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公开(公告)号：CN110021878A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810014182.6
申请日：2018-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器。量子级联激光器具有活性层、第1包层和第2包层、以及光引导层。活性层具有多个注入量子阱区域和多个发光量子阱区域。各注入量子阱区域和各发光量子阱区域交替地层叠。所述第1包层和第2包层以从两侧夹持所述活性层的方式设置，具有比所述各发光量子阱区域的实效折射率低的折射率。所述光引导层以将所述活性层沿着层叠方向一分为二的方式配置。所述光引导层具有比所述各发光量子阱区域的所述实效折射率高的折射率，具有比所述各发光量子阱区域的量子阱层的全部的阱层的厚度大的厚度。
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公开(公告)号：CN107196188B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610767059.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/2228 , H01S2301/145
Abstract: 面发光量子级联激光器具有活性层、第一半导体层以及第一电极。上述活性层层叠有多个量子阱层，并通过子带间跃迁发射激光。上述第一半导体层设置于上述活性层之上，并且具有以构成二维的格子的方式设置有多个坑的第一面。上述第一电极设置于上述第一半导体层之上，并具有周期性的开口部。各个坑关于与上述格子的边平行的线为非对称。上述激光从在上述开口部露出的坑起沿相对上述活性层大致垂直方向射出。
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公开(公告)号：CN106170690A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201580011075.2
申请日：2015-09-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N21/3504
CPC classification number: G01N21/3504 , A61B5/0059 , A61B5/082 , A61B5/0833 , A61B5/0836 , A61B5/087 , G01N33/497 , G01N2033/4975 , G01N2201/0612 , G01N2201/12 , H01S5/22 , H01S5/3402
Abstract: 呼气分析装置具有：光源，放出包括相对丙酮的吸收线在内的波长带域的红外光；气室，导入有包括呼气的样本气体，并被射入上述红外光；检测部，接受从上述气室射出的透射光，并输出与丙酮排出量对应的样本信号值；以及数据处理部，基于上述样本信号值，预先决定相对丙酮排出量的脂肪氧化量依存性的近似式，相对各个样本信号值，使用上述近似式计算各个脂肪氧化量。在将上述丙酮排出量(微升/分)设为x时，上述脂肪氧化量(毫克/分)y以下述式y＝Ax+B(其中，A以及B为常数)被近似。
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公开(公告)号：CN109802300B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811344710.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够在高输出时改善光学特性的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有半导体层叠体、上部电极、以及下部电极。半导体层叠体具有：活性层，具有产生子带间跃迁的量子阱层，并且放出红外激光；第一半导体层，设于活性层之上，并且具有凹部构成矩形光栅的光子晶体层；以及设于活性层的下方的第二半导体层。下部电极设于第二半导体层的下表面中的与上部电极重叠的区域。在俯视时，半导体层叠体具有包含光子晶体层的面发光区域、以及设有上部电极并且将面发光区域包围的电流注入区域。活性层产生子带间跃迁，能够通过二维衍射光栅产生光谐振，并且向面发光区域的垂直方向放出红外激光。
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公开(公告)号：CN108701964A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680083246.7
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107800040A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710777263.7
申请日：2017-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层，半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。
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公开(公告)号：CN106062536A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011070.X
申请日：2015-03-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N21/39 , G01N21/01 , G01N21/3504 , G01N33/497 , H01S5/343
CPC classification number: G01N21/3504 , A61B5/00 , A61B5/0059 , A61B5/082 , G01N21/05 , G01N21/39 , G01N33/004 , G01N33/497 , G01N2021/399 , G01N2201/12 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/343 , H01S5/34313 , H01S5/34346
Abstract: 呼气诊断装置包括气室部、光源部、检测部和控制部。所述气室部包括供包含呼气的试样气体导入的空间，所述呼气含有二氧化碳的第一同位素和二氧化碳的第二同位素。所述光源部向所述空间射入光。所述光源部使所述光的波长在4.34微米以上且4.39微米以下的波段内进行变化。所述检测部实施下述动作，该动作包括：第一检测，对通过了导入有所述试样气体的所述空间的所述光的强度进行检测；以及第二检测，对通过了未导入有所述试样气体的所述空间的所述光的强度进行检测。所述控制部根据所述第一检测的结果和所述第二检测的结果，计算出所述试样气体中的所述第二同位素的量相对于所述第一同位素的量之比。
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公开(公告)号：CN107800040B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201710777263.7
申请日：2017-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层，半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。
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公开(公告)号：CN110011182A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201810010147.7
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/32
Abstract: 本发明提供一种光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器。光子晶体内置基板具有化合物半导体基板、电介质层、以及第1半导体层。所述电介质层设置于所述化合物半导体基板的表面，配置到二维衍射光栅的各个晶格结点。各电介质层具有相对于所述二维衍射光栅的边中的至少1个边非对称的形状，且具有比所述化合物半导体基板的折射率低的折射率。所述半导体层叠体覆盖所述电介质层和所述化合物半导体基板的所述表面且具有平坦的第1面，构成所述第1面的层包含可与构成所述化合物半导体基板的材料进行晶格匹配的材料。
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公开(公告)号：CN107196188A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201610767059.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/2228 , H01S2301/145 , H01S5/3401
Abstract: 面发光量子级联激光器具有活性层、第一半导体层以及第一电极。上述活性层层叠有多个量子阱层，并通过子带间跃迁发射激光。上述第一半导体层设置于上述活性层之上，并且具有以构成二维的格子的方式设置有多个坑的第一面。上述第一电极设置于上述第一半导体层之上，并具有周期性的开口部。各个坑关于与上述格子的边平行的线为非对称。上述激光从在上述开口部露出的坑起沿相对上述活性层大致垂直方向射出。
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