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公开(公告)号：CN100463192C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610087750.2
申请日：2006-05-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/84 , H01L29/78687
Abstract: 一种半导体器件包括形成在绝缘层(12)上的半导体层上的n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的沟道由具有双轴拉应变的应变硅层(22)构成，而p沟道MIS晶体管的沟道由沿沟道长度方向具有单轴压应变的应变硅锗层(31)构成。
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公开(公告)号：CN1873990A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610087750.2
申请日：2006-05-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/84 , H01L29/78687
Abstract: 一种半导体器件包括形成在绝缘层(12)上的半导体层上的n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的沟道由具有双轴拉应变的应变硅层(22)构成，而p沟道MIS晶体管的沟道由沿沟道长度方向具有单轴压应变的应变硅锗层(31)构成。
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公开(公告)号：CN102439702B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980159391.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/41791 , H01L29/66795
Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体器件及其制造方法。在MOS型半导体器件的制造方法中，在作为Si层的一部分且被源极/漏极区域夹着的沟道区域上隔着栅极绝缘膜形成栅极电极，之后至少在源极/漏极区域上生长以Ge为主成分的膜，接着通过使以Ge为主成分的膜与金属进行反应，形成深度方向的接合位置与以Ge为主成分的膜的生长界面相同的金属间化合物膜。
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公开(公告)号：CN102169897B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010283375.5
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/0895 , B82Y10/00 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/165 , H01L29/41733 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/66977 , H01L29/7843 , H01L29/78684
Abstract: 本发明谋求对隧道FET的阈值偏差的抑制。本发明是一种半导体装置，具有：隔着栅绝缘膜(21)形成在Si1-xGex(0＜x≤1)的第一半导体层(13)上的栅极(22)；由以Ge为主要成分的第二半导体与金属的化合物形成的源极(24)；由第一半导体与金属的化合物形成的漏极(25)；以及形成在源极(24)与第一半导体层(13)之间Si薄膜(26)，源极(24)的栅侧端部与漏极(25)的栅侧端部相对于栅极(22)处于非对称的位置关系，漏极(25)的栅侧的端部比源极(24)的栅侧的端部更向栅外侧方向远离栅极(22)的端部。
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公开(公告)号：CN102694026A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110361360.0
申请日：2011-11-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L21/823814 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/6656
Abstract: 根据实施例的场效应晶体管包括：半导体层；在半导体层中相互以一定距离形成的源极区和漏极区；在半导体层的一部分上形成的栅绝缘膜，该部分位于源极区和漏极区之间；在栅绝缘膜上形成的栅电极；和在栅电极的至少一个侧面上形成的栅侧壁，所述侧面位于源极区侧和漏极区侧，所述栅侧壁由高介电材料制成。源极区和漏极区与栅电极的相应侧面分开设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102593118A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110362688.4
申请日：2011-11-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78654
Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。按照实施例的半导体器件包括：衬底；在衬底上形成并具有应变的第一半导体层；在第一半导体层上相互隔开一定距离形成并且晶格常数不同于第一半导体层的晶格常数的第二和第三半导体层；在第一半导体层的第一部分上形成的栅极绝缘膜，所述第一部分位于第二半导体层和第三半导体层之间；以及在栅极绝缘膜上形成的栅电极。第二半导体层的外表面区和第一半导体层的第二部分的外表面区中的至少一个是第一硅化物区，以及第三半导体层的外表面区和第一半导体层的第三部分的外表面区中的至少一个是第二硅化物区，所述第二部分和第三部分分别直接位于第二半导体层和第三半导体层下面。
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公开(公告)号：CN101404257B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810161763.9
申请日：2008-09-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7842 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L27/1211 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66795 , H01L29/66818 , H01L29/785 , H01L29/78696
Abstract: 本发明能够提供一种尽可能地抑制沟道大小以及形状的波动、并且使沟道宽度尽可能小的场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管的制造方法具备：在半导体基板上形成绝缘膜的掩模的工序，该半导体基板的上表面具备包含Si的半导体层；通过使用掩模来进行蚀刻从而将半导体层加工为向与半导体基板的上表面平行的一个方向延伸的台面状的工序；通过进行氢环境中的热处理，使半导体层的向一个方向延伸且相对的一对侧面间的距离变窄并且使侧面平坦化的工序；形成覆盖侧面被平坦化的半导体层的栅极绝缘膜的工序；形成覆盖栅极绝缘膜的栅电极的工序；以及在栅电极两侧的半导体层上形成源/漏区的工序。
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公开(公告)号：CN102593118B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110362688.4
申请日：2011-11-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78654
Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。按照实施例的半导体器件包括：衬底；在衬底上形成并具有应变的第一半导体层；在第一半导体层上相互隔开一定距离形成并且晶格常数不同于第一半导体层的晶格常数的第二和第三半导体层；在第一半导体层的第一部分上形成的栅极绝缘膜，所述第一部分位于第二半导体层和第三半导体层之间；以及在栅极绝缘膜上形成的栅电极。第二半导体层的外表面区和第一半导体层的第二部分的外表面区中的至少一个是第一硅化物区，以及第三半导体层的外表面区和第一半导体层的第三部分的外表面区中的至少一个是第二硅化物区，所述第二部分和第三部分分别直接位于第二半导体层和第三半导体层下面。
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公开(公告)号：CN102169897A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010283375.5
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/0895 , B82Y10/00 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/165 , H01L29/41733 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/66977 , H01L29/7843 , H01L29/78684
Abstract: 本发明谋求对隧道FET的阈值偏差的抑制。本发明是一种半导体装置，具有：隔着栅绝缘膜(21)形成在Si1-xGex(0＜x≤1)的第一半导体层(13)上的栅极(22)；由以Ge为主要成分的第二半导体与金属的化合物形成的源极(24)；由第一半导体与金属的化合物形成的漏极(25)；以及形成在源极(24)与第一半导体层(13)之间Si薄膜(26)，源极(24)的栅侧端部与漏极(25)的栅侧端部相对于栅极(22)处于非对称的位置关系，漏极(25)的栅侧的端部比源极(24)的栅侧的端部更向栅外侧方向远离栅极(22)的端部。
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公开(公告)号：CN101097954A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710089064.3
申请日：2007-03-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/1054 , H01L29/42392 , H01L29/66818 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/78696
Abstract: 本发明一个实施例的场效应晶体管，具有：含有Si原子的半导体衬底，形成在上述半导体衬底上、含有Si原子和Ge原子的突起结构，形成在上述突起结构内、含有Ge原子的沟道区域，形成在上述突起结构中上述沟道区域的下部、含有的Si原子和Ge原子中Ge的组成比从上述沟道区域侧到上述半导体衬底侧连续变化的沟道下部区域，形成在上述沟道区域上的栅绝缘膜，隔着上述栅绝缘膜形成在上述沟道区域上的栅极。
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