-
公开(公告)号:CN104253137A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201410298661.7
申请日:2014-06-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明的摄像装置具备:半导体层,具有第1面和所述第1面的相反侧的第2面;设置在所述半导体层上的多个像素;电极,设置于所述第1面上,对所述多个像素各自的输出进行控制;以及遮光膜,划定所述多个像素的各个像素的边界。在所述第2面上设置第1绝缘膜。所述第2绝缘膜与所述第1绝缘膜的上表面相接地设置,其在可见光区域的折射率小于所述第1绝缘膜。所述遮光膜的一端位于所述第2绝缘膜中,或者与所述第2绝缘膜的、同所述第1绝缘膜相接的面的相反侧的面处于同一水平,另一端位于所述半导体层中。
-
公开(公告)号:CN104576671A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410532164.9
申请日:2014-10-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一实施方式,提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电变换元件、沟槽和第1导电型的半导体区域。光电变换元件具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成为多个,将入射光光电变换为电荷并储存。沟槽形成在相邻的光电变换元件间,从第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成。第1导电型的半导体区域以包围沟槽的外周面的方式设置,含有活性化的第1导电型的杂质。
-