公开(公告)号：CN102983272B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201210068710.9

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山中贵哉 ,  首藤晋 ,  浅尾吉昭

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 实施方式涉及存储装置及其制造方法。存储装置具备：第1信号线、第2信号线、晶体管、第1存储区域和第2存储区域。晶体管对在第1、第2信号线之间流动的第1方向及相反的第2方向的电流的导通进行控制。第1存储区域连接于第1信号线与晶体管的一端之间，具有若在第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则成为反平行的第1磁性隧道接合元件。第2存储区域连接于第2信号线与晶体管的另一端之间，具有若在第2方向流动比第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第1方向流动比第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则成为反平行的第2磁性隧道接合元件。

公开(公告)号：CN102983148A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210072182.4

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山中贵哉 ,  首藤晋

IPC: H01L27/22 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

Abstract: 实施例的存储装置包括第1信号线、第2信号线、晶体管、存储区域、导通区域。晶体管分别控制第1信号线和第2信号线之间流过的第1方向的电流及与第1方向相反的第2方向的电流的导通。存储区域在第1信号线和晶体管的一端之间连接，具有第1平行阈值以上的电流流过第1方向时磁化方向成为平行，第1反平行阈值以上的电流流过第2方向时磁化方向成为反平行的第1磁隧道结元件。导通区域在第2信号线和晶体管的另一端之间连接。

公开(公告)号：CN102983272A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210068710.9

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山中贵哉 ,  首藤晋 ,  浅尾吉昭

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 实施方式涉及存储装置及其制造方法。存储装置具备：第1信号线、第2信号线、晶体管、第1存储区域和第2存储区域。晶体管对在第1、第2信号线之间流动的第1方向及相反的第2方向的电流的导通进行控制。第1存储区域连接于第1信号线与晶体管的一端之间，具有若在第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则成为反平行的第1磁性隧道接合元件。第2存储区域连接于第2信号线与晶体管的另一端之间，具有若在第2方向流动比第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第1方向流动比第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则成为反平行的第2磁性隧道接合元件。