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公开(公告)号：CN104253137A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410298661.7
申请日：2014-06-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明的摄像装置具备：半导体层，具有第1面和所述第1面的相反侧的第2面；设置在所述半导体层上的多个像素；电极，设置于所述第1面上，对所述多个像素各自的输出进行控制；以及遮光膜，划定所述多个像素的各个像素的边界。在所述第2面上设置第1绝缘膜。所述第2绝缘膜与所述第1绝缘膜的上表面相接地设置，其在可见光区域的折射率小于所述第1绝缘膜。所述遮光膜的一端位于所述第2绝缘膜中，或者与所述第2绝缘膜的、同所述第1绝缘膜相接的面的相反侧的面处于同一水平，另一端位于所述半导体层中。
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公开(公告)号：CN105575986A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510740792.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/1462 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/1463 , H01L27/14683
Abstract: 实施方式的固态摄像装置及固态摄像装置的制造方法具备半导体层、像素晶体管的栅极、周边电路晶体管的栅极、氮化硅膜、及侧壁。在半导体层设置有光电二极管与浮动扩散体。像素晶体管的栅极隔着栅极氧化膜设置于半导体层的表面。周边电路晶体管的栅极隔着栅极氧化膜设置于半导体层的表面。氮化硅膜隔着栅极氧化膜设置于半导体层中的光电二极管的上表面。侧壁设置于除像素晶体管的栅极的光电二极管侧的侧面以外的至少一个侧面。
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公开(公告)号：CN104576671A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410532164.9
申请日：2014-10-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一实施方式，提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电变换元件、沟槽和第1导电型的半导体区域。光电变换元件具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成为多个，将入射光光电变换为电荷并储存。沟槽形成在相邻的光电变换元件间，从第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成。第1导电型的半导体区域以包围沟槽的外周面的方式设置，含有活性化的第1导电型的杂质。
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公开(公告)号：CN104347652A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410082926.X
申请日：2014-03-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供能够使受光灵敏度提高固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。通过本发明的一个实施方式提供固体摄像装置。固体摄像装置具备半导体层、反射板及元件分离区域。半导体层中二维阵列状地排列有多个光电转换元件。反射板覆盖半导体层的与光入射的面相反的面一侧并反射光。元件分离区域设为从半导体层的光入射的面起至到达反射板的深度为止，以便按每个光电转换元件划分半导体层，该元件分离区域使光电转换元件彼此电气性地元件分离并且具有光的反射面。
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