和第1导电型的半导体区域。光电变换元件具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成为多个，将入射光光电变换为电荷并储存。沟槽形成在相邻的光电变换元件间，从第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成。第1导电型的半导体区域以包围沟槽的外周面的方式设置，含有活性化的第1导电型的杂质。