公开(公告)号：CN102983272A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210068710.9

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山中贵哉 ,  首藤晋 ,  浅尾吉昭

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 实施方式涉及存储装置及其制造方法。存储装置具备：第1信号线、第2信号线、晶体管、第1存储区域和第2存储区域。晶体管对在第1、第2信号线之间流动的第1方向及相反的第2方向的电流的导通进行控制。第1存储区域连接于第1信号线与晶体管的一端之间，具有若在第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则成为反平行的第1磁性隧道接合元件。第2存储区域连接于第2信号线与晶体管的另一端之间，具有若在第2方向流动比第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第1方向流动比第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则成为反平行的第2磁性隧道接合元件。

公开(公告)号：CN102983148A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210072182.4

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山中贵哉 ,  首藤晋

IPC: H01L27/22 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

Abstract: 实施例的存储装置包括第1信号线、第2信号线、晶体管、存储区域、导通区域。晶体管分别控制第1信号线和第2信号线之间流过的第1方向的电流及与第1方向相反的第2方向的电流的导通。存储区域在第1信号线和晶体管的一端之间连接，具有第1平行阈值以上的电流流过第1方向时磁化方向成为平行，第1反平行阈值以上的电流流过第2方向时磁化方向成为反平行的第1磁隧道结元件。导通区域在第2信号线和晶体管的另一端之间连接。

公开(公告)号：CN102983272B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201210068710.9

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山中贵哉 ,  首藤晋 ,  浅尾吉昭

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 实施方式涉及存储装置及其制造方法。存储装置具备：第1信号线、第2信号线、晶体管、第1存储区域和第2存储区域。晶体管对在第1、第2信号线之间流动的第1方向及相反的第2方向的电流的导通进行控制。第1存储区域连接于第1信号线与晶体管的一端之间，具有若在第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则成为反平行的第1磁性隧道接合元件。第2存储区域连接于第2信号线与晶体管的另一端之间，具有若在第2方向流动比第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第1方向流动比第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则成为反平行的第2磁性隧道接合元件。

公开(公告)号：CN1314116C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN97190416.2

申请日：1997-04-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 园田真久 ,  首藤晋 ,  田中米洼 ,  伊高利昭 ,  角田弘昭 ,  荒木仁

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/564 ,  H01L27/10844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在采用包含具有Si-H结合体的气体作为材料气体制作CVD薄膜(层间绝缘薄膜或钝化薄膜)时，CVD薄膜(12、31、32、33、34、47、48、49、57、59)中的Si-H结合体的数量设定为0.6×1021cm-3或更少，从而抑制栅极氧化物薄膜或隧道氧化物薄膜中的电子陷阱的形成并防止晶体管阈值的变化。此外，通过将CVD薄膜的折射率设定为1.65或更大或将CVD薄膜中的氮浓度设定为3×1021cm-3或更高可以提高抗湿性。

公开(公告)号：CN1189920A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97190416.2

申请日：1997-04-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 园田真久 ,  首藤晋 ,  田中米洼 ,  伊高利昭 ,  角田弘昭 ,  荒木仁

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/564 ,  H01L27/10844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在采用包含具有Si－H结合体的气体作为材料气体制作CVD薄膜(层间绝缘薄膜或钝化薄膜)时,CVD薄膜(12、31、32、33、34、47、48、49、57、59)中的Si－H结合体的数量设定为0.6×1021cm－3或更少,从而抑制栅极氧化物薄膜或隧道氧化物薄膜中的电子陷阱的形成并防止晶体管阈值的变化。此外,通过将CVD薄膜的折射率设定为1.65或更大或将CVD薄膜中的氮浓度设定为3×1021cm－3或更高可以提高抗湿性。